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应用材料公司专利技术
应用材料公司共有6595项专利
用于增加来自安瓿的通量的设备制造技术
描述了用于半导体制造前驱物的安瓿和使用方法。安瓿包括具有入口端口和出口端口的容器。入口端口在容器内的端部具有喷头。喷头具有至少两个成角度的喷嘴,以引导空腔内的气流,使得气流不垂直于安瓿内的液体的表面。使得气流不垂直于安瓿内的液体的表面。...
基板的SPM处理制造技术
一种用于从多个基板移除颗粒的基板清洁系统,包括:用于将清洁液施加至基板的第一容器;用于将冲洗液施加至基板的第二容器;以及机器人系统。第一容器包括:位于第一容器的顶部中的至少两个能打开且能关闭的进出端口;以及用于将基板保持在第一容器中的相...
用于检查产品的方法和系统技术方案
本公开内容的实施方式涉及一种用于检查产品的系统和方法,所述产品诸如片剂、丸剂、胶囊、胶囊片、软胶囊和可被用户摄入的其他离散的消耗品单元。在实施方式中,使用多个相机来捕获所述产品的表面的图像。所述图像被聚合到单个文件,并且分析成像的产品特...
水溶性有机-无机混合式掩模配方及其应用组成比例
描述了水溶性有机
选择性氧化和简化预清洁制造技术
讨论了用于选择性地氧化包含介电表面和金属表面的基板表面的介电表面的方法。还讨论了清洁包含介电表面和金属表面的基板表面的方法。所公开的方法使用由氢气和氧气产生的等离子体来氧化的介电表面和/或清洁基板表面。所公开的方法可在单个步骤中执行,而...
极紫外掩模坯料硬掩模材料制造技术
揭示了极紫外(EUV)掩模坯料、其制造方法及其生产系统。EUV掩模坯料包含:基板;反射层的多层堆叠,位于基板上;覆盖层,位于反射层的多层堆叠上;吸收体层,位于覆盖层上,所述吸收体层包含含锑材料;以及硬掩模层,位于吸收体层上,所述硬掩模层...
隔绝环夹具及并入隔绝环夹具的物理气相沉积腔室制造技术
此处提供用于物理气相沉积的装置。在某些实施例中,一种在物理气相沉积(PVD)腔室中使用的夹具,包括夹具主体及从夹具主体延伸的向外延伸的架子,其中向外延伸的架子包括夹持表面,配置成将隔绝环夹持至PVD腔室的腔室主体,其中向外延伸的架子的高...
使用研磨垫磨损补偿的基板层厚度确定制造技术
一种训练神经网络的方法包括获得测试基板的两个地表实况厚度轮廓,当测试基板在不同厚度的研磨垫上时获得通过原位监测系统测量的测试基板的两个厚度轮廓,通过在两个轮廓之间内插来产生针对在两个厚度值之间的另一厚度值的估计的厚度轮廓,以及使用估计的...
用于在介电层顶上由下而上间隙填充的选择性沉积钨的方法技术
一种用于在介电表面顶上选择性沉积钨层的方法及设备。在实施方式中,方法包括:在基板场顶上并且在基板中设置的特征的侧壁及介电底表面顶上经由PVD工艺沉积钨层以在场顶上形成具有第一厚度的第一钨部分,在侧壁顶上形成具有第二厚度的第二钨部分,并且...
具有基板进动的基板抛光的工艺参数的控制制造技术
生成用于抛光工艺的配方,包括:接收目标移除曲线,所述目标移除曲线包括针对围绕基板中心成角度地间隔开的位置的要移除的目标厚度;存储提供随时间变化的相对于承载头的基板方向的第一函数;存储将所述区域中的区域下方的抛光速率定义为因变于承载头的一...
用于对保持环进行分类的机器学习制造技术
本申请公开了用于对保持环进行分类的机器学习。一种用于优化抛光的方法,包括对于安装在特定承载头上的多个保持环中的每个相应保持环,使用坐标测量机对安装在特定承载头上的相应保持环的底表面执行测量并且收集使用相应保持环抛光的基板的相应去除轮廓。...
用于处置氧化镁膜的方法技术
一种形成磁阻随机存取存储器(MRAM)结构的隧道层的方法包括:通过利用射频(RF)功率溅射MgO靶材来形成第一氧化镁(MgO)层;将第一MgO层暴露给在大约10sccm至大约15sccm的流量下的氧气大约5秒至大约20秒;和通过利用RF...
使用脉冲偏压的悬垂部减少制造技术
本公开内容的多个实施方式涉及通过减少沉积膜的悬垂部来扩大基板特征结构的开口宽度的方法。本公开内容的一些实施方式利用高能量偏压脉冲来蚀刻基板特征结构的开口附近的沉积膜。本公开内容的一些实施方式在不损坏下面的基板的情况下蚀刻沉积膜。面的基板...
通过以水平旋转运动移动束的点加热制造技术
本公开内容的实施方式总体涉及用于半导体处理的设备和方法,更特定言之,涉及热工艺腔室。在一个或多个实施方式中,工艺腔室包含第一窗、第二窗、设置在第一窗与第二窗之间的基板支撑件,和设置在第一窗上方且经配置为经由第一窗提供辐射能量的机动可旋转...
反向选择性蚀刻终止层制造技术
公开了用于形成反向选择性蚀刻终止层的方法和装置。本公开内容的一些实施方式提供了比利用非选择性(例如,毯覆)蚀刻终止层的方法具有更低电阻的互连件。本公开内容的一些实施方式在减法蚀刻方案中利用反向选择性蚀刻终止层。本公开内容的一些实施方式通...
用于物理气相沉积腔室的加热屏蔽制造技术
本文提供在处理腔室中使用的处理屏蔽的实施例。在一些实施例中,在处理腔室中使用的处理屏蔽包括主体,所述主体具有圆柱形状,其中所述主体包括上部分及下部分,所述上部分具有外唇部且所述下部分从所述上部分向下且径向向内延伸,其中所述外唇部包括容纳...
用于整合的二硅化钴成形的方法和设备技术
描述了用于二硅化钴的形成的方法和设备。本公开内容的一些实施方式提供了原位形成二硅化钴的方法。所得膜比通过类似的异位法形成的膜更光滑,并且具有更低的电阻和电阻率。本公开内容的一些实施方式提供了用于在工艺之间无空气间断地执行所述方法的设备。...
使用基于时间的图像序列检测CMP部件的偏移制造技术
抛光系统的监控操作包括:获得在抛光系统的测试操作期间执行操作的抛光系统部件的基于时间的参考图像序列;从相机接收在基板的抛光期间执行操作的等效抛光系统的等效部件的基于时间的监控图像序列;通过使用图像处理算法对基于时间的参考图像序列与基于时...
用于位置特定晶片抛光的辊制造技术
一种抛光装置,包括:支撑件,被配置为在平面中接收和保持基板;抛光垫,固定到旋转滚筒的圆柱形表面;第一致动器,用于绕着平行于平面的第一轴旋转该滚筒;第二致动器,用于使旋转滚筒上的抛光垫与基板接触;以及端口,用于将抛光液分配到抛光垫与基板之...
使用成本函数或预期的未来参数变化对基板抛光期间的处理参数的控制制造技术
本申请公开了使用成本函数或预期的未来参数变化对基板抛光期间的处理参数的控制。控制抛光系统包括:针对正由抛光系统处理的基板上的多个区域中的每个区域,从原位监测系统接收针对该区域的表征值的序列。对于每个区域,针对该区域确定抛光速率,并且针对...
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