形成含硅和碳材料的示例性方法可包括：将含硅和碳前驱物流入半导体处理腔室的处理区域内。基板可容置于半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可包括：在处理区域内形成含硅和碳前驱物的等离子体。可在高于15MHz的频率下形成等离子体。所述方法可包括...

一种用于在光刻处理期间增强焦深处理窗的方法包括在设置在基板上的材料层上施加包括光酸产生剂的光刻胶层，在光刻曝光处理中，使未受光掩模保护的光刻胶层的第一部分暴露于光辐射，在曝光后烘烤处理中向光刻胶层提供热能，在实行曝光后烘烤处理的同时，施...

本文描述了用于形成反射膜的方法和装置。在基板表面上形成衬垫，接着形成反射层，以使得在衬垫和反射层的形成之间不存在氧暴露。在一些实施方式中，通过在结构的顶部抑制生长的同时，用反射材料部分填充结构，使基板的顶部再活化，且随后用反射材料填充结...

提供了在具有小尺寸的高深宽比(AR)结构中沉积膜的方法。所述方法提供可流动的沉积以用于无缝间隙填充、UV硬化以用于增加膜密度、在低温下将膜转化为氧化硅、和通过低温感应耦合等离子体(ICP)处理(<400℃)进行膜致密化。合...

本文描述了可用于有机发光二极管(OLED)显示器中的子像素电路和形成可用于OLED显示器中的子像素电路的方法。悬垂结构对所述子像素电路是永久性的。所述悬垂结构包括导电氧化物。所述悬垂结构的第一构造包括基部部分和顶部部分，其中所述顶部部分...

提供用于用来减少介电溅射期间工件中的缺陷的等离子体腔室靶材的方法和设备。例如，介电溅射沉积靶材可以包括具有范围从约65μm到500μm的预定平均晶粒尺寸的介电化合物，其中该介电化合物是氧化镁或氧化铝中的至少一种。种。种。

本文描述了半导体腔室部件，所述半导体腔室部件包括用于在腔室部件的通电部分与接地部分之间载送流体的一个或多个导管，与常规部件相比，所述导管配置成更不易引起电弧。在一个示例中，提供了一种半导体腔室部件，所述半导体腔室部件包括：通电区域、接地...

本文所公开的多个实例涉及构造为提供用于处理腔室的热量的灯。灯包括充满气体的灯罩。灯丝设置于灯罩内。灯丝具有上直径、下直径和长度。一对电极电耦接至灯丝。一对引脚电耦接至该对电极。该对引脚构造为将能量转移至灯丝。上直径或下直径与长度的比是约...

本公开内容的多个实施方式提供双孔传感器和用于生产这些双孔传感器的方法。方法包括以下步骤：形成膜堆叠物，其中膜堆叠物含有两个硅层和两个膜片层，并接着蚀刻膜堆叠物以产生延伸穿过膜堆叠物中的信道并且具有两个贮存器和两个纳米孔。方法还包括以下步...

本公开内容的实施例总体涉及化学机械抛光(CMP)系统，并且更具体地，涉及用于制造半导体器件的模块化抛光系统。在一个实施例中，一种抛光系统包括：第一部分，所述第一部分具有设置在其中的多个抛光站；和第二部分，所述第二部分耦接到所述第一部分，...

本文描述了一种用于基板抛光的基板支撑载体。该基板支撑载体包括设置在扣环与卡紧隔膜之间的延伸件。延伸件从基板的边缘径向向外设置，并且被配置成在基板处理期间与扣环接触。延伸件提供在扣环与卡紧隔膜之间的可重复且受控的接触点。延伸件可具有多个配...

本文所述的实施方式提供具有原位清洁能力的热基板处理装置。本文所述的装置可包括热处理腔室，所述热处理腔室限定处理容积并且基板支撑件可布置于处理容积内。一个或多个远程等离子体源可与处理容积流体连通，并且远程等离子体源可配置成将等离子体传送到...

本公开内容的实施方式一般涉及用于半导体处理的设备和方法，更特定地，涉及热工艺腔室。热工艺腔室可包括基板支撑件，设置在基板支撑件之上方的第一多个加热元件，和设置在第一多个加热元件上方的一个或多个高能量辐射源组件。一个或多个高能量辐射源组件...

描述了一种用于在有机发光二极管(OLED)图案化基板上形成封装层的方法和设备。侧壁平坦化层填充所述OLED图案化基板上的壁特征的扇形侧壁中的空隙。在与所述侧壁平坦化层的沉积相同的腔室中固化所述侧壁平坦化层。在所述侧壁平坦化层上形成阻挡层...

本公开内容的多个实施方式涉及用于形成阻挡层的方法和材料，该阻挡层具有增进的阻挡性能和/或降低的过孔电阻。本公开内容的一些实施方式提供用于通过将金属表面暴露于金属络合物来钝化该金属表面的方法，该金属络合物包含有机配体，该有机配体具有至少三...

本文描述了用于热处理的处理腔室的方法和设备。处理腔室是双处理腔室，并且共用腔室主体。腔室主体包括第一组气体注入通道和第二组气体注入通道。腔室主体还可包括第一组排气口和第二组排气口。处理腔室可具有共用的气体面板和/或共用的排气导管。本文描...

描述了用于碳氮化硅膜的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法。通过将基板表面暴露于前驱物和反应物来在基板表面上形成可流动的碳氮化硅膜，所述前驱物具有通式(I)或通式(II)的结构其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、...

一种器件制造系统的主机，包括：基座；在该基座上的多个机面；在多个机面上方的盖。多个机面中的第一机面包括框架。基座、盖和多个机面一起限定内部空间，该内部空间包括机器人臂。第一可替换接口板附接到第一机面的第一框架。第一可替换接口板包括多个基...

一种器件制造系统的主机，包括：基座；在该基座上的多个机面；在多个机面上方的盖。多个机面中的第一机面包括框架。基座、盖和多个机面一起限定内部空间，该内部空间包括机器人臂。第一可替换接口板附接到第一机面的第一框架。第一可替换接口板包括多个基...

提供一种包封有机发光二极管(OLED)的方法。所述方法包括在工艺腔室中产生第一等离子体，当OLED器件定位在所述工艺腔室内时，所述第一等离子体具有至少10