提供了一种用于在等离子体辅助处理腔室中将基板偏压的区域的方法和设备。将基板(或基板的区域)偏压增加了在基板与处理腔室中形成的等离子体之间的电位差，从而将来自等离子体的离子加速朝向基板区域的活性表面。在本文中的多个偏压电极以有利于管理跨越...

本文提供了用于静电吸盘的用于升降销接口的方法和设备。在一些实施例中，在静电吸盘中的升降销接口包括：介电板，该介电板具有用于基板的支撑表面；导电板，该导电板设置于该介电板下方且具有穿过该导电板形成的开口，其中该介电板包括延伸进入该导电板中...

公开了在发生处理移位时使用经调整的卡紧电压进行卡紧操作的方法、系统和装置。在一个实施方式中，一种方法包括在处理腔室中对基板进行第一处理操作。第一处理操作包括在基板被支撑在ESC上时，将卡紧电压施加至处理腔室中的静电卡盘(ESC)。所述方...

示例性蚀刻方法可包括使含氧前驱物流入半导体处理腔室的远程等离子体区域，同时激发等离子体以产生氧等离子体流出物。方法可包括使容纳在处理区域中的基板与氧等离子体流出物接触。基板可限定氮化钛的暴露区域。接触可在氮化钛上产生氧化表面。方法可包括...

本发明的实施例大体上关于适于在低温应用中使用的静电吸盘组件。在一个或多个实施例中，静电吸盘组件被提供并且包括：具有与底表面相对的基板支撑表面的静电吸盘；具有顶表面的冷却板，其中冷却板含有具有小于22ppm的CTE的铝合金；以及固定静电吸...

示例性基板处理系统可包括限定转移区域的腔室主体。系统可包含第一盖板，第一盖板沿着第一盖板的第一表面安置在腔室主体上。第一盖板可限定穿过第一盖板的多个孔。系统可以包括多个盖堆叠，多个盖堆叠等于多个孔中的孔的数量。多个盖堆叠可至少部分地限定...

本文提供了用于处理基板的方法和装置。例如，一种用于处理基板的处理腔室，包括腔室主体，腔室主体限定处理体积；射频(RF)功率源，射频(RF)功率源被配置成将RF能量传输至用于处理基板的处理空间；基板支撑件，所述基板支撑件包含电极；AC电源...

本文披露的实施方式包括显影金属氧代光刻胶的方法。在一实施方式中，所述方法包括将具有金属氧代光刻胶的基板提供到真空腔室中，其中所述金属氧代光刻胶包括多个暴露区域和多个未暴露区域。在一实施方式中，所述未暴露区域包括比所述暴露区域更高的碳浓度...

描述了电子装置制造系统、机器人设备及相关联的方法。所述系统、设备及方法被构造成用以从N个基板支撑件(其中N＞2)有效地取回及放置基板。所述机器人设备包括至少N个端效器加上一个端效器(N+1)或加上两个端效器(N+2)，使得机器人能够在单...

一种电光波导调制器装置包括：基板上的种晶层，种晶层具有与种晶层的表面对准的第一结晶学平面；电光通道，在种晶层上沿第一方向延伸并具有与种晶层的表面对准的第二结晶学平面；绝缘层，沿垂直于第一方向的第二方向在基板上的电光通道的两侧上；在电光通...

公开了用于多前体流的半导体处理腔室。示例性半导体处理系统可以包括处理腔室，并且可以包括与所述处理腔室耦合的远程等离子体单元。示例性系统还可以包括与所述远程等离子体单元耦合的适配器。所述适配器可以包括第一端和与所述第一端相对的第二端。所述...

本公开内容的实施例提供了用于在处理期间固定基板的静电卡盘。本公开内容的一些实施例提供了用于增加跨基板的径向轮廓的温度控制的方法和装置。本公开内容的一些实施例提供了用于在高密度等离子体(HDP)工艺期间控制处理的膜中的氢浓度的方法和装置。...

提供了经由化学气相沉积技术进行钛材料的氮化物覆盖的方法及装置。所述方法包括在形成于基板上的钛材料层上形成氮化钛层。通过将钛材料层暴露于富氢的含氮等离子体，随后将钛材料层暴露于富氮的含氮等离子体来形成氮化钛层。然后将氮化钛层暴露于氩等离子...

本文中所公开的实施方式包括基板处理模块及移动工件的方法。基板处理模块包括遮件堆叠及两个处理站。遮件堆叠设置在处理站之间。移动工件的方法包括以下步骤：在第一方向上将支撑部分从第一位置移动到遮件堆叠，从遮件堆叠取回工件，及将支撑部分移动至第...

本文公开的实施例包含切割包括多个集成电路的晶片的方法。在实施例中，方法包括在半导体晶片上方形成掩模，并且通过第一激光处理将掩模和半导体晶片图案化。方法可进一步包括通过第二激光处理将掩模和半导体晶片图案化，其中第二激光处理与第一激光处理不...

本文公开的实施方式包括一种模块化微波源阵列。在一实施方式中，用于源阵列的外壳组件包含第一导电层，其中第一导电层包含第一热膨胀系数(CTE)；和第二导电层，在第一导电层上方，其中第二导电层包含不同于第一CTE的第二CTE。在一实施方式中，...

提供了一种用于基板测量子系统的方法。接收正在制造系统处处理的基板已经被装载到基板测量子系统中的指示。确定该基板测量子系统内的该基板的第一位置数据。基于该基板的该第一位置数据及用于该基板的工艺配方来确定要由该基板测量子系统的一个或多个感测...

描述了一种用于将蒸发的材料导引至基板的喷嘴组件。喷嘴组件包括多个喷嘴，多个喷嘴中的一个或多个喷嘴包括：具有第一端和第二端的第一喷嘴区段，第一喷嘴区段包括位于第二端的蒸气出口，和位于蒸气出口或靠近蒸气出口的孔口，孔口具有孔口直径。孔口具有...

本公开内容的实施方式总体涉及通过去除腐蚀部和沉积保护涂层来翻新航空部件的方法。在一个或多个实施方式中，一种航空部件的翻新方法包括将包含腐蚀部的航空部件暴露于水性清洁溶液。所述航空部件包括镍超合金、设置在所述镍超合金上的铝化物层和设置在所...

基板处理系统包括耦接到基于真空的主机的装备前端模块(EFEM)，EFEM包含多个接口开口。该系统进一步包含批量脱气腔室，该批量脱气腔室在多个接口开口中的一个接口开口处附接到EFEM。该批量脱气腔室包括密封到EFEM的该接口开口的壳体。在...