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本发明公开了一种低矫顽力低线宽多层磁致伸缩薄膜及其制备方法，属于磁性薄膜材料领域，其制备方法为：分别采用FeGaB靶材和Al2O3绝缘层作为原料，使用磁控溅射台进行多层薄膜制备；制作完成后，对多层薄膜在100
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该专利属于西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所）所有，仅供学习研究参考，未经过西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所）授权不得商用。

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