化学机械抛光装置包括：工作台，该工作台用于支撑抛光垫；承载头，该承载头用于将基板的表面固持抵靠在抛光垫上；电机，该电机用于生成工作台与承载头之间的相对运动，以便抛光基板上的上覆层；原位声学监控系统；以及控制器。在一些实现中，原位声学监控...

一种抛光系统，包括：抛光站，包括用以支撑抛光垫的压板；支撑件，用以保持基板；直列计量站，用以在抛光站中抛光基板的表面之前或之后测量基板；及控制器。直列计量站包括彩色线扫描相机；白光源；框架，支撑光源和相机；及马达，用以沿垂直于第一轴线的...

示例性基板处理系统可以包括限定传送区域的腔室主体。所述系统可包括安置在腔室主体上的盖板。盖板可限定穿过盖板的第一多个孔和穿过盖板的第二多个孔。所述系统可包括与穿过盖板限定的第一多个孔中的孔数量相等的多个盖堆叠。多个盖堆叠中的每个盖堆叠可...

示例性蚀刻方法可包括：使含卤素前驱物流动至半导体处理腔室的远程等离子体区域中同时激发等离子体以产生等离子体流出物。方法可包括：使容纳于处理区域中的基板接触等离子体流出物。基板可限定氧化钨的暴露区域。接触可产生氟氧化钨材料。方法可包括：使...

本文提供的实施方式一般关于修改层堆叠物的部分的方法。方法包含以下步骤：形成深沟槽和窄沟槽，使得在层之间实现期望的低压降。形成深沟槽的方法包含以下步骤：蚀刻可流动电介质的部分，使得深金属触点设置在深沟槽下方。选择性地蚀刻深沟槽以形成修改的...

本发明提供用于在外延腔室中处理半导体基板的方法和设备，所述方法和设备被构造成用以针对基板和内部腔室部件两者来映射温度分布。在一个实施方式中，半导体处理腔室具有主体，该主体具有界定内部空间的天花板和下部分。基板支撑件设置于该内部空间中。安...

本公开内容的实施方式一般涉及清洁基板表面的方法及系统。在一个实施方式中，提供处理基板的方法。此方法包括通过将基板定位在基板支撑件上将基板引进至处理腔室的处理空间。此方法进一步包括将第一处理气体流入处理空间中，第一处理气体包括HF，将第二...

示例性蚀刻方法可包括使含氧前驱物流入半导体处理腔室的处理区域中。所述方法可包括：使容纳在处理区域中的基板与含氧前驱物接触。基板可包括暴露的钌区域，并且所述接触可产生四氧化钌。所述方法可包括：使四氧化钌从暴露的钌区域的表面汽化。可保留一定...

示例性支撑组件可包括顶部圆盘，其特征在于第一表面和与第一表面相对的第二表面。顶部圆盘可在顶部圆盘的第一表面的外边缘处界定凹陷凸缘。所述组件可包括冷却板，所述冷却板相邻顶部圆盘的第二表面而与顶部圆盘耦合。所述组件可包括围绕顶部圆盘的外部而...

提供了一种用于在真空处理系统中移动装置(110)的驱动单元(120)。所述驱动单元包括：一个或多个电磁体(124)，所述一个或多个电磁体具有一个或多个线圈(126)；以及外壳(122)。所述一个或多个电磁体布置在所述外壳内。所述外壳进一...

一种制造静电卡盘的方法，包括抛光静电卡盘的陶瓷主体的表面，以产生抛光表面，并将陶瓷涂层沉积到所述陶瓷主体的所述抛光表面上，以产生经涂布的陶瓷主体。所述方法进一步包括在所述经涂布的陶瓷主体之上设置掩模，所述掩模包括多个椭圆形孔，并通过所述...

一种制造静电卡盘的方法，包括抛光静电卡盘的陶瓷主体的表面，以产生抛光表面，并将陶瓷涂层沉积到所述陶瓷主体的所述抛光表面上，以产生经涂布的陶瓷主体。所述方法进一步包括在所述经涂布的陶瓷主体之上设置掩模，所述掩模包括多个椭圆形孔，并通过所述...

本文描述的实施方式一般涉及并入小热质量的处理腔室，所述腔室能够实现针对超临界干燥工艺的有效温度循环。所述腔室一般包含：主体、衬垫和隔离元件，所述隔离元件能够实现使衬垫展现出相对于主体的小热质量。所述腔室还构造有用于在腔室的处理容积内产生...

本公开内容的实施方式涉及基板的热处理。更具体而言，在此所描述的实施方式涉及闪光尖峰退火处理及适合执行这种处理的设备。在一个实施方式中，热处理设备可包括灯辐射源、激光源及设置在灯辐射源与激光源之间的反射板。一或更多个孔可形成于反射板中，且...

一种电镀系统，具有容器组件，保持电解质。位于容器组件中的堰取样电极组件包括气室，位于堰框架的内侧。气室分成至少第一、第二和第三虚拟取样电极部。穿过堰框架的数个分隔的开口是通往气室。堰环附接于堰框架和在电镀期间导引电流的流动。电镀系统是提...

一种用于将基板相对于基板支撑件定位的浮动销，包括被配置为移动通过基板支撑件中的导引孔的轴部，以及包括顶部表面及设置在该顶部表面与该轴部之间的平坦肩部表面的销头。该平坦肩部表面被配置为座设在该基板支撑件的凹入表面上且密封该基板支撑件的该导...

公开一种用于在热处理腔室内加热基板的设备。该设备包括腔室主体、气体进口、气体出口、上窗、下窗、基板支撑件和上部加热装置。上部加热装置是激光加热装置，并且包括一个或多个激光组件。激光组件包括光源、冷却板、光纤和照射窗。照射窗。照射窗。

本公开内容提供了一种气体分配组件，所述气体分配组件包括框架，所述框架具有第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分彼此平行且相对。歧管被设置成与所述第一部分和所述第二部分平行并在所述第一部分与所述第二部分之间。每个歧管具有第一面和第...

描述了气体分配组件和包括气体分配组件的处理腔室。气体分配组件包括气体分配板、盖、和主要O形环。将主要O形环放置于气体分配板的第一接触表面的净化通道和第二接触表面之间。描述了使用公开的气体分配组件密封处理腔室的方法。的方法。的方法。

提供批处理腔室及在批处理腔室中使用的处理配件。处理配件包括外衬垫、内衬垫、及顶板与底板，外衬垫具有上外衬垫与下外衬垫，顶板与底板附接于内衬垫的内表面。顶板与底板和内衬垫一起形成围护件，并且在围护件内设置盒。包括隔板的盒被构造成用以在隔板...