半导体处理的示例性方法可以包括在半导体处理室的处理区域的暴露表面上形成氧化硅材料。方法可以包括形成覆盖在氧化硅材料上的氮化硅材料。方法可以包括在设置在半导体处理室的处理区域内的半导体基板上执行沉积工艺。方法可以包括执行腔室清洁工艺。方法...

化学机械抛光系统包括：压板，用以保持抛光垫；载体头，用以将基板保持抵靠抛光垫的抛光表面；以及控制器。抛光垫具有抛光控制沟槽。载体通过第一致动器而可跨抛光垫横向移动，并且通过第二致动器而可旋转。控制器使载体头的横向振动与载体头的旋转同步，...

示例性半导体处理腔室可包括界定中心孔的入口歧管。入口歧管还可界定第一通道和第二通道，且通道中的每一个可延伸穿过中心孔的径向外侧的入口歧管。腔室还可包括气体箱，气体箱的特征在于面对入口歧管的第一表面和与第一表面相对的第二表面。气体箱可界定...

本文中所公开的实例与在基板上形成薄膜层的装置和方法相关。在第一腔室中在所述基板上沉积第一压电材料层。所述第一压电材料层在所述基板处于第一温度的同时形成于所述基板上。在将所述基板冷却到第二温度之后，在所述第一压电材料层上沉积第二压电材料层...

一种用于通过循环蚀刻和沉积处理来蚀刻材料层的设备和方法。一种用于在基板上蚀刻材料层的方法包括以下步骤：(a)在蚀刻腔室(100)中蚀刻基板(101)上的材料层(302)的至少一部分，以在材料层(302)中形成具有底表面(312)和侧壁的...

本公开内容的实施方式一般涉及用于半导体处理的设备和方法，更特定地，涉及热工艺腔室。热工艺腔室可包括基板支撑件，设置在基板支撑件之上方的第一多个加热元件，和设置在第一多个加热元件上方的一个或多个高能量辐射源组件。一个或多个高能量辐射源组件...

描述了电子装置制造设备和机器人设备。设备经配置以有效地拾取和放置基板，其中机器人设备包括上臂和独立可旋转的三个叶片B1、B2、B3。三个叶片经配置以服务第一双装载锁定和第二双装载锁定，其中每个双装载锁定包括不同的跨距。在一些实施方式中，...

一种有机发光二极管(OLED)结构，包括：基板；位于基板上的具有阱结构阵列的介电层，其中每个阱结构包括具有侧壁和底部的凹部，并且所述凹部由具有倒圆的顶表面的平台隔开；OLED层堆叠，所述OLED层堆叠至少覆盖阱的底部；以及光提取层(LE...

示例性半导体处理腔室可包括腔室主体，所述腔室主体包括侧壁和底座。腔室可包括延伸穿过腔室主体的底座的基板支撑件。基板支撑件可包括配置成支撑半导体基板的支撑台板。基板支撑件可包括与支撑台板耦接的轴。基板支撑件可包括与基板支撑件的轴耦接的屏蔽...

示例性沉积方法可包括在半导体处理腔室的处理区域内形成含氧前驱物的等离子体。处理区域可在基板支撑件上容纳半导体基板。所述方法可包括，在保持含氧前驱物的等离子体的同时，使含硅前驱物以第一流率流入半导体处理腔室的处理区域。方法可包括在时间段内...

在一种荧光原位杂化成像系统中，作为嵌套循环地执行以下步骤：(1)阀依次将流通池耦接至多个不同试剂来源，以将样本暴露至多个不同试剂，(2)对于多个不同试剂的各试剂，马达依次将荧光显微镜相对于的样本定位于多个不同视野处，(3)对于多个不同视...

描述了具有降低的电流泄漏的静电吸盘和分割半导体晶片的方法。在示例中，蚀刻设备包括腔室及等离子体源，所述等离子体源在所述腔室内或耦合至所述腔室。静电吸盘在所述腔室内。所述静电吸盘包括导电基座，在所述导电基座的圆周边缘处具有多个凹口。所述静...

示例性方法可包括：将含硼前驱物输送到半导体处理腔室的处理区域。方法还可包括：由含硼前驱物在半导体处理腔室的处理区域内形成等离子体。方法可进一步包括：在设置在半导体处理腔室的处理区域内的基板上沉积含硼材料。含硼材料可包括大于50％的硼。在...

本文提供具有在聚合物材料的连续相内的变化孔隙度的离散和选择性排列区域的抛光垫。在一个实施方式中，抛光垫的特征为多个抛光元件，每一个抛光元件包括抛光表面和从抛光表面向下延伸以界定设置在抛光元件之间的多个通道的侧壁，其中一个或多个抛光元件是...

一种系统可以包括：主线路，用于递送第一气体；以及传感器，用于测量被递送通过主线路的第一气体中的前驱物的浓度。系统可以进一步包括：第一子线路和第二子线路，分别用于提供通往第一处理腔室和第二处理腔室的流体通路。第一子线路可以包括：第一流量控...

本发明的多个实施方式一般涉及对于纳米压印平板印刷术(NIL)有用的压印组成物与材料和相关工艺。在一个或多个实施方式中，压印组成物含有一种或多种的纳米粒子、一个或多个表面配体、一个或多个溶剂、一个或多个添加剂、和一个或多个丙烯酸酯。一个或...

一种用于确定微波和/或真空环境中基板温度的设备。具有多个支撑销的基板保持器包括温度传感器组件，该温度传感器组件的至少一部分表面具有磷涂层，该温度传感器组件经配置为从基板保持器的内部区域插入至少一个销支撑位置中，并从基板保持器的外部区域插...

本文提供一种用于清洗半导体腔室中的静电吸盘(ESC)的方法和设备，其允许原位清洗ESC。一种设备可包括：与沉积环电隔离的适配器或盖环；安装到基座并围绕基座的环形接地支架，所述环形接地支架在上周边表面上具有至少一个水平接地圈，所述至少一个...

一种掩模框架支撑单元，包括：壳体；突出主体，所述突出主体在所述壳体下方延伸；和工作站，所述工作站具有设置在所述壳体上方的平坦头部。所述突出主体包括渐缩区域和圆柱形区域。所述渐缩区域包括耦接到所述壳体的具有第一直径的第一端部，并且包含与所...

本公开内容的实施例涉及用于将存在于半导体制造工艺的流出物中的F