本文提供了用于钝化靶材的方法和设备。例如，一种方法包含：a)将氧化气体供应到处理腔室的内部空间中；b)点燃氧化气体以形成等离子体并氧化靶材或靶材材料中的至少一者，所述靶材材料沉积在设置于处理腔室的内部空间中的处理配件上；和c)执行循环净...

描述了用于控制等离子体处理的电源、波形函数发生器及方法。该电源或波形函数发生器包括用于执行该方法的部件，在该方法中，在等离子体处理期间确定波形形状变化指数，并评估该波形形状变化指数是否符合预定5容差。波形形状变化指数是否符合预定5容差。...

本文说明选择性沉积的方法。此外，也说明包括氨等离子体预清洁处理的改善选择性的方法。在一些实施方式中，硅烷基胺用于在介电表面上选择性形成表面活性剂层。钌膜可接着选择性沉积在导电表面上。在一些实施方式中，氨等离子体从导电表面移除氧化物污染物...

描述一种微电子装置，该微电子装置包括形成在基板上的介电层、包括被限定在介电层中的间隙的特征、在介电层上的阻挡层、在阻挡层上的双金属衬里膜，和在双金属衬里上的间隙填充金属。多个实施方式提供一种形成包括在阻挡层上的双金属衬里膜的微电子装置的...

描述一种用于掺杂阻挡层的方法，所述阻挡层诸如，钽(Ta)、氮化钽(TaN)、碳化钽(TaC)、铌(Nb)、氮化铌(NbN)、锰(Mn)、氮化锰(MnN)、钛(Ti)、氮化钛(TiN)、钼(Mo)和氮化钼(MoN)、和类似者。掺杂剂可包括...

本文提供了用于处理基板的方法和设备。举例而言，一种方法包括在工艺腔室的处理空间内以第一压力点燃等离子体；自设置在处理空间内的靶材沉积溅射材料，同时在第一时间范围内将第一压力降低至第二压力，同时维持等离子体；继续自靶材沉积溅射材料，同时在...

本文提供用于在处理腔室中使用的处理套件的实施方式。在一些实施方式中，用于在多阴极处理腔室中使用的处理套件包括：第一可旋转屏蔽件，耦接至第一轴件，其中第一可旋转屏蔽件包括基座、从基座向下且径向向外延伸的锥形部分和穿过锥形部分形成的一个或多...

一种填充基板上的结构的方法使用半动态回流工艺。该方法可包括：在第一温度下在该基板上沉积金属材料，将该基板加热至高于该第一温度的第二温度，其中该基板的加热引发在该基板上沉积的该金属材料的静态回流，停止该基板的加热，及在该基板上沉积额外金属...

描述了用于预清洁具有金属和电介质表面的基板的方法。基板暴露于强还原剂中，以从金属表面移除污染物并损坏电介质表面。基板接着暴露于氧化处理，以修复对电介质表面的损坏并氧化金属表面。基板接着暴露于弱还原剂以将金属氧化物还原为纯金属表面，而基本...

基板处理系统包括具有受控环境的工厂接口和传送腔室。传送腔室包括四个第一小平面和三个第二小平面，其中三个第二小平面的每一个具有比四个第一小平面的每一个的宽度窄的宽度。第一处理腔室附接到四个第一小平面的一个。第一辅助腔室附接到三个第二小平面...

描述了一种用于在真空腔室内运输载体的载体运输系统。所述载体运输系统包括在运输方向上延伸的轨道组件，所述轨道组件包括：设置在第一纵坐标处并在所述运输方向上延伸的第一被动磁性单元；设置在第二纵坐标处并在所述运输方向上延伸的第二被动磁性单元，...

本文提供在处理腔室中使用的喷头的多个实施方式。在一些实施方式中，一种喷头，包括第一螺旋通道，从喷头的中心区域延伸至周围区域；第二螺旋通道，从喷头的中心区域延伸至周围区域，其中第二螺旋通道与第一螺旋通道交错且与第一螺旋通道流体独立；多个第...

本文公开了用于确定光栅或线特征的线角度及线角度旋转的方法及设备。本公开内容的一个方面涉及，使用测量工具来测量第一线特征的坐标点，从所述坐标点确定所述第一线特征的第一斜率，及从所述第一线特征的所述斜率确定第一线角度。能重复此过程以找出相邻...

描述一种形成用于半导体装置的互连结构的方法。方法包含通过物理气相沉积在基板上沉积蚀刻终止层，随后在蚀刻终止层上原位沉积金属层。原位沉积的步骤包含使等离子体处理气体流动到腔室中，和将等离子体处理气体激发成等离子体以在基板上的蚀刻终止层上沉...

本文提供使用于处理腔室中的处理屏蔽件的实施方式。在一些实施方式中，使用于处理腔室中的处理屏蔽件包括：环状主体，该环状主体具有上部分及下部分，该下部分从该上部分向下且径向向内延伸，其中该上部分在该上部分的上表面上包括多个环状凹槽，且具有设...

本文提供了用于使用挡盘来形成和使用内部可分的物理气相沉积(PVD)处理腔室的设备和方法。在一些实施方式中，内部可分的处理腔室可包括：具有锥形屏蔽件、锥形适配器、覆盖环及靶材的上腔室部分；具有基板支撑件的下腔室部分，基板支撑件具有内及外沉...

本文提供了用于在处理腔室中使用的处理配件的实施方式。在一些实施方式中，一种用于处理腔室的处理配件包括：腔室衬垫，腔室衬垫具有管状主体，管状主体具有上部和下部；限制板，限制板耦接至腔室衬垫的下部并从腔室衬垫径向向内延伸，其中限制板包括多个...

描述了用于调节处理套件以增加处理套件寿命的方法及装置。形成于处理套件上的氮化物膜被暴露至包含氮及氢自由基调节处理，以调节所述氮化物膜，从而减少来自所述处理套件的颗粒污染。粒污染。粒污染。

描述了使用钌或掺杂钌衬垫和帽盖层的电子装置和形成电子装置的方法。具有钌层和钴层的衬垫形成在阻挡层上。导电填充物形成与第一导电线路接触的第二导电线路。导电线路接触的第二导电线路。导电线路接触的第二导电线路。

提供了用以提供包含钨膜堆叠物的电子器件的装置及方法。通过物理气相沉积形成的钨衬垫以在钨衬垫上通过化学气相沉积直接形成的钨膜来填充。钨膜来填充。钨膜来填充。