本公开内容的实施方式涉及用于运输载体的磁悬浮系统、用于运输载体的磁悬浮系统的基部结构以及真空沉积系统。所述磁悬浮系统(100)包括：基部结构(20)；载体(10)，所述载体在载体运输空间(55)中沿所述基部结构(20)是可移动的；和悬浮...

一种化学机械抛光设备，包括：用于保持抛光垫的可旋转工作台；在抛光工艺期间将基板保持抵靠在抛光垫的抛光表面上的载体；以及包括加热的流体或冷却剂流体的源以及充气室的温度控制系统，充气室具有定位在工作台之上并与抛光垫分开的多个开口以用于将流体...

提供了存储器器件及制造存储器器件的方法。描述了器件及方法，其中三维间距倍增将高深宽比蚀刻宽度从单元宽度去耦，从而产生小单元有源区域间距以允许小DRAM裸片尺寸。元有源区域间距以允许小DRAM裸片尺寸。元有源区域间距以允许小DRAM裸片尺寸。

本公开内容的实施方式大体上关于一种用于当使用加热的基板支撑件时改善膜厚度基板的设备。公开了一种用以放置在加热的基板支撑件的顶表面上方的盖板。盖板包括形成在盖板中间用于放置基板的腔穴。盖板可包括各种特征，包括多个凹坑、多个径向设置的凹槽、...

公开了远紫外(EUV)掩模坯料、远紫外(EUV)掩模坯料制造方法及其生产系统。EUV掩模坯料包括基板；基板上的反射层的多层堆叠物；反射层的多层堆叠物上的覆盖层；和覆盖层上的吸收剂。吸收剂包括多个双层，双层包括硅的第一层和选自下方群组的第...

本文公开了一种用于形成碳硬模以改善沉积均匀性和蚀刻选择性的方法和设备。碳硬模可在PECVD处理腔室中形成，并且碳硬模是掺杂氮的碳硬模。使用含氮气体、含氩气体和碳氢化合物气体来形成掺杂氮的碳硬模。物气体来形成掺杂氮的碳硬模。物气体来形成掺...

示例性半导体处理腔室可包括喷头。腔室可包括基座，该基座被配置为支撑半导体基板，其中喷头及基座至少部分地限定半导体腔室内的处理区域。该腔室可包括间隔件，该间隔件的特征为与该喷头接触的第一表面及与该第一表面相对的第二表面。该腔室可包括泵送衬...

设备和方法使用独特的处理配件来保护处理腔室的处理空间。处理配件包括：具有框架的屏蔽件，框架被构造成可插入屏蔽件；以及箔衬垫，由金属材料构成，箔衬垫可在确定点处附接到框架。确定的附接点间隔开以产生基于金属材料的延展性的一定柔性量。柔性量的...

本文提供用于在工艺腔室中使用的工艺套件。在一些实施例中，一种用于在工艺腔室中使用的工艺套件，包括：顶板，具有设置在所述顶板的上部表面中的中央凹槽；通道，从顶板的外部部分延伸至中央凹槽；多个孔洞，通过顶板设置，从中央凹槽的底部表面至顶板的...

提供用于操作具有至少一个电负载的腔室的方法，电负载具有至少一个暴露于腔室中变化压强条件的电压承载部分。该方法包括：当腔室中的压强在临界压强范围(301)之外时，向腔室中布置的至少一个电负载供给不超过最大电压(U1)的标称范围内的电压，临...

说明一种用于减少在基板(150)上污染分子的沉积的设备(100)，基板(150)定位于真空腔室(140)中在台(142)上。台(142)至少具有第一尺寸。设备包括照明模块(110)，从第一侧面向台(142)，且沿着第一尺寸的至少80％延...

提供了一种适于处理多个基板的用于处理系统的传送腔室及其使用方法。所述传送腔室包括：盖；底部，与所述盖相对地设置；多个侧壁，将所述盖密封地耦接到所述底部并限定内部容积，其中所述多个侧壁形成十二边形的面。开口形成在所述面中的每个面中，其中所...

示例性基板处理系统可以包括多个处理区域。所述系统可以包括限定与多个处理区域流体耦合的转移区域的转移区域外壳。所述系统可以包括多个基板支撑件，并且多个基板支撑件中的每个基板支撑件可以在转移区域与多个处理区域中的相关联的处理区域之间垂直平移...

示例性半导体处理腔室可包括腔室主体。腔室可包括喷头。腔室可包括基板支撑件。基板支撑件可包括平台，平台由面向喷头的第一表面表征。基板支撑件可包括轴，轴沿着与平台的第一表面相对的平台的第二表面与平台耦接。轴可至少部分地延伸穿过腔室主体。涂层...

描述了一种用于材料沉积的设备。所述设备包括：真空腔室，所述真空腔室具有至少第一壁；支撑主体，所述支撑主体用于将基板保持在所述真空腔室内；第一致动器组件，所述第一致动器组件耦接到所述支撑主体并被配置用于所述支撑主体在第一位置与第二位置之间...

描述了一种用于材料沉积的设备。该设备包括：具有处理区域的真空腔室；支撑主体，用于将基板保持在该真空腔室内；和掩模系统，被构造为用以遮蔽被支撑在该支撑主体上的该基板。该设备进一步包括：在所述真空腔室内的可移动屏蔽组件；和在所述真空腔室内的...

用于执行成像反射测量的方法包括：使用包括特定结构的测量区域的多个影像及/或使用各自与测量区域内的特定结构相关联的多个像素，来确定代表反射强度值。使用代表反射强度值来确定与特定结构相关联的参数。确定与特定结构相关联的参数。确定与特定结构相...

公开了一种晶片处理系统、一种双闸门系统以及用于操作这些系统的方法。双闸门系统可以具有第一闸门、第二闸门、耦接至第一闸门和第二闸门的闸门连接器、以及耦接至该闸门连接器的致动器。致动器被配置为经由垂直移动使第一闸门密封在第一狭槽上，或打开第...

公开了极紫外(EUV)掩模坯料、其制造方法和用于其的生产系统。EUV掩模坯料包含：基板；反射层的多层堆叠，在基板上；覆盖层，在反射层的多层堆叠上；及吸收体，在覆盖层上。吸收体包含第一层及第二层，第一层选自由以下所组成的群组：Mo、Nb、...

描述了一种用于使用多电子束检测系统(100)检测样品的方法。该方法包含：将样品放置于在X