【技术实现步骤摘要】
用于在抛光系统中固持基板的承载头
[0001]本公开总体上涉及化学机械抛光,并且更具体地涉及对基板边缘附近的抛光速率的控制。
技术介绍
[0002]集成电路典型地在硅晶片上通过顺序地沉积导电层、半导电层或绝缘层并通过对这些层的后续处理而被形成在基板(例如,半导体晶片)上。
[0003]一个制造步骤涉及在非平面表面上沉积填料层并使该填料层平面化。对于某些应用,填料层被平面化,直到经图案化的层的定表面被保留或期望的厚度保留在下方的层上方。此外,平面化可用于使例如电介质层的基板表面平面化以用于光刻。
[0004]化学机械抛光(CMP)是一种所接受的平面化方法。该平面化方法典型地要求基板被安装在承载头上。基板的被暴露的表面抵靠旋转的抛光垫而放置。承载头提供基板上的可控负载,从而将其推到抵靠抛光垫。在一些抛光机器中,承载头包括形成多个独立地可加压的径向同心的腔室的隔膜,其中,每个腔室中的压力控制基板上的每个对应区域中的抛光速率。抛光液,诸如具有研磨颗粒的浆料,被供应到抛光垫的表面。
技术实现思路
[0005 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于在抛光系统中固持基板的承载头,其特征在于,所述承载头包括:壳体;环形主体,所述环形主体通过致动器相对于所述壳体是竖直地可移动的,所述环形主体包括上部以及从所述上部向下伸出的至少一个下杆;第一环形隔膜,经固定以在所述环形主体下方延伸,从而在所述第一环形隔膜与所述环形主体之间形成至少一个下可加压腔室,其中,所述至少一个下杆位于所述至少一个下可加压腔室内部;以及至少一个压力供应线,连接至所述至少一个下可加压腔室。2.如权利要求1所述的承载头,其中所述致动器包括所述壳体与所述环形主体之间的可加压囊袋。3.如权利要求2所述的承载头,其中所述可加压囊袋的底表面包括环形凹槽,并且所述环形主体包括延伸到所述环形凹槽中的环形上杆。4.如权利要求3所述的承载头,其中所述可加压囊袋的底表面配置成向下将压力施加在所述环形主体的所述环形上杆上。5.如权利要求2所述的承载头,其中所述第一环形隔膜的底表面配置成在加载面积中将压力施加至所述基板,所述加载面积包括由所述囊袋中的压力和所述至少一个下可加压腔室中的压力所控制的尺寸。6.如权利要求1所述的承载头,其中所述环形主体包括用于接合所述致动器的上部以及固定至所述上部以限定第一腔室的第二环形隔膜,其中,所述至少一个下杆固定至所述第二环形隔膜的底部,并且其中,所述第二环形隔膜配置成响应于所述第一腔室中的压力增加而向下变形,以使所述至少一个下杆向下位移,从而接触所述第一环形隔膜的顶表面并将力施加在所述第一环形隔膜的顶表面上。7.如权利要求6所述的承载头,其中所述致动器包括可加压囊袋,并且其中,上杆从所述第二环形隔膜的顶表面垂直向上伸出到所述囊袋中。8.如权利要求6所述的承载头,其中当所述第一腔室中的压力增加时,所述至少一个下杆不与所述第一环形隔膜的所述顶表面接触。9.如权利要求6所述的承载头,其中所述至少一个下杆包括固定至所述环形主体的边缘的第一下杆以及固定至所述第二环形隔膜的底部的第二下杆。10.如权利要求9所述的承载头,其中所述第一下杆包括向下伸出的凸缘。11.如权利要求1所述的承载头,其中所述至少一个下可加压腔室包括两个腔室,其中,所述两个腔室中的每个腔室通过所述多个压力供应线中的一个压力供应线被连接至相应的压力供应。12.如权利要求1所述的承载头,其中所述至少一个下杆包括向内伸出的凸缘。13.如权利...
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