本公开内容的某些方面提供了用于通过等离子体频谱在动态等离子体提升条件下进行过程控制和监控的技术、系统和方法。在一些情况下，在给定腔室的等离子体提升条件期间收集多轮改变的等离子体强度数据，并且求出代表该改变的等离子体强度数据的统计值。根据...

本文提供了一种电镀系统，该电镀系统可包括电镀腔室。这些系统也可包括与所述电镀腔室流体耦接的补给组件。所述补给组件可包括容纳阳极材料的第一隔室。所述第一隔室可包括在其中容纳有所述阳极材料的第一隔室区段和通过间隔物与所述第一隔室区段分离的第...

本文描述的实施方式涉及用于进行浸没场引导的曝光后烘烤工艺的方法和设备。本文描述的设备的实施方式包括界定处理容积的腔室主体。电极可被设置为与处理容积相邻，并且经由多个流体导管而将处理流体提供到处理容积以促进浸没场引导的曝光后烘烤工艺。亦提...

本文的多个实施方式提供了使用可流动化学气相沉积(FCVD)处理而沉积的低k介电层的基于氧的处理。FCVD沉积的低k介电层的基于氧的处理期望地增加了Ebd到装置的电容和可靠性，同时移除了孔隙。多个实施方式包括用于制造半导体装置的方法和设备...

用于减少远程等离子体源(RPS)中的粒子产生的方法和设备，包括RPS，RPS具有第一等离子体源，第一等离子体源具有第一电极和第二电极，其中第一电极和第二电极关于中空腔对称，第一电极和第二电极经配置以在中空腔内引发中空阴极效应，并且其中R...

公开了一种狭缝阀设备及一种用于控制狭缝阀的方法。狭缝阀设备包括狭缝阀组件及与狭缝阀组件通信的伺服控制系统。狭缝阀组件包括能够在打开位置与关闭位置之间转换的至少一个闸门、至少一个气动致动器、包括有多个控制器的至少一个比例气动阀、及连续位置...

示例性半导体处理腔室可包括基板支撑件，基板支撑件定位在半导体处理室的处理区域内。腔室可包括盖板。腔室可包括定位在盖板和基板支撑件之间的气箱。气箱的特征可在于第一表面和与第一表面相对的第二表面。气箱可以限定中心孔。气箱可在气箱的第一表面中...

本申请公开了基板载体和包括基板载体的抛光系统。本文描述了一种基板载体，所述基板载体被配置为附接至用于抛光基板的抛光系统。所述基板载体包括：包括多个负载耦接件的壳体以及耦接到所述壳体的扣环。所述扣环可包括：具有中心轴的环形主体；面向环形主...

本发明提供了存储器器件及制造存储器器件的方法。描述了一种等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法以形成具有超过50层的存储器单元膜堆叠，作为3D

用于执行成像反射测量的方法包括：使用具有第一峰值波长的输入射束照射样品上的测量区域；及使用所述输入射束的从所述样品反射的部分获得所述测量区域的多个影像。为这些影像的每个影像中的多个像素的每个像素确定反射强度值。使用反射强度值来确定与特定...

本文公开一种保护性涂层组成物，在经涂覆的物件(诸如腔室部件)暴露于恶劣化学性环境(诸如氢基和/或卤素基环境)和/或在经涂覆的物件(诸如腔室部件)暴露于高能量等离子体时，所述保护性涂层组成物为所述物件提供抗腐蚀性和抗冲蚀性。本文还描述了一...

一种清洁用于电子制造系统的腔室的方法包括使包含氧气和载气的气体混合物流入远程等离子体产生器中。方法进一步包括通过远程等离子体产生器由气体混合物产生等离子体并且通过使等离子体流入腔室的内部体积中来执行腔室的远程等离子体清洁，其中等离子体从...

本公开内容提供当存在包括子像素交叉扫描振动的交叉扫描振动时，用于校正从空间光调制器(SLM)到基板的图像的投射的方法和系统。这些方法和系统包括：偏移相对于基板上的横向扫描行进方向旋转的SLM上的掩模图案，沿着SLM的轴偏移以对交叉扫描振...

本发明涉及一种通过在化学气相沉积方法中使用二甲基二氯硅烷(DMS)作为硅烷源在石墨基板上沉积碳化硅(SiC)来制造涂覆SiC的主体的新的工艺。本发明的另一方面涉及可通过本发明的新的工艺获得的新的涂覆碳化硅的主体，以及涉及所述涂覆碳化硅的...

本文公开的示例涉及用于检查灯尺寸的方法和设备。方法包括确定灯的实际测量结果。灯被配置为在基板处理设备中加热基板。产生具有宽度和高度的窗口。窗口基于灯的目标测量结果。方法进一步包括：基于实际测量结果的图像与窗口之间的差产生偏差。将偏差与第...

一种非暂态计算机可读储存介质储存指令，所述指令在由诊断服务器的处理装置执行时使此处理装置执行某些操作。所述操作包括从处理腔室接收(i)组合信号的测量值，所述组合信号基于将交流信号波注入至处理腔室的控制器的第一输出信号上，及(ii)结合来...

本文提供用于形成穿过基板的孔的方法及装置。在某些实施例中，一种在处理腔室中使用的基板中形成孔的方法包括：使用第一钻机在基板中部分地形成多个孔，以从基板的第一侧至基板的相对第二侧形成穿过基板的多个粗略孔；将基板定位于第二钻机与第三钻机之间...

一种示例性基板支撑组件可包括限定基板支撑表面的静电夹盘主体。支撑组件可包括与静电夹盘主体耦合的支撑杆。支撑组件可包括电极，所述电极靠近基板支撑表面嵌入在静电夹盘主体内。支撑组件可包括嵌入在静电夹盘主体内的接地电极。支撑组件可包括形成在电...

本文公开无氢(低H)二氧化硅层。一些实施例提供用于使用无氢的硅前驱物和无氢的氧源来形成低H层的方法。一些实施例提供用于调节低H二氧化硅膜的应力轮廓的方法。进一步，本公开内容的一些实施例提供在退火之后展现减少的堆叠弓曲的氧化物氮化物堆叠。...

一种载体，包括刚性主体与多个紧固件，刚性主体形成多个开口，多个紧固件被配置成经由多个开口可移除地附接到刚性主体。第一组指状物被配置为经由多个紧固件和多个开口可移除地附接到刚性主体。第一组指状物被配置为在载体在基板处理系统内的第一运输期间...