用于高频处理的盖堆叠制造技术

示例性半导体处理腔室可包括基板支撑件，基板支撑件定位在半导体处理室的处理区域内。腔室可包括盖板。腔室可包括定位在盖板和基板支撑件之间的气箱。气箱的特征可在于第一表面和与第一表面相对的第二表面。气箱可以限定中心孔。气箱可在气箱的第一表面中限定环形通道，环形通道围绕中心孔延伸穿过气箱。气箱可包含环形外罩，环形外罩跨限定在气箱第一表面中的环形通道延伸。腔室可以包括阻隔板，阻隔板定位于气箱与基板支撑件之间。腔室可包含铁氧体块，铁氧体块定位在盖板与阻隔板之间。铁氧体块定位在盖板与阻隔板之间。铁氧体块定位在盖板与阻隔板之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于高频处理的盖堆叠
相关申请的交叉引用
[0001]本申请主张对于申请于2020年4月9日、名为“LID STACK FOR HIGH FREQUENCY PROCESSING(用于高频处理的盖堆叠)”的美国专利申请第16/844,089号的优先权，在此并入其整体以作为参考。


[0002]本技术涉及用于制造半导体的部件与设备。更具体而言，本技术涉及处理腔室分配部件和其他半导体处理设备。

技术介绍

[0003]通过在基板表面上产生具有错综复杂地图案化的材料层的处理，而使集成电路的制造成为可能。在基板上产生图案化的材料需要用于形成和移除材料的受控方法。腔室部件通常将处理气体输送到基板，以沉积膜或去除材料。可以将处理气体等离子体增强，以增加所产生的流出物的反应性。然而，取决于等离子体增强的方面，材料可能不能均匀地沉积在基板上。
[0004]因此需要可以用于产生高质量的装置与结构的改良的系统与方法。本技术解决了这些与其他的需求。

技术实现思路

[0005]示例性半导体处理腔室可包括基板支撑件，基板支撑件定位在半本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体处理腔室，包含：基板支撑件，所述基板支撑件定位在所述半导体处理腔室的处理区域内；盖板；气箱，所述气箱定位在所述盖板与所述基板支撑件之间，所述气箱的特征在于第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，其中所述气箱限定中心孔，其中所述气箱在所述气箱的所述第一表面中限定环形通道，所述环形通道围绕所述中心孔延伸通过所述气箱，其中所述气箱在所述气箱的所述第一表面中限定凹入壁架，所述凹入壁架围绕所述环形通道延伸，并且其中所述气箱包含环形外罩，所述环形外罩安置在所述凹入壁架上并且跨限定在所述气箱的所述第一表面中的所述环形通道延伸；阻隔板，所述阻隔板定位在所述气箱和所述基板支撑件之间；铁氧体块，所述铁氧体块定位在所述盖板与所述阻隔板之间；以及面板，所述面板定位在所述阻隔板和所述基板支撑件之间。2.如权利要求1所述的半导体处理腔室，其中所述铁氧体块的特征在于围绕所述气箱的所述中心孔延伸的环形形状。3.如权利要求2所述的半导体处理腔室，所述半导体处理腔室进一步包含：绝缘体，所述绝缘体定位在所述气箱和所述盖板之间，其中所述绝缘体限定中心孔，所述中心孔与穿过所述气箱限定的所述中心孔轴向对准，其中所述铁氧体块围绕所述绝缘体延伸。4.如权利要求1所述的半导体处理腔室，其中所述铁氧体块包含围绕所述气箱延伸的多个块。5.如权利要求1所述的半导体处理腔室，其中所述铁氧体块设置在介电材料内。6.如权利要求5所述的半导体处理腔室，其中所述介电材料的特征在于低于或约为3.7的介电常数。7.如权利要求6所述的半导体处理腔室，其中所述介电材料包括聚四氟乙烯或聚醚醚酮。8.如权利要求1所述的半导体处理腔室，其中所述气箱在所述气箱内限定第二环形通道，并且其中所述铁氧体块安置于所述第二环形通道内。9.如权利要求8所述的半导体处理腔室，其中介电间隔件设置于安置于所述第二环形通道内的所述铁氧体块上。10.如权利要求9所述的半导体处理腔室，其中所述介电间隔件在所述介电间隔件内限定凹部，并且其中外罩安置于所述介电间隔件内的所述凹部内。11.如权利要求10所述的半导体处理腔室，其中所述介电间隔件在所述外罩和所述铁氧体块之间形成垂直间隔，并且其中所述介电间隔件在所述外罩和所述气箱之间形成径向间隙。12.一种半导体处理腔室，包含：基板支撑件，所述基板支撑件定位在所述半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：