半导体处理的示例性方法可包括用含氢前驱物处理基板的表面。基板可设置在半导体处理腔室的处理区域内。方法可包括使基板与含钨前驱物接触。方法可包括在基板上形成包括钨的起始层。方法可包括由含氢前驱物处理起始层。方法可包括形成含钨前驱物和含碳前驱...

示例性的半导体处理腔室可包含底座，底座包含平台，平台被配置为跨平台的表面支撑半导体基板。腔室可包括第一导电网，第一导电网结合在平台内并且构造成用作第一吸附网。第一导电网可以跨平台径向延伸。腔室可包括第二导电网，第二导电网结合在平台内并且...

本公开内容的实施方式涉及用于处置和均匀烘烤基板的烘烤设备以及用于处置和均匀烘烤基板的方法。烘烤设备允许将基板加热到大于50℃的温度，而没有从基板的边缘到基板的中心的约1mm至约2mm的弯曲。烘烤设备均匀地或实质均匀地加热基板以改善基板品...

沉积方法可以防止或减少沉积的非晶硅膜中可能在高温下退火之后发生的硅结晶。可以通过利用元素掺杂硅来防止硅结晶。所述元素可以是硼、碳、或磷。掺杂所述元素到大于某个浓度会防止在高温和等于或大于30分钟的持续时间下大量结晶。描述了方法和装置。大...

本文提供用于腔室部件(腔室部件用于在工艺腔室中使用，腔室部件诸如表面成形的或纹理化的腔室部件)的表面成形和纹理化的方法和装置，和使用所述腔室部件的方法。在某些实施方式中，方法包括使用一个或多个传感器测量参考基板或被加热的基座的参数；和基...

自动教学外壳系统包括多个表面，其至少部分地包围自动教学外壳系统的内部容积。自动教学外壳系统进一步包括至少部分地设置在内部容积内的自动教学销。自动教学销是可扫描的特征，其在自动教学外壳系统内具有固定位置。自动教学外壳系统进一步包括耦接到多...

用于在反应器腔室中执行物理气相沉积以在基板上形成铝材料的方法与设备，所述方法包括以下步骤：在基板的顶部上沉积第一铝层以形成具有第一晶粒尺寸和第一温度的第一铝区域；以及以足以将第一晶粒尺寸增加到第二晶粒尺寸的速率将基板顶部上的第一铝区域冷...

描述了用于电镀的系统及方法。电镀系统可包括容器，该容器被配置为容纳液态电解质的第一部分。此系统亦可包括基板固持件，该基板固持件被配置为用于将基板固持于容器中。此系统可进一步包括流体连通于容器的第一储存器。此外，此系统可包括流体连通于容器...

形成半导体结构的示例性方法可包括形成覆盖半导体基板的第一氧化硅层。此方法可包括形成覆盖第一氧化硅层的第一硅层。此方法可包括形成覆盖第一硅层的氮化硅层。此方法可包括形成覆盖氮化硅层的第二硅层。此方法可包括形成覆盖第二硅层的第二氧化硅层。此...

本公开涉及半导体核心组件及其形成方法。本文所述的半导体核心组件可以用于形成半导体封装组件、PCB组件、PCB间隔件组件、芯片载体组件、中间载体组件(例如，用于图形卡)等。在一个实施例中，通过直接激光图案化来构造硅基板核心。一个或多个导电...

一种用于测量在处理腔室内部的组件的温度的设备。该设备可包括：光管，定位在灯辐射滤光窗与该组件之间，该光管具有带有斜面的第一端部并具有远离该第一端部的第二端部，该斜面被构造成将从该组件所发射的红外辐射重新导向穿过该光管；光学组件，被构造成...

本公开内容涉及用于沉积腔室的喷头的方法和装置。在一个实施方式中，提供一种用于等离子体沉积腔室的喷头，包括多个穿孔的砖，其每一个耦合至多个支撑构件的一个或多个，及在喷头之中的多个电感耦合器，其中多个电感耦合器的一个电感耦合器相对应至多个穿...

本文的实施例总体上涉及用于抛光基板的系统和抛光工作台。在一个实施例中，一种抛光系统包括：基板载体，所述基板载体包括用于在抛光工艺期间包围待处理基板的环形扣环；以及抛光工作台。抛光工作台包括圆柱形金属主体，所述圆柱形金属主体具有垫安装表面...

本发明提供用于处理基板的方法和设备。举例而言，方法可包括在第一基板上沉积第一金属层；在第一金属层顶上沉积第二金属层；在第二基板上沉积第三金属层；在第三金属层顶上沉积第四金属层；以及在足以通过扩散层使第一基板接合至第二基板的条件下，使第二...

本公开涉及半导体核心组件及其形成方法。本文所述的半导体核心组件可以用于形成半导体封装组件、PCB组件、PCB间隔件组件、芯片载体组件、中间载体组件(例如，用于图形卡)等。在一个实施例中，通过直接激光图案化来构造硅基板核心。一个或多个导电...

示例性的沉积方法可包括：将含硅前驱物和载体前驱物输送到半导体处理腔室的处理区域。方法可包括：在半导体处理腔室的处理区域内形成含硅前驱物和载体前驱物的等离子体。方法可包括：在设置在半导体处理腔室的处理区域内的基板上沉积第一数量的含硅材料。...

本文公开的实施例总的来说关于等离子体处理系统。等离子体处理系统包括处理腔室、腔室陈化系统和远程等离子体清洁系统。处理腔室具有界定处理区域和等离子体场的腔室主体。腔室陈化系统耦接到处理腔室。腔室陈化系统经配置而陈化处理区域和等离子体场。远...

本公开内容的实施方式一般涉及用于在液晶显示器(LiquidCrystalDisplay,LCD)及有机发光二极管(organiclight

可以执行处理方法以产生可以包括高k介电材料的半导体结构。该方法可以包括从基板的表面移除原生氧化物。所述方法可以包括将一氧化二氮传递至基板并热退火表面以形成含氧化物的界面。该方法可以包括将含氮前驱物或含氧前驱物传递到被容纳在半导体处理腔室...

本文提供了用于检测紫外光的方法和设备。例如，紫外(UV)处理腔室包括：真空窗或透明喷头；UV光源，设置在真空窗或透明喷头的一个的上方，并配置成产生UV光并将UV光传送到UV处理腔室的处理空间中；和第一UV传感器，配置成测量来自UV光源的...