本公开内容的实施方式涉及沉积钨的方法。本公开内容的一些实施方式提供了在相对低的温度下执行的用于沉积钨的方法。本公开内容的一些实施方式提供了其中控制反应物气体之间的比率的方法。本公开内容的一些实施方式提供了钨的选择性沉积。本公开内容的一些...

本公开内容的实施方式关于用于在光源的传播方向上定位掩模的方法。掩模对应于待写入基板的光刻胶层中的图案。通过拼接第一掩模和第二掩模来定位掩模。第一掩模包括一组第一特征，第一特征具有在第一特征界面处从第一特征延伸的第一特征延伸部分。第二掩模...

本文中所揭示的是用于微调薄膜的性质的设备及方法。形成压电膜的方法包括：(a)通过第一物理气相沉积(PVD)工艺在基板的表面上沉积第一压电膜层(408(1))。所述方法包括：(b)通过第二PVD工艺沉积第二压电膜层(408(2))，该第二...

本文提供了用于填充基板上的特征的方法及设备。在一些实施例中，一种填充基板上的特征的方法包括：在第一温度下经由化学气相沉积(CVD)工艺在第一处理腔室中在基板上及设置在基板中的特征内沉积第一金属材料；在第二温度及第一偏置功率下在第二处理腔...

描述用于预清洁基板的方法，所述基板具有金属和电介质表面。将包含冷却特征的基座的温度设定为小于或等于100℃，其中基板位在所述基座上。使基板暴露于等离子体处理，以从包括金属底部、电介质侧壁和/或电介质场的基板的特征去除化学残留物和/或杂质...

原位监测挡盘上的沉积的方法及设备。在一些实施方式中，设备可包括：处理腔室，具有内部处理空间；外壳，设置在内部处理空间外部，其中外壳在挡盘不在内部处理空间中使用时接纳挡盘；挡盘臂，从外壳到内部处理空间来回移动挡盘；和至少一个传感器，整合到...

用于处理基板的方法和装置包括清洁和自组装单层(SAM)形成，用于后续的反向选择性原子层沉积。装置可包括：工艺腔室，具有处理空间和包括基座的基板支撑件；远程等离子体源，流体地耦合至工艺腔室，且配置成产生自由基或具有自由基的离子化气体混合物...

本案提供了用于清洁经配置用于处理基板的处理套件的方法和设备。例如，用于处理基板的处理腔室可以包括腔室壁；溅射靶，该溅射靶设置在该内部空间的上部中；基座，该基座包含基板支撑件，该基板支撑件具有支撑表面以支撑在该溅射靶下方的基板；功率源，经...

本文提供了用于在基板处理腔室中使用的靶组件的实施方式。在一些实施方式中，靶组件包括板，所述板包括第一侧，所述第一侧具有中心部分及支撑部分；靶，所述靶设置在所述中心部分上；多个凹槽，所述多个凹槽形成在所述支撑部分中；以及多个自保持低摩擦垫...

描述了一种清洁用于制造半导体装置的接面界面的处理，涉及在垂直分离的区域之间形成低电阻的电连接。可执行蚀刻以移除凹陷特征底部处的硅表面上的氧化硅。描述了用于蚀刻孔或沟槽底部处的氧化物同时最小化对底层的外延层和场上的介电层和金属栅极结构的转...

本文提供了用于在等离子体处理腔室中使用的处理套件的实施方式。在一些实施方式中，一种用于在处理腔室中使用的处理套件包括：环形主体，该环形主体具有上部部分和从上部部分向下并径向向内延伸的下部部分，其中环形主体包括内表面，该内表面具有向下延伸...

本文公开一种在制品的表面上的具有一个或多个中断层以控制晶体生长的稀土氧化物涂层及其形成方法。所述涂层可以通过原子层沉积和/或通过化学气相沉积来沉积。本文公开的所述涂层中的稀土氧化物可以具有与所述一个或多个中断层的原子晶相或非晶相不同的原...

一种半导体处理的示例性方法，可包括以下步骤：在安置于容纳在半导体处理腔室的处理区域中的基板支撑件上的基板上沉积材料。处理区域可至少部分地由基板支撑件和面板限定。基板支撑件可在处理区域内相对于面板处于第一位置。方法可包括以下步骤：将基板支...

提供了一种在基板上形成图案化特征的方法。该方法包括以下步骤：将布置在掩模布局中的多个掩模定位在基板上方。基板定位在第一平面中，且多个掩模定位在第二平面中，掩模布局中的多个掩模具有多个边缘，多个边缘各自平行于第一平面且平行或垂直于基板上的...

一种有机发光二极管(OLED)结构，包括：基板；介电层，所述介电层位于基板上，所述介电层具有阱结构阵列，其中每个阱结构包括凹部，所述凹部具有侧壁和底部，并且所述阱结构由平台隔开；OLED层堆叠，所述OLED层堆叠至少覆盖阱的底部；光提取...

本文提供了用于在处理腔室中使用的上反射器组件的方法和设备。在一些实施方式中，一种用于在处理腔室中使用的上反射器组件包括：反射器安装环；及上反射器板，耦接到反射器安装环，并具有上表面和下表面，其中下表面包括多个线性通道，多个线性基本彼此平...

本发明描述了制造用于显示器制造的多个薄膜晶体管的层的方法和所述方法的设备。所述方法包括在处理气体氛围中从含氧化铟的靶溅射透明导电氧化物层。处理气体氛围(222)包含水蒸汽、H2，和惰性气体，其中水蒸汽的含量是从1％至10％，其中H2的含...

方法和气体流量控制组件经配置而将气体以所需流量比输送到处理腔室区。在一些实施方式中，组件包括一或多个MFC和背压控制器(BPC)。组件包括控制器、处理气体源、分配歧管、压力传感器、处理腔室、一或多个质量流量控制器和背压控制器，压力传感器...

本文公开了用于在集成基板处理系统中安排基板处理序列的方法、系统、及非暂时性计算机可读取介质。处理装置针对一批半导体基板产生处理模型。该处理模型针对该集成基板处理系统中的每个处理腔室中的每个半导体基板定义对应的开始时间。一个或多个图形处理...

本公开内容涉及抛光系统、抛光基板的方法和执行该方法的计算机存储介质。在抛光系统和抛光方法中，针对传感器的每次扫描，从原位监测系统所接收的数据包括层上的多个不同位置的多个测量到的信号值。基于来自该原位监测系统的该数据确定抛光垫的厚度。针对...