沉积设备、处理系统以及制造光电装置层的方法制造方法及图纸

描述了一种用于在基板处理系统中进行大面积基板处理的沉积设备。所述沉积设备包括：真空腔室；可旋转溅射阴极水平阵列，所述可旋转溅射阴极水平阵列被配置成具有圆柱形靶材，所述可旋转溅射阴极水平阵列设置在所述真空腔室中；以及基板支撑件，所述基板支撑件在所述真空腔室内、处于所述可旋转溅射阴极水平阵列下方，并且被配置用于使所述可旋转溅射阴极水平阵列向下溅射在所述基板支撑件上的所述基板上的静态沉积工艺。基板上的静态沉积工艺。基板上的静态沉积工艺。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】沉积设备、处理系统以及制造光电装置层的方法


[0001]本公开内容的实施方式涉及基板处理，例如，在群集工具中，具体地涉及在具有水平基板处理的群集工具中。本公开内容的实施方式涉及基板处理设备，诸如沉积设备，具体地涉及用于静态沉积。实施方式还可涉及水平方向的旋转阴极阵列，例如，在静态沉积应用中，是直的或弓形的，具体地用于群集系统布局。具体而言，实施方式涉及在诸如群集处理系统的基板处理系统中用于大面积基板处理的沉积设备、用于大面积基板的基板处理系统以及制造光电装置层的方法。

技术介绍

[0002]真空处理系统是至少包括具有处理区域的真空腔室的系统，其中基板可以相对于用于处理基板的处理区域定位。用于在基板上沉积材料的几种方法是已知的。例如，可以通过使用诸如溅射处理或蒸发处理、喷涂处理等的物理气相沉积(PVD)处理，或者使用化学气相沉积(CVD)处理，对基板进行涂覆。其上沉积有材料的基板，即待涂覆的基板，被引入真空处理系统的真空腔室中，并且相对于真空处理系统的真空腔室的处理区域定位。
[0003]例如，涂覆处理可以在真空腔室中进行。对于溅射沉积处理，材料从设置在真空腔室中的靶材中喷射出来。该材料被沉积到基板上。在真空腔室中，可以通过用等离子体区域中产生的离子轰击靶材来提供从靶材的材料喷射。靶材通常通过应用电势差来形成溅射阴极，这样在存在所产生的电场中，等离子体区域中产生的离子加速/向带电的溅射阴极移动，并且冲击所述溅射阴极，从而使阴极的原子脱落。因此，溅射阴极提供了用于材料沉积的材料，从而形成了材料源。
[0004]涂覆处理，即材料沉积处理，可以考虑用于大面积的基板，例如用于显示器制造技术。涂覆的基板可以进一步用于多个
，例如在微电子领域，在半导体装置的生产中，用于薄膜晶体管的基板，还用于绝缘板等。对于使用更大基板的趋势，例如在制造更大的显示器时，导致需要更大的真空处理系统。
[0005]溅射可以作为磁控溅射进行，其中利用磁体组件来限制等离子体以改善溅射条件。等离子体限制还可以用于调整待沉积在基板上的材料的粒度分布。例如，具有确定层属性的均匀层是有益的。这对于大面积的沉积来说尤其如此，例如，在大面积基板上制造显示器。此外，对于静态沉积工艺来说，均匀性和工艺稳定性可能尤其难以实现，其中基板不会连续移动通过沉积区域。
[0006]对于大面积基板来说，可以考虑制造系统的灵活性、拥有成本和占地面积。此外，在显示器制造生产中，基板被水平地处理。对于竖直处理系统，利用多个移动部件将基板从水平方向移动到竖直方向。因此，水平处理系统，即将基板保持在水平方向的处理系统，可以是有益的。更进一步来说，群集系统可以提高制造应用的灵活性，因为中央真空传送腔室可以灵活地将基板移动到多个处理腔室。
[0007]产品维护周期的改进分别提高了基板处理设备或基板处理系统的处理量。鉴于上文所述，改进的沉积设备、改进的处理系统以及改进的用于制造光电装置层的方法是有益
的。

技术实现思路

[0008]鉴于上文所述，根据独立权利要求，提供了一种沉积设备、基板处理系统以及制造电子装置层，具体是光电装置层的方法。进一步的特征、细节、方面、实现方式和实施方式在从属权利要求、描述和附图中示出。
[0009]根据一个实施方式，提供了一种用于在基板处理系统中进行大面积基板处理的沉积设备。所述沉积设备包括：真空腔室；可旋转溅射阴极水平阵列，其被配置成具有圆柱形靶材，所述可旋转溅射阴极水平阵列设置在所述真空腔室中；以及基板支撑件，所述基板支撑件在所述真空腔室内、处于所述可旋转溅射阴极水平阵列下方，并且被配置用于使所述可旋转溅射阴极水平阵列向下溅射在所述基板支撑件上的基板上的静态沉积工艺。
[0010]根据一个实施方式，提供了一种用于大面积基板的基板处理系统。所述基板处理系统包括：传送腔室；根据本文中的任一实施方式所描述的并且与所述传送腔室耦接的一个或多个沉积设备；以及与所述传送腔室耦接的一个或多个装载锁定腔室。
[0011]根据一个实施方式，提供了一种制造电子装置层的方法。所述方法包括：将大面积基板装载在至少部分地设置在中央传送腔室中的机械手的机械臂上；将所述大面积基板传送到根据本文中的任一实施方式所描述的沉积设备中；以及在所述大面积基板上溅射材料层。
[0012]根据本公开内容的一个实施方式，提供了一种显示装置。所述显示装置包括设置在基板上的背板。所述背板包括用于驱动显示结构的多条线以及通过驱动所述显示结构来寻址的像素电极。所述显示装置进一步包括一个或多个有机层，用于在驱动所述像素电极时发射光。触摸屏面板被沉积在设置在所述基板上方的所述一个或多个有机层的上方。所述触摸面板可包括一个或多个层，其具有选自由铜、铝、钛、钼和钨构成的组的材料或由上述材料构成。
[0013]根据本公开内容的一个实施方式，提供了一种显示装置。所述显示装置包括设置在基板上的背板。所述背板包括用于驱动显示结构的多条线以及通过驱动所述显示结构来寻址的像素电极。所述背板包括溅射的铜线，其具有1μm或以上的厚度。所述铜线是通过溅射提供的。
附图说明
[0014]为了能够详细理解本公开内容的上述特征的方式，可以通过参考实施方式对上文简要概述的本公开内容进行更具体的描述，其中一些实施方式在所附的附图中进行了说明。然而，需要注意的是，所附的附图仅说明了本公开内容的典型实施方式，因此不应视为对范围的限制，因为本公开内容可以允许其他同等有效的实施方式。
[0015]图1示意性地示出了根据本公开内容的实施方式的至少具有用于从可旋转的圆柱形靶材或阴极进行水平溅射的沉积设备的处理系统；
[0016]图2A示出了包括根据本文所描述的实施方式的水平溅射阴极阵列的沉积设备的示意性截面图；
[0017]图2B示出了包括根据本文所描述的实施方式的水平溅射阴极阵列的沉积设备的
plate)以及沉积在玻璃板或另一基板板上的一个或多个有机层。在对具有一个或多个有机层的基板上的层进行进一步沉积处理时，基板的温度被有利地控制，以减少或避免所述一个或多个有机层的劣化。
[0032]进一步地，层沉积例如可以针对相当厚的层提供。在基板上沉积厚层，例如用溅射沉积工艺，可能导致沉积层的内在应力。该应力可能导致基板翘曲或隆起，并且可能使装置制造劣化。在沉积层的过程中，可以通过对基板的温度控制来减少待沉积层的内在应力。因此，同样对于这样的应用，基板的温度被有利地控制以减少或避免装置制造的劣化。
[0033]作为另一个可组合的方面，对于静态沉积，可以利用具有圆柱形靶材的可旋转阴极的阵列。具有圆柱形靶材的可旋转阴极可以是有益的，因为靶材的材料利用率提高。改进的材料利用率可能会使得靶材交换的维护周期相当长。即使长的维护周期是有益的，但圆柱形靶材的较长维护周期与具有较短维护周期的其他部件的维护可能会发生冲突。为了利用靶材交换的较长维护周期，同时实现其他部件的较短维护周期，根据本公开内容的实施方式的沉积设备和/或处理系统和改进维护概念是有益本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于在基板处理系统中进行大面积基板处理的沉积设备，包括：真空腔室；可旋转溅射阴极水平阵列，所述可旋转溅射阴极水平阵列被配置成具有圆柱形靶材，所述可旋转溅射阴极水平阵列设置在所述真空腔室中；和基板支撑件，所述基板支撑件在所述真空腔室内、处于所述可旋转溅射阴极水平阵列下方，并且被配置用于使所述可旋转溅射阴极水平阵列向下溅射在所述基板支撑件上的基板上的静态沉积工艺。2.根据权利要求1所述的沉积设备，其中所述基板支撑件包括：基板支撑主体，所述基板支撑主体具有用于支撑所述基板的前侧和与所述前侧相对的后侧；和吸盘组件，所述吸盘组件设置在所述基板支撑主体中或所述基板支撑主体的所述后侧处。3.根据权利要求2所述的沉积设备，其中所述基板支撑件进一步包括：气体导管；多个第一开口，所述多个第一开口在所述基板支撑主体的所述前侧中，连接至所述气体导管。4.根据权利要求2至3中任一项所述的沉积设备，其中所述基板支撑件进一步包括：温度传感器，所述温度传感器被配置成测量基板温度。5.根据权利要求4所述的沉积设备，其中所述温度传感器至少部分地设置在所述基板支撑主体中。6.根据权利要求4至5中任一项所述的沉积设备，进一步包括：气源，所述气源连接至所述气体导管；和控制器，所述控制器连接至所述温度传感器并且连接至所述气源，以基于所述基板温度调节所述气源。7.根据权利要求1至6中任一项所述的沉积设备，其中所述真空腔室包括：源框架段；上盖组件，所述上盖组件在所述源框架段上方并且可从所述源框架段拆卸下来；和基板搬运段，所述基板搬运段在所述源框架段下方，所述基板搬运段具有被配置成装载和卸载基板的第一狭缝开口，所述第一狭缝开口在所述基板搬运段的第一侧处；所述沉积设备进一步包括：源支撑组件，所述源支撑组件设置在所述源框架段内，以支撑所述可旋转溅射阴极水平阵列；基板支撑件，所述基板支撑件在所述基板搬运段内；和致动器，所述致动器耦接至所述基板支撑件，以将所述基板支撑件朝向所述源框架段或所述上盖组件移动，其中所述基板搬运段包括：一个或多个侧壁，所述一个或多个侧壁牢固地耦接至所述源框架段或与所述源框架段一体地形成；和底盖组件，所述底盖组件可从所述一个或多个侧壁拆卸下来。8.根据权利要求7所述的沉积设备，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：克劳斯，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：