【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用研磨垫磨损补偿的基板层厚度确定
[0001]本公开涉及在研磨基板期间的原位监测及轮廓重构。
技术介绍
[0002]通常通过在硅晶片上顺序沉积导电、半导电或绝缘层并且通过层的后续处理来在基板(例如，半导体晶片)上形成集成电路。
[0003]一个制造步骤涉及在不平坦的表面上方沉积填料层，以及平坦化填料层直到暴露出不平坦的表面。例如，导电填料层可以在图案化的绝缘层上沉积以填充绝缘层中的沟槽或孔洞。随后研磨填料层，直到暴露出绝缘层的凸起图案。在平坦化之后，在绝缘层的凸起图案之间余留的导电层的部分形成在基板上的薄膜电路之间提供导电路径的通孔、插塞及线路。此外，平坦化可用于平坦化基板表面来用于光刻。
[0004]化学机械研磨(CMP)是一种公认的平坦化方法。此平坦化方法通常要求将基板安装在承载头上。基板的暴露表面抵靠旋转研磨垫放置。承载头在基板上提供可控负载以抵靠研磨垫推动该基板。将研磨液体(诸如具有磨蚀颗粒的浆料)供应到研磨垫的表面。为了将研磨垫维持在晶片之间的均匀的磨蚀条件下，研磨垫经历调节工艺，例如，通过磨蚀调...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种训练神经网络的方法，包含以下步骤：针对具有不同厚度轮廓的多个测试基板的每个测试基板，获得所述测试基板的地表实况厚度轮廓；获得第一厚度值；当在对应于所述第一厚度值的第一厚度的研磨垫上时，针对所述多个测试基板的每个测试基板，获得对应于由原位监测系统测量的所述测试基板的第一测量的厚度轮廓；获得第二厚度值；当在对应于所述第二厚度值的第二厚度的研磨垫上时，针对所述多个测试基板的每个测试基板，获得对应于由所述原位监测系统测量的所述测试基板的第二测量的厚度轮廓；针对所述多个测试基板的每个测试基板，通过在所述测试基板的所述第一轮廓与所述第二第三厚度轮廓之间内插来针对在所述第一厚度值与所述第二厚度值之间的第三厚度值产生估计的第三厚度轮廓；以及针对每个测试基板，当所述神经网络处于训练模式时通过将所述第三厚度及所述估计的第三厚度轮廓应用于多个输入节点并且将所述地表实况厚度轮廓应用于多个输出节点来训练神经网络。2.如权利要求1所述的方法，其中获得所述第一及第二厚度值的步骤包括以下步骤：测量所述第一及第二研磨垫的厚度。3.如权利要求1所述的方法，其中获得所述第一或第二厚度轮廓的步骤进一步包括以下步骤：将所述测试基板放置在所述第一或第二厚度的研磨垫上并且用原位监测系统扫描所述测试基板。4.如权利要求1所述的方法，其中训练所述神经网络的步骤进一步包括以下步骤：当所述神经网络处于训练模式时将所述第一或第二厚度及所述估计的第一或第二厚度轮廓应用于多个输入节点并且将所述地表实况厚度轮廓应用于多个输出节点。5.如权利要求1所述的方法，其中训练所述神经网络的步骤进一步包括以下步骤：当所述神经网络处于训练模式时将第四厚度及所述估计的第四厚度轮廓应用于多个输入节点并且将所述地表实况厚度轮廓应用于多个输出节点。6.如权利要求1所述的方法，其中所述内插是线性内插。7.一种研磨系统，包含：平台，用于支撑研磨垫；承载头，用于固持基板并且使所述基板与所述研磨垫接触；原位监测系统，用于当所述导电层正由所述研磨垫研磨时取决于所述基板上的导电层的厚度来产生信号；以及控制器，经配置为：接收所述导电层的研磨前厚度的测量，在所述导电层的研磨的开始时从所述原位监测系统获得初始信号值，基于所述研磨前厚度来确定所述导电层的期望信号值，基于所述初始信号值及所述期望信号值来计算增益，使用增益函数从所述增益确定研磨垫厚度值，在研磨所述导电层期间从所述原位监测系统接收信号以针对所述层上的多个不同位
置产生多个测量的信号，从所述多个测量的信号确定针对所述层上的所述多个不同位置的多个厚度值；针对所述多个不同位置中的至少一些位置的每个位置，通过经由神经网络处理所述多个厚度值的至少一些来产生针对所述位置的校正的厚度值以提供多个经校正的厚度值，其中将所述多个厚度值的所述至少一些及所述研磨垫厚度值输入到所述神经网络并且将所述经校正的厚度值通过所述神经网络输出，以及基于所述多个经校正的厚度值，进行检测研磨端点或修改研磨参数中的至少一者。8.如权利要求7所述的系统，其中所述神经网络包括多个输入节点、多个输出节点、及多个中间节点，其中将所述多个厚度值的所述至少一些应用于所述输入节点的至少一些，其中将表示所述研磨垫厚度的值直接应用于来自所述多个中间节点的中间节点，并且其中所述多个输出节点的至少一些输出所述多个经校正的厚度值。9.如权利要求7所述的系统，其中所述原位监测系统包含涡流监测系统。10...
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