电镀系统技术方案

一种电镀系统，具有容器组件，保持电解质。位于容器组件中的堰取样电极组件包括气室，位于堰框架的内侧。气室分成至少第一、第二和第三虚拟取样电极部。穿过堰框架的数个分隔的开口是通往气室。堰环附接于堰框架和在电镀期间导引电流的流动。电镀系统是提供确定的径向和周向电流密度控制的工艺，和不需在设置期间改变硬件部件。变硬件部件。变硬件部件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电镀系统
[0001]专利技术背景
[0002]微电子装置于晶片或工件上和/或中制造，微电子装置例如是半导体装置。一般的晶片电镀工艺包含通过气相沉积来于晶片的表面上沉积金属种晶层。光阻剂可被沉积和图案化，以暴露出种晶层。晶片接着移动至电镀处理器的容器(vessel)中，其中电流被导引通过电解质而到达晶片，以提供金属或其他导电材料的毯覆层(blanket layer)或图案层于种晶层上。导电材料的例子包括坡莫合金(permalloy)、金、银、铜、钴、锡、镍、和这些金属的合金。后续的处理步骤是于晶片上形成组件、接触件和/或导线。
[0003]在许多或大部分的应用中，金属的电镀膜或层在整个晶片或工件具有均匀的厚度是相当重要的。一些电镀处理器使用电流取样(current thief)，电流取样是具有与于晶片相同的极性的电极。电流取样是借由从晶片的边缘汲取(drawing)电流来进行操作。此举有助于保持在晶片的边缘的电镀厚度以及晶片的剩余部分之上的电镀厚度更加均匀。电流取样可以是靠近晶片的边缘的实体电极。或者，电流取样可以是虚拟电流取样，其中实体电极远离晶片。在此设计中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电镀系统，包括：容器组件，用以保持电解质；堰取样电极组件，位于所述容器组件中，所述堰取样电极组件包括气室，所述气室位于堰框架的内侧，所述堰取样电极组件分成至少第一虚拟取样电极部和第二虚拟取样电极部；多个分隔的开口，穿过所述堰框架至所述气室中；和堰环，附接于所述堰框架。2.如权利要求1所述的电镀系统，其中所述堰框架进一步包括角形剖面，所述角形剖面从所述堰环朝向平剖面延伸，且所述多个分隔的开口位于所述平剖面中。3.如权利要求2所述的电镀系统，进一步包括柱状堰唇，所述柱状堰唇位于所述堰框架上，所述平剖面垂直于所述堰环，且所述多个开口集中于直径上，所述直径大于所述堰环的内直径。4.如权利要求1所述的电镀系统，进一步包括第一实体取样电极和第二实体取样电极，所述第一实体取样电极和所述第二实体取样电极分别与所述第一虚拟取样电极部和所述第二虚拟取样电极部保有电连续性，所述第一实体取样电极和所述第二实体取样电极分别电连接于第一独立可控制电供应源和第二独立可控制电供应源。5.如权利要求4所述的电镀系统，其中所述容器组件包括容器框架，且所述第一实体取样电极和所述第二实体取样电极是支撑于所述堰环的下方的垂直位置的所述容器框架上。6.如权利要求4所述的电镀系统，其中所述虚拟取样电极组件进一步包括第三虚拟取样电极部和第四虚拟取样电极部，第三实体取样电极和第四实体取样电极分别与所述第三虚拟取样电极部和所述第四虚拟取样电极部保有电连续性，所述第三实体取样电极和所述第四实体取样电极分别电连接于第三独立可控制电供应源和第四独立可控制电供应源，所述第四虚拟取样电极部对着1至15度的角度。7.如权利要求6所述的电镀系统，进一步包括位于所述容器组件中的第一取样通道、第二取样通道、第三取样通道和第四取样通道，所述第一取样通道、所述第二取样通道、所述第三取样通道和所述第四取样通道分别自第一腔室、第二腔室、第三腔室和第四腔室延伸至所述气室，所述第一腔室、所述第二腔室、所述第三腔室和所述第四腔室包含所述第一实体取样电极、所述第二实体取样电极、所述第三实体取样电极和所述第四实体取样电极。8.如权利要求7的电镀系统，进一步包括取样通道膜，所述取样通道膜位于各取样通道中，腔室包含位于各取样通道膜的下方的第二电解质，在各腔室中的所述第二电解质接触所述实体取样电极的一个电极。9.如权利要求6所述的电镀系统，其中所述容器组件包括电解质容器和桨，所述电解质容器位于所述堰取样电极组件的下方，所述桨位于所述容器中，所述桨附接于桨致动器，用以搅动所述电解质。10.如权利要求6所...

【专利技术属性】
技术研发人员：保罗，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：