一种有机发光二极管(OLED)结构包括：OLED层堆叠；包含UV固化油墨的光提取层(LEL)；以及在LEL与OLED层堆叠之间的UV阻挡层。在LEL与OLED层堆叠之间的UV阻挡层。在LEL与OLED层堆叠之间的UV阻挡层。

一种有机发光二极管(OLED)结构包括：OLED层堆叠，OLED层堆叠包括具有平坦部分的发光区；以及由UV固化油墨形成的光提取层，其设置在OLED层堆叠的发光区上。光提取层沿着垂直于平坦部分的轴具有折射率梯度。平坦部分的轴具有折射率梯度...

描述了用于等离子体处理腔室中晶片载体的先进温度控制系统和方法。在一个示例中，热交换器向工件载体的流体通道提供温度受控的热流体以及接收来自流体通道的热流体。比例阀在热交换器和流体通道之间，以控制从热交换器到流体通道的热流体的流速。气动阀也...

本公开内容涉及一种用于清洁基板的方法和设备。所述方法包括：旋转设置在基板支撑件上的基板；和通过正面喷嘴组件使用蒸汽喷涂所述基板的正面。通过背面分配器组件使用蒸汽喷涂所述基板的背面。将经加热的化学品分配到所述基板的所述正面之上。述基板的所...

本公开内容的多个实施方式针对装载锁定腔室和使用装载锁定腔室的方法。装载锁定腔室包括中间部分、连接到中间部分的上部分和连接到中间部分的下部分。中间部分外部上的刻面中的狭缝阀提供了从装载锁定外部进出中间空间的开口。的开口。的开口。

一种平滑化存储器结构的位线金属的顶表面的工艺减少位线堆叠的电阻。此工艺包括在基板上的多晶硅层上沉积大约30埃至50埃的钛层、在钛层上沉积大约15埃至大约40埃的第一氮化钛层、在大约摄氏700度至摄氏850度的温度退火基板、在退火之后的第...

本技术的实施例可以包括静电吸盘。吸盘可以包括顶表面，顶表面限定了吸盘的凹入部分。吸盘的凹入部分可以被配置为支撑基板。吸盘可以进一步包括第一电极和第二电极。第一电极和第二电极可设置在吸盘内。第一电极和第二电极可以基本上共面。另外，吸盘可以...

本文中的实施方式提供了对使用可流动化学气相沉积(FCVD)工序来沉积的含硅材料层进行基于氧自由基的处理。对FCVD沉积的含硅材料层进行基于氧自由基的处理合乎需要地增加了稳定的Si

本揭示内容的实施方式涉及用于管理热处理腔室中的有机化合物的设备、系统和方法。气体管线可以与热处理腔室流体连通，并且排气泵可以通过排气导管耦接到热处理腔室，并且可以由流出物流量控制阀控制。设备包括取样管线，取样管线具有耦接到排气导管的有机...

一种用于抛光垫的抛光层的增材制造的系统、配方和方法。所述配方包括基于双官能多元醇或双官能多硫醇的聚氨酯丙烯酸酯低聚物。所述技术包括选择所述双官能多元醇或所述双官能多硫醇以影响所述抛光层的性质。所述配方还包括单体和光敏引发剂。所述配方的黏...

本文所述的实施例提供了磁性外壳系统及电磁外壳系统，以及用于控制在工艺腔室的工艺空间中产生的等离子体的性质，以影响膜的沉积性质的方法。在一个实施例中，所述方法包括使旋转磁性外壳绕工艺空间的中心轴旋转，以产生动态磁场。磁场会改变等离子体的形...

于此披露静电卡盘组件和具有所述静电卡盘组件的处理腔室。在一个实施方式中，提供一种静电卡盘组件，静电卡盘组件包括具有外边缘的主体，外边缘连接前侧表面和背侧表面。主体具有设置在主体中的夹持电极。晶片间隔掩模形成在主体的前侧表面上。晶片间隔掩...

描述了选择性沉积方法。钝化膜在沉积介电材料之前沉积在金属表面上。所述方法包括在处理腔室中，将包括金属表面和介电表面的基板表面暴露于包括头基和尾基的杂环反应物；并且选择性地将杂环反应物沉积在金属表面上以形成钝化层，其中杂环头基选择性地与金...

公开了基板处理模块和模块化基板处理系统。所述基板处理模块包括：具有共同限定处理区域的盆体和盖体的腔室；设置在处理区域中的可旋转真空台，可旋转真空台包括限定在可旋转真空台的支撑表面中的多个环形沟道，其中多个环形沟道被配置成与真空源流体耦接...

本公开的实施例提供包括至少一终点检测(EPD)窗口设置穿过抛光垫材料的抛光垫及其形成方法。在一实施例中，形成抛光垫的方法包括通过分配第一前驱物组成物和窗口前驱物组成物，以形成抛光垫的第一层，第一层包含第一抛光垫元件和窗口特征中的每一者的...

本文公开一种在制品的表面上的具有一个或多个中断层以控制晶体生长的稀土氧化物涂层及其形成方法。所述涂层可以通过原子层沉积和/或通过化学气相沉积来沉积。本文公开的所述涂层中的稀土氧化物可以具有与所述一个或多个中断层的原子晶相或非晶相不同的原...

本公开内容提供用于处理基板的通道结构的系统与方法，所述系统和方法包含将基板定位在具有第一处理空间的第一处理腔室中。基板包含带有高深宽比特征的通道结构，所述高深宽比特征具有大于约20:1的深宽比。方法包含在通道结构上方形成含硅层至在第一处...

描述了一种用于材料蒸发的组件。用于材料蒸发的所述组件包括：坩埚，所述坩埚被配置为容纳用于材料蒸发的材料；一个或多个网状结构，所述一个或多个网状结构设置在所述坩埚内部；和一个或多个线圈，所述一个或多个线圈被配置为提供感应能量，所述感应能量...

电镀的示例性方法可包括在半导体基板上形成第一掩模层。所述方法可包括形成叠加在第一掩模层之上的种晶层。所述方法可包括形成叠加在种晶层之上的第二掩模层。所述方法可以包括在半导体基板上镀敷一定量的金属。金属的一部分可镀敷在第一掩模层之上。部分...

一种使用溅射沉积源在基板上沉积薄膜晶体管的层的方法(480、580)，所述溅射沉积源包括至少一个第一电极对和至少一个第二电极对，所述方法包括将所述基板移动(482、582)到第一真空腔室；通过为所述至少一个第一电极对供应双极脉冲DC电压...