提供批处理腔室及在批处理腔室中使用的处理配件。处理配件包括外衬垫、内衬垫、及顶板与底板，外衬垫具有上外衬垫与下外衬垫，顶板与底板附接于内衬垫的内表面。顶板与底板和内衬垫一起形成围护件，并且在围护件内设置盒。包括隔板的盒被构造成用以在隔板...

一种蚀刻硬掩模层的方法，包括在包含含金属材料的硬掩模层上形成包含有机金属材料的光刻胶层，通过具有选定图案的掩模将光刻胶层暴露于紫外线辐射，去除光刻胶层的未照射区域以图案化光刻胶层，在经图案化的光刻胶层的顶表面上选择性地形成包含含碳材料的...

本文描述了一种用于生产气体分配设备的方法和设备。更特定地，本文描述了用于生产三通道气体分配设备的方法和设备。本文描述的气体分配设备包括上板、中板、和下板。在上板、中板、和下板全部结合之前，对中板和下板进行加工。接着在气体分配设备上实行附...

一种方法包括接收包括原始表面的金属部件，此原始表面包括金属基底、设置在此金属基底上的第一本征氧化物和设置在此金属基底上的烃。此方法进一步包括对此金属部件的此原始表面进行加工，以自此金属基底移除此第一本征氧化物和移除此烃的第一部分。此加工...

本文描述了一种用于校正处理腔室内的非接触式温度传感器的方法及装置。非接触式温度传感器的校正包括利用带边检测器来确定基板的带边吸收波长。带边检测器被配置为测量波长范围的强度，并基于基板的带边吸收波长及材料确定基板的实际温度。该校正方法是自...

本公开内容的多个实施方式一般涉及致密纳米压印膜和用于制作这些致密纳米压印膜的工艺，和含有致密纳米压印膜的光学装置。在一个或多个实施方式中，致密纳米压印膜含有基底纳米压印膜和设置在基底纳米压印膜上和纳米颗粒之间的金属氧化物。基底纳米压印膜...

一种有机发光二极管(OLED)沉积系统，包括两个沉积腔室、位于两个沉积腔室之间的传送腔室、具有一个或多个传感器以用于对传送腔室内的工件执行测量的计量系统、及用于使系统在工件上形成有机发光二极管层堆叠的控制系统。在工件在两个沉积腔室之间传...

一种真空处理设备(400)，包括：真空腔室(410)，所述真空腔室具有腔室壁部分(202)；灯(100)，所述灯(100)包括灯主体(102)，所述灯主体具有设置在所述真空腔室(410)内的第一密封内部部分(124)、密封部分(120)...

本公开内容的方面涉及用于校正光刻系统的方法和设备。在一个实施方式中，一种操作光刻系统的方法，包含：使用光学模块将第一光束导向第一基板的反射面。方法包括将通过至少一个物镜收集的第一光束导向摄影机，并拍摄第一光束的多个第一图像。方法包含使用...

本申请公开了利用浮动边缘控制的抛光承载头。一种用于在抛光系统中固持基板的承载头包括：壳体；环形主体，通过致动器相对于壳体是竖直地可移动的；第一环形隔膜，经固定以在环形主体下方移动，从而在第一环形隔膜与环形主体之间形成至少一个下可加压腔室...

在一个示例中，一种分选单元包括分选系统和多个料箱，基板分选到所述料箱中。分选单元包括料箱搬运装置，料箱搬运装置具有用于接收多个料箱中的一个料箱的第一终端受动器和用于将空的料箱安置于所接收的料箱的先前位置中的第二终端受动器。在一个示例中，...

用于控制处理腔室中的部件的温度的方法与设备，所述处理腔室中的所述部件由等离子体或加热器加热并且由通过热交换器的冷却剂流冷却。例如，一种设备可以包括：包含相应冷却板的吸盘组件和/或等离子体源；比例式旁通阀，所述比例式旁通阀连接在相应冷却板...

本文描述的实施方式大体涉及提供一种刷子、形成刷子的方法、和嵌入用于设计程序的机器可读介质的结构。刷子包括主体和配置为穿过主体中的孔递送清洁液体的通道。方法使用3D印刷形成刷子。结构提供用于制成刷子的细节。本文的公开内容允许不需要移除活性...

示例性的蚀刻方法可包括使含氟前驱物及含氢前驱物流至半导体处理腔室的远程等离子体区域中。可使含氢前驱物以相对于含氟前驱物的流动速率至少2:1的流动速率流动。方法可包括形成含氟前驱物及含氢前驱物的等离子体以产生等离子体流出物。方法可包括使等...

本文中公开了用于执行预测建模以识别用于制造工艺的输入的技术。示例方法可以包括以下步骤：接收用于制造工艺的预期输出数据，其中该预期输出数据定义该制造工艺的输出的属性；访问对该制造工艺进行建模的多个机器学习模型；使用第一机器学习模型基于用于...

本文中所公开的是用于执行基于模拟的优化以识别用于制造工具的调度的技术。示例方法可以包括以下步骤：通过处理装置确定制造工具的资源，其中这些资源包含第一腔室和第二腔室；访问指示第一制造任务和第二制造任务的任务数据；确定用于使用第一腔室执行第...

公开了远紫外(EUV)掩模坯料、远紫外掩模坯料制造方法和生产系统。EUV掩模坯料包括基板；基板上的反射层的多层堆叠物；反射层的多层堆叠物上的覆盖层；和覆盖层上的吸收剂层，吸收剂层由碳和锑制成。吸收剂层由碳和锑制成。吸收剂层由碳和锑制成。

一种用于处理腔室中的处理套组，该处理套组包括：外衬套；内衬套，被配置为与处理腔室的气体注入组件及气体排放组件流体连通；第一环形反射器，设置在该外衬套与该内衬套之间；顶板及底板，附接于该内衬套的内表面，该顶板及底板与内衬套一起形成外壳；盒...

示例性的蚀刻方法可包括使含卤素前驱物流至半导体处理腔室的基板处理区域中。含卤素前驱物的特征可在于气体密度大于或约为5g/L。方法可包括用含卤素前驱物接触基板处理区域中容纳的基板。基板可界定含卤素材料的暴露区域。接触可产生卤化铝材料。方法...

本公开内容的多个实施方式一般涉及光学致密的纳米压印膜和用于制作这些光学致密的纳米压印膜的工艺，以及含有光学致密的纳米压印膜的光学装置。在一个或多个实施方式中，一种形成纳米压印膜的方法包括将含有多孔纳米压印膜的基板定位在处理腔室内，其中多...