一种光可固化组成物包括量子点、量子点前驱物材料、螯合剂、一种或多种单体、及光引发剂。量子点经选择为回应于吸收在UV或可见光范围的第二波长频带的辐射而发射在可见光范围的第一波长频带的辐射。第二波长频带不同于第一波长频带。量子点前驱物材料包...

一种方法包括对于第一管道，接收第一压力值，第一压力值对应于耦合至此第一管道的第一阀的第一阀位置。此方法进一步包括对于与此第一管道平行地路由(route)的第二管道，接收第二压力值，第二压力值对应于耦合至此第二管道的第二阀的第二阀位置。此...

一种在处理腔室中使用以用于支撑晶片的基座，包括基座基板，该基座基板具有前侧及与前侧相对的背侧，及沉积于基座基板上的涂层。前侧具有被配置成将待处理的晶片保持在处理腔室中的口袋，该口袋以第一图案纹理化。该背侧以第二图案纹理化。侧以第二图案纹...

本公开的实施例总体上涉及集成电路的制造。更具体地，本文描述的实施例提供了用于产生用于图案化应用的应力减小的类金刚石碳膜的方法。在一个或多个实施例中，一种方法包括将含有碳氢化合物的沉积气体流入具有定位在静电夹盘上的基板的处理腔室的处理容积...

描述了一种用于在基板处理系统中进行大面积基板处理的沉积设备。所述沉积设备包括：真空腔室；可旋转溅射阴极水平阵列，所述可旋转溅射阴极水平阵列被配置成具有圆柱形靶材，所述可旋转溅射阴极水平阵列设置在所述真空腔室中；以及基板支撑件，所述基板支...

提供了一种用于控制基板支撑组件的温度的方法。向嵌入在该基板支撑组件的分区中的加热元件供应第一直流(DC)功率，该基板支撑组件被包括在处理腔室中。测量跨该加热元件的电压。类似地，测量流过该加热元件的电流。基于跨该加热元件的该电压和流过该加...

描述了一种用于涂覆基板的真空沉积系统(100)。所述真空沉积系统包括：第一真空腔室(101)；和基板运输系统(110)，所述基板运输系统具有多个运输辊(111)，所述多个运输辊沿载体运输路径(T)布置以用于运输基板载体(10)通过所述第...

公开了用于预测性地确定数字光刻工具中的工具漂移以进行预警，和/或原位调整工具以减轻漂移的影响的方法及系统。在制造期间尤其通过测量从眼到眼、桥到桥的对准标记来测量漂移。所测量的漂移被分解成三个分量：趋势—随时间推移的趋向于漂移；增量—随时...

本技术包含等离子体源，等离子体源包括第一板，所述第一板限定以第一组列布置的第一多个孔口。第一板可包括第一组电极，所述第一组电极沿第一组列中单独的列延伸。等离子体源可包括第二板，所述第二板限定以第二组列布置的第二多个孔口。第二板可包括第二...

示例性半导体处理腔室可包括腔室主体，腔室主体包括侧壁和基座。腔室可包括延伸穿过腔室主体的基座的基板支撑件。基板支撑件可包括被配置成支撑半导体基板的支撑平台。基板支撑件可包括与支撑平台耦接的轴。腔室可包括偏离基座的中心的前级导管以及耦接到...

提供了用于在等离子体腔室的串接处理区域中处理基板的方法和设备。在一个示例中，设备被体现为等离子体腔室，等离子体腔室包括具有第一腔室侧部和第二腔室侧部的腔室主体，第一腔室侧部具有第一处理区域，第二腔室侧部具有第二处理区域。腔室主体具有前壁...

本文提供的实施例大体包括用于提升处理腔室中电极电压的设备、等离子体处理系统和方法。示例等离子体处理系统包括处理腔室、多个开关、设置在处理腔室中的电极、电压源和电容元件。电压源经由多个开关中的一个开关选择性地耦合到电极。电容元件经由多个开...

本公开内容的实施方式大体涉及光学装置。具体地，本公开内容的实施方式涉及具有一个或多个光学部件电路的光学装置。包括一个或多个光学部件电路的光学装置在导电路径经由孔破损而中断时防止用户暴露于光，例如，防止用户掉落基板，或防止用户掉落光学装置...

本公开内容的实施例包括在混合激光划线和等离子体切割工艺中确定划线偏移的方法。在一实施例中，方法包含：在半导体晶片上方形成掩模。在一实施例中，半导体晶片包含通过切割道而彼此分开的多个管芯。在一实施例中，方法进一步包含：用激光划线工艺来图案...

本文描述了一种用于使用氢等离子体处理的方法及设备。处理腔室包括多个腔室部件。多个腔室部件可用如Y2O3‑

本公开涉及用于制造半导体封装的系统和方法，并且更具体地，用于通过激光烧蚀在半导体封装中形成特征的系统和方法。在一个实施例中，本文描述的激光系统和方法可用于将用作半导体封装的封装框架的基板图案化，所述半导体封装具有穿过其形成的一个或多个互...

本案提供了用于在处理腔室中使用的喷头的实施方式和减少喷头面板下垂的方法。在一些实施方式中，一种用于在处理腔室中使用的喷头包括：面板，该面板具有穿过该面板设置的多个气体分配孔；和一个或多个缆线，该一个或多个缆线与面板接合且被构造为用以对该...

本文所披露的实施方式包括使用干式沉积工艺沉积金属氧光刻胶的方法。在实施方式中，在真空腔室中于基板上方形成光刻胶层的方法包含将金属前驱物蒸气提供至真空腔室中。在实施方式中，方法进一步包含将氧化剂蒸气提供至真空腔室中，其中金属前驱物蒸气与氧...

提供了一种在低温温度下蚀刻硅的方法。所述方法包括：在诸如特征的多个侧壁之类的暴露表面上，在低温温度下由稀有气体的冷凝形成惰性层，以在蚀刻工艺之前钝化侧壁。所述方法进一步包括：使含氟前驱物气体流入腔室，以在惰性层上形成含氟层。所述方法进一...

公开了用于经改善的前驱物流的半导体处理腔室。示例性半导体处理系统可以包括处理腔室，并且可以包括与处理腔室耦接的远程等离子体单元。示例性系统还可以包括与远程等离子单元耦接的适配器。适配器可以包括第一端和与第一端相对的第二端。适配器可以在第...