【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于在薄膜沉积期间调整膜性质的方法与设备
[0001]本文中所揭示的实例关于用于微调沉积的薄膜材料的性质的方法及设备。
技术介绍
[0002]薄膜压电材料可用于传感器及换能器中。压电传感器及换能器亦用于诸如陀螺仪传感器、喷墨印头及其他微机电系统(MEMS)装置的装置中，包括用于移动电话及其他无线应用中的声波共振器。通过诸如溅射、脉冲激光烧蚀(PLD)、MOCVD及溶胶凝胶沉积的技术可制造这些薄压电膜。
[0003]于半导体处理中，物理气相沉积(PVD)(如，溅射工艺)为用于沉积薄膜所使用的传统工艺。PVD工艺包括轰击具有源材料的靶材。于腔室内在等离子体中产生离子，造成源材料从靶材溅射至基板。于一些PVD工艺期间，溅射的源材料接着经由偏压朝向正被处理的基板加速。源材料沉积在基板的表面上。于一些实例中，溅射的源材料可与另外的反应物反应。在溅射制造层于基板上的情况中，薄膜的外延生长可显示由于热以及基于压电的材料与基板之间的晶格失配导致的应变和/或错位结构。
[0004]在沉积溅射的材料期间，溅射的薄膜的厚度及应力均...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种形成压电膜的方法，包含：(a)通过第一物理气相沉积(PVD)工艺在基板的表面上沉积第一压电膜层；(b)通过第二物理气相沉积(PVD)工艺沉积第二压电膜层，所述第二压电膜层在所述第一压电膜层顶部并与所述第一压电膜层接触；(c)在形成所述第一压电膜层之后及形成所述第二压电膜层之前，降低所述基板的温度，其中通过执行过程达第一时段来降低所述温度；以及额外地执行过程(a)、(b)及(c)一或更多次，其中于额外地执行的过程(a)、(b)及(c)中的过程(c)被执行达第二时段，且所述第二时段不同于所述第一时段。2.如权利要求1所述的方法，其中沉积所述第一压电膜层的过程和沉积所述第二压电膜层的过程的至少一个工艺参数不同，并且所述至少一个工艺参数选自由下列所组成的群组：沉积工艺压力、偏压功率及沉积工艺时间。3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一PVD工艺及所述第二PVD工艺各包含：从包含钪的靶材溅射材料，同时流动工艺气体，所述工艺气体包括介于约1比1与约5比1之间的比例的氩和氮。4.如权利要求1所述的方法，其中所述第一PVD工艺及所述第二PVD工艺各包含：从包含铝的靶材溅射材料，同时流动工艺气体，所述工艺气体包括介于约1比1与约5比1之间的比例的氩和氮。5.如权利要求1所述的方法，其中所述第一压电膜层及所述第二压电膜层包含相同的材料组合，并且形成所述第一压电膜层及所述第二压电膜层的时间少于约40秒。6.如权利要求1所述的方法，进一步包含：通过使用第三PVD工艺在所述基板上以第一偏压功率持续第三时段来形成第三压电膜层；以及在形成所述第三压电膜层之前，冷却所述第一压电膜层及所述第二压电膜层。7.如权利要求1所述的方法，其中所述第一时段及所述第二时段各介于约6秒与约60秒之间，其中所述第一压电膜层与所述第二压电膜层之间的界面的检查产生实质上具有单一峰的摇摆曲线。8.如权利要求1所述的方法，进一步包含：在所述基板的所述表面上沉积所述第一压电膜层时流动包含氩(Ar)和氮(N)的工艺气体。9.一种形成压电膜的方法，包含：(a)于第一处理腔室中通过第一物理气相沉积(PVD)工艺在基板的表面上沉积第一压电膜层；(b)于所述第一处理腔室中通过第二PVD工艺沉积第二压电膜层，所述第二压电膜层在所述第一压电膜层顶部并与所述第一压电膜层接触；(c)在形成所述第一压电膜层之后及形成所述第二压电膜层之前，降低基板的温度，其中通过执行过程达第一时段来降低所述温度；以及额外地执行过程(a)、(b)及(c)一或更多次，其中额外地执行的过程(c)被执行达第二时段，并且所述第二时段不同于所述第一时段。10.如权利要求9所述的方法，其中过程(c)进一步包括：暂停沉积工艺达暂停时段，所述暂停时段为从约3秒至约50秒，且所述第一时段为介于约10秒与约60秒之间，且所述第二
时段为介于约10秒与约50秒之间。11.如权利要求9所述的方法，其中沉积所述第一压电膜层的过程及沉积...
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