具有自保持低摩擦垫的PVD靶制造技术

本文提供了用于在基板处理腔室中使用的靶组件的实施方式。在一些实施方式中，靶组件包括板，所述板包括第一侧，所述第一侧具有中心部分及支撑部分；靶，所述靶设置在所述中心部分上；多个凹槽，所述多个凹槽形成在所述支撑部分中；以及多个自保持低摩擦垫，所述多个自保持低摩擦垫部分地设置在所述多个凹槽中，其中所述多个低摩擦垫中的每个低摩擦垫包括实心主体部分及自保持杆，所述自保持杆从所述实心主体部分的底部向外延伸，其中所述自保持杆包括设置在所述第一通孔部分中的第一杆部分及设置在所述第二通孔部分中的第二杆部分。分及设置在所述第二通孔部分中的第二杆部分。分及设置在所述第二通孔部分中的第二杆部分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有自保持低摩擦垫的PVD靶


[0001]本专利技术的实施方式大体而言关于半导体处理设备。
[0002]现有技术的描述
[0003]物理气相沉积(Physical vapor deposition,PVD)通常用于在基板，例如半导体基板上形成材料薄层。通常包括背板的溅射靶在合适的腔室内设置在基板附近，并且形成PVD溅射腔室的上部部分。背板往往搁置在陶瓷绝缘环上。在一些工艺中，在处理靶背板及腔室壁的热膨胀期间，靶及腔室的温度升高。靶背板及腔室壁的热膨胀可能不同，并且专利技术人已经观察到所述热膨胀导致靶背板及绝缘环相对于彼此移动，从而引起摩擦。已经观察到摩擦导致背板及绝缘环一起研磨，从而导致背板的部分在界面处磨损。磨损的材料可能会污染腔室。
[0004]因此，专利技术人已经提供了一种靶组件，所述靶组件可以使用靶背板上的自保持低摩擦垫来有利地减少在靶与PVD腔室之间的界面处的摩擦。

技术实现思路

[0005]本文提供了用于在基板处理腔室中使用的靶组件的实施方式。在一些实施方式中，靶组件包括板，所述板包括第一侧，所述第一侧具有中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于基板处理腔室的靶组件，包括：板，所述板包括第一侧，所述第一侧包括中心部分及支撑部分，其中所述中心部分被配置为支撑靶源材料；多个凹槽，所述多个凹槽形成在所述支撑部分中，其中所述多个凹槽中的每个凹槽包括具有第一直径的第一通孔部分及具有第二直径的第二通孔部分，所述第二直径大于所述第一通孔的所述第一直径；以及多个低摩擦垫，所述多个低摩擦垫部分地设置在所述多个凹槽中，其中所述多个低摩擦垫中的每个低摩擦垫包括：实心主体部分；以及自保持杆，所述自保持杆从所述实心主体部分的底部向外延伸，其中所述自保持杆包括设置在所述第一通孔部分中的第一杆部分及设置在所述第二通孔部分中的第二杆部分。2.如权利要求1所述的靶组件，其中所述多个凹槽围绕所述板周向间隔开。3.如权利要求1所述的靶组件，其中所述多个凹槽的大小相似。4.如权利要求1所述的靶组件，其中所述第二杆部分包括爪部分，所述爪部分沿第一方向比所述第一杆部分的所述第一直径宽。5.如权利要求4所述的靶组件，其中所述爪部分在垂直于所述第一方向的第二方向上在两侧上是平坦的，使得所述平坦侧的宽度比所述第一杆部分的所述第一直径窄。6.如权利要求4所述的靶组件，其中所述自保持杆包括至少一个狭槽，所述狭槽被配置为允许所述自保持杆被压缩以允许所述第二杆部分配合穿过所述第二通孔部分。7.如权利要求6所述的靶组件，其中所述爪部分与所述第二通孔部分内的保持表面接触，所述保持表面被配置为将所述垫保持在所述凹槽内。8.如权利要求1
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7中任一项所述的靶组件，其中所述多个低摩擦垫中的每个低摩擦垫包括承载表面。9.如权利要求8所述的靶组件，其中所述多个低摩擦垫中的每个低摩擦垫的所述承载表面的表面积系约0.20平方英寸至约0.35平方英寸。10.如权利要求1
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7中任一项所述的靶组件，其中所述多个低摩擦垫中的每个低摩擦垫在所述实心主体部分的拐角处被倒角。11.如权利要求1
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7中任一项所述的靶组件，其中所述多个低摩擦垫中的每个低摩擦垫包括支撑表面及承载表面，其中当所述支撑表面被支撑在凹槽的底表面上时，所述承载表面在所述板的所述第一侧上方间隔开。12.如权利要求11所述的靶组件，其中所述承载表面在所述第一侧上方间隔开约0.05mm至约1mm。13.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊利亚，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：