高密度等离子体增强化学气相沉积腔室制造技术

本公开内容涉及用于沉积腔室的喷头的方法和装置。在一个实施方式中，提供一种用于等离子体沉积腔室的喷头，包括多个穿孔的砖，其每一个耦合至多个支撑构件的一个或多个，及在喷头之中的多个电感耦合器，其中多个电感耦合器的一个电感耦合器相对应至多个穿孔的砖的一个，其中支撑构件提供前驱物气体至形成于电感耦合器及穿孔的砖之间的空间。感耦合器及穿孔的砖之间的空间。感耦合器及穿孔的砖之间的空间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】高密度等离子体增强化学气相沉积腔室


[0001]本公开内容的实施方式一般涉及一种用于处理大面积基板的装置。更特定而言，本公开内容的实施方式涉及用于器件制作的化学气相沉积系统。

技术介绍

[0002]在太阳能面板及平板面板显示器的制造中，利用许多处理以在例如半导体基板、太阳能面板基板和液晶显示器(LCD)和/或有机发光二极管(OLED)基板的基板上沉积薄膜，以在其上形成电子器件。沉积大致通过引导前驱物气体至具有设置于温度控制的基板支撑件上的基板的真空腔室中来完成。前驱物气体通常通过座落于接近真空腔室的顶部的气体分配板引导。在真空腔室中的前驱物气体可通过从耦合至腔室的一个或多个RF源施加射频(RF)功率至设置于腔室中的导电喷头而能量化(例如，激发)成等离子体。激发的气体反应以在定位于温度控制的基板支撑件上的基板的表面上形成材料的层。
[0003]用于形成电子器件的基板的尺寸在表面积上目前常规地超过1平方米。横跨这些基板的膜厚度均匀性难以实现。随着基板尺寸增加，膜厚度均匀性变成甚至更困难的。传统上，在传统腔室中形成等离子体用于离子化气体原子且本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种等离子体沉积腔室，包含：喷头，具有多个穿孔的砖，每一个耦合至多个支撑构件的一个或多个；多个介电板，所述多个介电板的一个相对应至所述多个穿孔的砖的一个；和多个电感耦合器，其中所述多个电感耦合器的一个电感耦合器相对应至所述多个介电板的一个，其中所述支撑构件包括提供前驱物气体至形成于所述电感耦合器及所述穿孔的砖之间的空间的多个入口，其中所述入口的每一个具有限流器，所述限流器包括横跨所述喷头变化的直径。2.如权利要求1所述的腔室，其中所述入口的每一个包括导管，所述导管具有第一直径和第二直径。3.如权利要求1所述的腔室，其中所述限流器的每一个包括长度，所述长度横跨所述喷头而变化。4.如权利要求1所述的腔室，进一步包含与所述电感耦合器的每一个相关联的介电板，所述介电板结合所述空间的一侧。5.如权利要求1所述的腔室，其中所述多个穿孔的砖及所述多个支撑构件的每一个包括界面部分。6.如权利要求1所述的腔室，进一步包含覆盖板，定位于所述穿孔的砖的每一个四周。7.如权利要求6所述的腔室，其中所述覆盖板包括形成于其中的开口。8.如权利要求7所述的腔室，其中每一个穿孔的砖包括与形成于所述覆盖板中的所述开口对齐的开口。9.如权利要求1所述的腔室，其中所述喷头划分成分散的气体传输区，包含中心区、邻接于所述中心区的中...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：