用于EPI工艺的晶片加热的二极管激光器制造技术

本公开内容的实施方式一般涉及用于半导体处理的设备和方法，更特定地，涉及热工艺腔室。热工艺腔室可包括基板支撑件，设置在基板支撑件之上方的第一多个加热元件，和设置在第一多个加热元件上方的一个或多个高能量辐射源组件。一个或多个高能量辐射源组件用于在处理期间向设置在基板支撑件上的基板上的冷区域提供局部加热。基板的局部加热改善温度轮廓，这又改善了沉积均匀性。这又改善了沉积均匀性。这又改善了沉积均匀性。

【技术实现步骤摘要】
用于EPI工艺的晶片加热的二极管激光器
[0001]本申请是申请日为2016年10月7日、申请号为201680056747.6、专利技术名称为“用于EPI工艺的晶片加热的二极管激光器”的专利技术专利申请的分案申请。
[0002]背景


[0003]本公开内容的实施方式一般涉及用于半导体处理的设备和方法，更具体地，涉及热工艺腔室。

技术介绍

[0004]半导体基板被处理以用于各种各样的应用，包括集成装置和微装置的制造。在处理期间，基板被定位在工艺腔室内的基座上。基座由支撑轴支撑，支撑轴可绕中心轴线旋转。对加热源(诸如设置在基板的下方和上方的多个加热灯)的精确控制允许基板在非常严格的公差内被加热。基板的温度可影响沉积在基板上的材料的均匀性。
[0005]尽管对基板加热进行精确控制，已观察到在基板上的某些位置处形成谷(较低的沉积)。因此，存在对于在半导体处理中的改善的热工艺腔室的需求。

技术实现思路

[0006]本公开内容的实施方式一般涉及用于半导体处理的设备和方法，更具体地，涉及热工艺腔室。在一个实施方式中，工本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体处理的外延沉积工艺腔室，所述外延沉积工艺腔室包含：可旋转的基板支撑件，具有第一表面和第二表面；第一透射构件，设置在所述可旋转的基板支撑件的第一侧上并且面向所述第一表面；第二透射构件，设置在所述可旋转的基板支撑件的第二侧上并且面向所述第二表面；和辐射加热源，经配置以输出辐射能量并且经配置以扫过所述可旋转的基板支撑件和调整所述可旋转的基板支撑件的加热图案。2.如权利要求1所述的外延沉积工艺腔室，进一步包含：安装支架，保持所述辐射加热源；和轨道，将所述安装支架耦接到所述外延沉积工艺腔室，其中所述轨道经配置以在径向方向上致动所述辐射加热源。3.如权利要求2所述的外延沉积工艺腔室，其中两个或更多个辐射加热源组件设置在所述轨道上。4.如权利要求1所述的外延沉积工艺腔室，其中所述第一透射构件和所述第二透射构件是拱形结构。5.如权利要求1所述的外延沉积工艺腔室，其中反射器设置在所述外延沉积工艺腔室内。6.一种工艺腔室，包含：基板支撑件，设置在所述工艺腔室内，具有第一表面和第二表面；第一多个加热元件，设置在所述基板支撑件的第一侧上并且面向所述第一表面；第一透射构件，设置在所述基板支撑件和所述第一多个加热元件之间；第二透射构件，设置在所述基板支撑件的第二侧上并且面向所述第二表面；盖，设置在所述基板支撑件的所述第二侧上，使得所述第一多个加热元件设置在所述盖和所述基板支撑件之间；轨道，耦接到所述工艺腔室；和加热源组件，可移动地设置在所述轨道上，其中所述加热源组件包含辐射加热源，所述辐射加热源被引导朝向所述基板支撑件。7.如权利要求6所述的工艺腔室，其中所述轨道经配置以在径向方向上致动所述加热源组件。8.如权利要求6所述的工艺腔室，其中两个或更多个辐射加热源组件设置在所述轨道上。9.如权利要求6所述的工艺腔室，其中第二多个加热元件设置在所述基板支撑件下方。10.如权利要求6所述的工艺腔室，其中所述辐射加热源是束加热源。11.如权利要求6所述的工艺腔室，其中所述辐射...

【专利技术属性】
技术研发人员：舒伯特，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：