具有内部通道的半导体基板支撑件制造技术

一种示例性基板支撑组件可包括限定基板支撑表面的静电夹盘主体。支撑组件可包括与静电夹盘主体耦合的支撑杆。支撑组件可包括电极，所述电极靠近基板支撑表面嵌入在静电夹盘主体内。支撑组件可包括嵌入在静电夹盘主体内的接地电极。支撑组件可包括形成在电极与接地电极之间的静电夹盘主体内的一个或多个通道。电极之间的静电夹盘主体内的一个或多个通道。电极之间的静电夹盘主体内的一个或多个通道。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有内部通道的半导体基板支撑件
相关申请的交互引用
[0001]本申请案要求于2020年4月9日提交的题为“SEMICONDUCTOR SUBSTRATE SUPPORT WITH INTERNAL CHANNELS(具有内部通道的半导体基板支撑件)”的美国专利申请第16/844,134号的权益和优先权，所述申请通过引用以其整体结合于此。


[0002]本技术关于用于半导体制造的部件和设备。更具体地，本技术关于基板支撑组件和其他半导体处理装备。

技术介绍

[0003]通过在基板表面上产生复杂图案化的材料层的工艺，使得集成电路成为可能。在基板上产生图案化材料需要用于形成和移除材料的受控方法。基板支撑件可在半导体处理中扮演重要的角色，具有关于为处理腔室内用于等离子体形成的嵌入式电极提供用于基板的温度控制的各方面。协调半导体基板支撑件的许多相关方面可能涉及竞争特性和材料。随着制造结果对处理条件变得更加敏感，基板支撑件的各个方面可能对许多处理特性产生重大影响。
[0004]因此，存在对可用于生产高质量器件和结构的改进的系统和方法的需求。这些和其他需求通过本技术解决。

技术实现思路

[0005]示例性基板支撑组件可包括限定基板支撑表面的静电夹盘主体。支撑组件可包括与静电夹盘主体耦合的支撑杆。支撑组件可包括电极，所述电极靠近基板支撑表面嵌入在静电夹盘主体内。支撑组件可包括嵌入在静电夹盘主体内的接地电极。支撑组件可包括形成在电极与接地电极之间的静电夹盘主体内的一个或多个通道。
[0006]在一些实施例中，静电夹盘主体可以是陶瓷材料的整体式主体，结合有电极、接地电极以及一个或多个通道中的每一者。组件可包括嵌入在电极和接地电极之间的静电夹盘主体内的加热器。一个或多个通道可包括多个通道。多个通道中的第一通道可形成在电极和加热器之间的静电夹盘主体内。多个通道中的第二通道可形成在接地电极和加热器之间的静电夹盘主体内。多个通道中的第三通道可形成在电极和加热器之间的静电夹盘主体内，在静电夹盘主体内与多个通道中的第一通道垂直地偏移。第一通道可包括一组第一互连通道。通道可包括跨越静电夹盘主体的第一平面分布的多个第一环形通道。通道可包括多个第一通道互连件，所述多个第一通道互连件径向地分布在多个第一环形通道的每个第一环形通道之间。
[0007]第三通道可包括一组第二互连通道。通道可包括跨越静电夹盘主体的第二平面分布的多个第二环形通道。静电夹盘主体的第二平面可与静电夹盘主体的第一平面垂直地偏移。通道可包括多个第二通道互连件，所述多个第二通道互连件径向地分布在多个第二环
形通道的每个第二环形通道之间。多个第二环形通道可与多个第一环形通道径向地偏移。多个第二通道互连件与多个第一通道互连件在方位角上偏移。第二通道可包括一组第三互连通道。通道可包括跨越静电夹盘主体的第三平面分布的多个第三环形通道。静电夹盘主体的第三平面可与静电夹盘主体的第一平面和静电夹盘主体的第二平面垂直地偏移。通道可包括径向地分布在多个第三环形通道的每个第三环形通道之间的多个第三通道互连件。多个第三环形通道的每个通道可与多个第一环形通道的相关通道垂直对准。多个第二通道互连件可与多个第一通道互连件在方位角上对准。组件可包括形成在静电夹盘主体的第三平面内的第四通道。通道可被配置成安置热电偶，所述热电偶延伸穿过与静电夹盘主体耦合的支撑杆。
[0008]本技术的一些实施例可涵盖基板支撑组件。组件可包括限定基板支撑表面的静电夹盘主体。组件可包括与静电夹盘主体耦合的支撑杆。组件可包括靠近基板支撑表面嵌入在静电夹盘主体内的电极。组件可包括嵌入在静电夹盘主体内的接地电极。组件可包括形成在电极与接地电极之间的静电夹盘主体内的第一组互连通道。组件可包括形成在电极与接地电极之间的静电夹盘主体内的第二组互连通道。第二组互连通道可与第一组互连通道径向地偏移。第一组互连通道可维持距静电夹盘主体的径向边缘至少5mm。第一组互连通道和第二组互连通道可维持在大气压力下。
[0009]在一些实施例中，在电极与接地电极之间的静电夹盘主体内的有效电容可以是小于或约1,000pF。静电夹盘主体的特征可在于空气的体积百分比为大于或约10％。组件可包括定位在电极和接地电极之间的加热器。组件还可包括形成在加热器和接地电极之间的静电夹盘主体内的第三组互连通道。
[0010]本技术的一些实施例可涵盖基板支撑组件。组件可包括限定基板支撑表面的静电夹盘主体。组件可包括与静电夹盘主体耦合的支撑杆。组件可包括靠近基板支撑表面嵌入在静电夹盘主体内的电极。组件可包括嵌入在静电夹盘主体内的接地电极。组件可包括嵌入在电极和接地电极之间的静电夹盘主体内的加热器。组件可包括形成在电极和加热器之间的静电夹盘主体内的第一组互连通道。组件可包括形成在第一组互连通道和加热器之间的静电夹盘主体内的第二组互连通道。组件可包括形成在加热器和接地电极之间的静电夹盘主体内的第三组互连通道。
[0011]相对于常规系统和技术，这样的技术可提供许多益处。例如，将通道并入基板支撑件内可改善在嵌入式电极之间的有效电容。另外，通道的协调可允许减小在热电极和接地电极之间的距离，同时限制有效电容。结合以下描述和附图更详细地描述了这些和其他实施例以及它们的许多优点和特征。
附图说明
[0012]通过参考说明书的其余部分和附图，可实现对所公开技术的本质和优点的进一步理解。
[0013]图1显示了根据本技术的一些实施例的示例性等离子体系统的示意性横截面图。
[0014]图2显示了根据本技术的一些实施例的示例性基板支撑组件的示意性局部横截面图。
[0015]图3显示了根据本技术的一些实施例的示例性基板支撑组件的一部分的示意性平
面图。
[0016]图4显示了根据本技术的一些实施例的示例性基板支撑组件的一部分的示意性平面图。
[0017]图5显示了根据本技术的一些实施例的示例性基板支撑组件的一部分的示意性平面图。
[0018]图6显示了根据本技术的一些实施例的示例性基板支撑组件的示意性局部横截面图。
[0019]图7显示了根据本技术的一些实施例的示例性静电夹盘主体的一部分的示意性平面图。
[0020]包括了一些附图作为示意图。应当理解，附图仅用于说明目的，并且除非特别说明是按比例绘制的，否则不应视为按比例绘制的。另外，作为示意图，提供了附图以帮助理解，并且与现实表示相比，附图可能不包括所有方面或信息，并且出于说明目的，附图可能包括夸大的材料。
[0021]在附图中，相似的部件和/或特征可具有相同的附图标记。此外，相同类型的各种部件可通过在附图标记后面加上在相似部件之间进行区分的字母来进行区分。如果在说明书中仅使用第一附图标记，则描述适用于具有相同的第一附图标记的类似部件中的任何一者，而与字母无关。
具体实施方式
[0022]等离子体增强的沉积工艺可激励一种或多种成分前驱物，以促进在基板上的膜形成。可使用静电夹盘对基板产生夹持作用，以维本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板支撑组件，包含：静电夹盘主体，所述静电夹盘主体限定基板支撑表面；支撑杆，所述支撑杆与所述静电夹盘主体耦合；电极，所述电极靠近所述基板支撑表面嵌入在所述静电夹盘主体内；接地电极，所述接地电极嵌入在所述静电夹盘主体内；以及一个或多个通道，所述一个或多个通道形成在所述电极与所述接地电极之间的所述静电夹盘主体内。2.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中所述静电夹盘主体包含陶瓷材料的整体式主体，结合有所述电极、所述接地电极以及所述一个或多个通道中的每一者。3.如权利要求2所述的基板支撑组件，进一步包含：加热器，所述加热器嵌入在所述电极和所述接地电极之间的所述静电夹盘主体内。4.如权利要求3所述的基板支撑组件，其中所述一个或多个通道包含多个通道，其中所述多个通道中的第一通道形成在所述电极和所述加热器之间的所述静电夹盘主体内。5.如权利要求4所述的基板支撑组件，其中所述多个通道中的第二通道形成在所述接地电极和所述加热器之间的所述静电夹盘主体内。6.如权利要求5所述的基板支撑组件，其中所述多个通道中的第三通道形成在所述电极和所述加热器之间的所述静电夹盘主体内，在所述静电夹盘主体内与所述多个通道中的所述第一通道垂直地偏移。7.如权利要求6所述的基板支撑组件，其中所述第一通道包含一组第一互连通道，所述一组第一互连通道包含：多个第一环形通道，所述多个第一环形通道跨越所述静电夹盘主体的第一平面分布，以及多个第一通道互连件，所述多个第一通道互连件径向地分布在所述多个第一环形通道的每个第一环形通道之间。8.如权利要求7所述的基板支撑组件，其中所述第三通道包含一组第二互连通道，所述一组第二互连通道包含：多个第二环形通道，所述多个第二环形通道跨越所述静电夹盘主体的第二平面分布，其中所述静电夹盘主体的所述第二平面与所述静电夹盘主体的所述第一平面垂直地偏移，以及多个第二通道互连件，所述多个第二通道互连件径向地分布在所述多个第二环形通道的每个第二环形通道之间。9.如权利要求8所述的基板支撑组件，其中所述多个第二环形通道与所述多个第一环形通道径向地偏移，并且其中所述多个第二通道互连件与所述多个第一通道互连件在方位角上偏移。10.如权利要求8所述的基板支撑组件，其中所述第二通道包含一组第三互连通道，所述一组第三互连通道包含：多个第三环形通道，所述多个第三环形通道跨越所述静电夹盘主体的第三平面分布，其中所述静电夹盘主体的所述第三平面与所述静电夹盘主体的所述第一平面和所述静电夹盘主体的所述第二平面垂直地偏移，以及
多个第三通道互连件，所述多个第三通道互连件...

【专利技术属性】
技术研发人员：V，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：