腔室部件的表面成形和纹理化制造技术

本文提供用于腔室部件(腔室部件用于在工艺腔室中使用，腔室部件诸如表面成形的或纹理化的腔室部件)的表面成形和纹理化的方法和装置，和使用所述腔室部件的方法。在某些实施方式中，方法包括使用一个或多个传感器测量参考基板或被加热的基座的参数；和基于所测量的参数物理地修改腔室部件的表面。数物理地修改腔室部件的表面。数物理地修改腔室部件的表面。

Surface forming and texturing of chamber components

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】腔室部件的表面成形和纹理化


[0001]本公开内容的实施方式总体涉及半导体处理装备。

技术介绍

[0002]集成电路包含通过各种技术沉积的材料的多个层，各种技术包括化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)。在半导体基板上经由CVD或ALD沉积材料是在生产集成电路的工艺中的典型步骤。专利技术人已观察到在某些应用中经由CVD或ALD在基板上沉积的材料的不期望的不均匀性。这些不均匀性导致在进一步处理之前平面化或以其他方式修复基板招致的另外的成本，或导致总体集成电路可能的故障。
[0003]相应地，专利技术人已提出用于在基板上均匀地沉积材料的改善的方法和装置。

技术实现思路

[0004]本文提供用于腔室部件(腔室部件用于在工艺腔室中使用，腔室部件诸如表面成形的(surface
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profiled)或纹理化的(textured)腔室部件)的表面成形(profiling)和纹理化(texturing)的方法和装置，和使用所述腔室部件的方法。在某些实施方式中，方法包括使用一个或多个传感器测量参考基板或被加热的基座本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种方法，包含以下步骤：使用一个或多个传感器测量参考基板或被加热的基座的参数；和基于所测量的所述参数而物理地修改腔室部件的表面。2.如权利要求1所述的方法，其中修改所述腔室部件的所述表面的步骤包含以下任一步骤：向所述腔室部件提供具有不同发射率的区域的表面修整；或在所述表面的不同区域中改变表面积。3.如权利要求1所述的方法，其中所述腔室部件的所述表面经由激光、喷水、喷珠或化学纹理化而修改。4.如权利要求1所述的方法，其中测量所述参考基板的所述参数和修改所述腔室部件的所述表面的步骤在单一工艺腔室中完成。5.如权利要求1所述的方法，其中测量所述参考基板的所述参数和修改所述腔室部件的所述表面的步骤在不同工艺腔室中完成。6.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：施加转换函数至所述参考基板或所述被加热的基座的所测量的所述参数，以产生目标图案；和基于所述目标图案修改所述腔室部件的所述表面。7.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：基于所测量的所述参数产生热图；和基于所述热图修改所述腔室部件的所述表面。8.如权利要求1至7中任一项所述的方法，其中所述参数为基板温度、基板膜厚度、介电常数、基板膜应力或被加热的基座温度。9.如权利要求1至7中任一项所述的方法，进一步包含以下步骤：在修改所述腔室部件的所述表面之前或之后，以保护涂层涂布所述腔室部件。10.如权利要求9所述的方法，进一步包含以下步骤：使用经修改的所述腔室部件处理基板；和在处理所述基板之后重新施加所述保护涂层。11.如权利要求1至7中任一项所述的方法，进一步包含以下步骤：在修改所述腔室部件的所述表面之前，以保护涂层涂布所述腔室部件，其中修改所述腔室部件的所述表面和涂布所述腔室部件的步骤在单一工艺腔室中执行。12.如权利要求1至7中任一项所述的方法，进一步包含以下步骤：在修改所述腔室部件的所述表面之前，以保护涂层涂布所述腔室部件，其中修改所述腔室部件的所述表面和涂布所述腔室部件的步骤在不同工艺腔室中执行。13.一种用于储存计算机指令的非暂时性计算机可读介质，当通过至少一个处理器执行时，造...

【专利技术属性】
技术研发人员：大卫，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：