多区静电吸盘制造技术

示例性的半导体处理腔室可包含底座，底座包含平台，平台被配置为跨平台的表面支撑半导体基板。腔室可包括第一导电网，第一导电网结合在平台内并且构造成用作第一吸附网。第一导电网可以跨平台径向延伸。腔室可包括第二导电网，第二导电网结合在平台内并且构造成用作第二吸附网。第二导电网的特征可在于环形。第二导电网可设置在第一导电网和平台的表面之间。导电网可设置在第一导电网和平台的表面之间。导电网可设置在第一导电网和平台的表面之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多区静电吸盘
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2019年12月17日提交的美国专利申请No.16/717,245的优先权，该专利申请出于所有目的以其全部内容通过引用结合于此。


[0003]本技术关于半导体处理与腔室部件。更具体而言，本技术关于腔室部件和处理方法。

技术介绍

[0004]通过在基板表面上产生具有错综复杂图案的材料层，而使集成电路成为可能。在基板上产生图案化材料需要受控的形成和去除暴露材料的方法。随着组件尺寸的不断缩小，沉积的材料可能会在基板上施加应力，这可能会导致基板翘曲。在随后的沉积操作中，晶片翘曲可能会影响整个基板支撑件上的接触，从而影响加热。整个基板上的加热分布不均匀会影响后续的沉积操作，从而导致整个基板表面上的沉积不均匀。
[0005]因此需要可以用于产生高质量的组件与结构的改良的系统与方法。本技术解决了这些与其他的需求。

技术实现思路

[0006]示例性的半导体处理腔室可包含底座，底座包含平台，平台被配置为跨平台的表面支撑半导体基板。腔室可包括第一导电网，第一导电网结合在平台内并且构造成用作第一吸附网。第一导电网可以跨平台径向延伸。腔室可包括第二导电网，第二导电网结合在平台内并且构造成用作第二吸附网。第二导电网的特征可在于环形。第二导电网可设置在第一导电网和平台的表面之间。
[0007]在一些实施例中，腔室可包括第三导电网，第三导电网结合在平台内并且构造成用作第三吸附网。第三导电网可以包含在第二导电网的内环形半径内。第三导电网可设置在第一导电网和平台表面之间。第二导电网和第三导电网可在平台内共面。第二导电网和第三导电网可以被环形间隙分开。腔室可包括与第二导电网相关联的第一热电偶，以及与第三导电网相关联的第二热电偶。第一导电网和第二导电网能够独立于电源操作。腔室可包括设置在第一导电网和第二导电网之间的云母片。云母片可延伸到形成在第一导电网内的孔中，并且电极连接器可延伸穿过该孔和该云母片以与第二导电网电耦合。腔室可包含至少两个附加的导电网，至少两个附加的导电网与第一导电网和第二导电网轴向对准。
[0008]本技术的一些实施例可以包括基板支撑底座。底座可包含平台，平台被配置为跨平台的表面支撑半导体基板。底座可包括第一导电网，第一导电网结合在平台内并且构造成用作第一吸附网。第一导电网可以沿平台径向延伸。底座可包括第二导电网，第二导电网结合在平台内并且构造成用作第二吸附网。第二导电网的特征可在于为环形，并且第二导电网可以设置在第一导电网和平台表面之间。腔室可包括第三导电网，第三导电网并入在
平台内并且构造成用作第三吸附网。第三导电网可以包含在第二导电网的内环形半径内。第三导电网可设置在第一导电网和平台的表面之间。
[0009]在一些实施例中，腔室可包括与第二导电网相关联的第一热电偶，以及与第三导电网相关联的第二热电偶。第二导电网和第三导电网可在平台内共面。第二导电网和第三导电网可以被环形间隙分开。第一导电网和第二导电网在基板支撑件内能够独立于电源操作。底座可包括设置在第一导电网和第二导电网之间的云母片。云母片可以延伸到在第一导电网内形成的孔中。电极连接器可延伸穿过该孔和该云母片以与第二导电网电耦合。底座可包含至少两个附加导电网，至少两个附加导电网与第一导电网和第二导电网同心对准。
[0010]本技术的一些实施例可以涵盖半导体处理方法。方法可以包括通过接合基板支撑件的第一导电网将基板夹持在基板支撑件上。第一导电网可以跨基板支撑件眼神。方法可以包括接合基板支撑件的第二导电网。第二导电网可以包括覆盖第一导电网的环形网。第一导电网可以以第一夹持电压接合基板。第二导电网可以以大于第一夹持电压的第二夹持电压接合基板。方法可以包括在基板上执行半导体处理操作。在一些实施例中，第二导电网的特征可以在于环形。基板支撑件可以包括第三导电网，并且第二导电网和第三导电网可以是共面的。
[0011]这种技术可提供优于常规系统与技术的数个益处。例如，系统可以改善沉积轮廓以改善跨基板的均匀性。另外，此技术可以提供对吸附电压的原位调整，这可以允许在处理期间以及其他半导体处理期间影响沉积的调整。这些与其他实施例(以及许多他们的优点与特征)，被结合下列说明与附加附图更详细地说明。
附图说明
[0012]参照说明书的其余部分与附图，可进一步理解所公开的技术的本质与优点。
[0013]图1图示根据本技术的一些实施例的示例性处理腔室的示意性截面示意图。
[0014]图2图示根据本技术的一些实施例的示例性基板支撑件的示意性截面图。
[0015]图3图示根据本技术的一些实施例的示例性基板支撑件的示意性截面图。
[0016]图4示出了根据本技术的一些实施例的半导体处理的方法中的示例性操作。
[0017]包含数个附图以作为示意图。应理解图示是用于说明，且不应被视为按比例，除非特别说明其为按比例绘制。此外，作为示意图，附图被提供以帮助理解，且可不包含相较于实际呈现的所有方面或信息，并可包含夸大的内容以用于说明的目的。
[0018]在随附附图中，类似的部件和/或特征可具有相同的附图标记。再者，相同类型的各个部件，可由附图标记之后的字母来分辨，此字母分辨类似的部件。若说明书中仅使用了首个附图标记，则其说明可适用于具有相同的首个附图标记的类似部件中的任意者，不论其字尾字母为何。
具体实施方式
[0019]许多材料沉积处理可能对温度敏感。在各种处理系统中，基板支撑件可以在沉积期间用作基板的热源。当执行制造处理时，可能在基板上形成许多材料层，这可能在基板上施加许多应力。在许多情况下，这些应力可能会导致一定量的基板翘曲。静电吸附可以抵消
许多翘曲效应以保持较平坦的基板，这可以保持在基板支撑件上的更均匀的接触，从而可以保持在基板上的更均匀的加热。
[0020]应力可能会增加，导致更明显的晶片翘曲，许多常规技术可试图通过增加吸附电压来抵消晶片翘曲，以试图克服较高的应力，或者以其他方式改变腔室部件或处理。随着应力的增加，增加吸附电压可能会提供有限的改善程度，并且单纯增加吸附电压可能会产生不良影响。例如，许多单极吸盘在整个电极上接收均匀的电压偏压。电场线倾向于集中在基板的中心，因为电通量在基板的中心可具有较低的损耗。尽管此抵消力可克服由于某些膜应力而引起的晶片翘曲，但是随着电压的增加，此力可能导致基板的径向边缘最终从基板支撑件上拉开。因此，尽管可以在更靠近与加热的基板支撑件保持接触的基板中心处发生均匀的温度传递，但是在外围边缘处，基板和支撑件之间的间隙可能减少热传递，并且可能出现在基板上的温度梯度。
[0021]整个基板上的温度梯度可能会产生多种影响。例如，尽管一些沉积操作增加了在较高温度下的沉积，但是一些其他沉积操作可能减少了在较高温度下的沉积。在基板上可能发生边缘翘曲的第一种情况下，可能会发生中心峰(center
‑
peak)沉积处理。在后一种情况下，可能会发生边缘峰(edg本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体处理腔室，包含：底座，所述底座包含平台，所述平台被配置为跨所述平台的表面支撑半导体基板；第一导电网，所述第一导电网结合在所述平台内，并且所述第一导电网经配置成用作第一吸附网，其中所述第一导电网跨所述平台径向延伸：以及第二导电网，所述第二导电网结合在所述平台内，并且所述第二导电网经配置成用作第二吸附网，其中所述第二导电网的特征在于为环形，并且其中所述第二导电网设置在所述第一导电网和所述平台的所述表面之间。2.如权利要求1所述的半导体处理腔室，所述半导体处理腔室进一步包含第三导电网，所述第三导电网结合在所述平台内并且经配置成用作第三吸附网，其中所述第三导电网被包含在所述第二导电网的内环形半径内，并且其中所述第三导电网被设置在所述第一导电网和所述平台的所述表面之间。3.如权利要求2所述的半导体处理腔室，其中所述第二导电网和所述第三导电网在所述平台内共面。4.如权利要求3所述的半导体处理腔室，其中所述第二导电网和所述第三导电网由环形间隙分开。5.如权利要求4所述的半导体处理腔室，所述半导体处理腔室进一步包含：第一热电偶，所述第一热电偶与所述第二导电网相关联，以及第二热电偶，所述第二热电偶与所述第三导电网相关联。6.如权利要求1所述的半导体处理腔室，其中所述第一导电网和所述第二导电网能够独立于电源操作。7.如权利要求1所述的半导体处理腔室，所述半导体处理腔室进一步包括设置在所述第一导电网和所述第二导电网之间的云母片。8.如权利要求7所述的半导体处理腔室，其中所述云母片延伸到形成在所述第一导电网内的孔中，并且其中电极连接器延伸穿过所述孔和所述云母片以与所述第二导电网电耦合。9.如权利要求1所述的半导体处理腔室，所述半导体处理腔室进一步包含至少两个附加导电网，所述至少两个附加导电网与所述第一导电网和所述第二导电网轴向对准。10.一种基板支撑底座，包括：平台，所述平台被配置为跨所述平台的表面支撑半导体基板；第一导电网，所述第一导电网结合在所述平台内，并且所述第一导电网经配置成用作第一吸附网，其中所述第一导电网沿所述平台径向延伸：以及第二导电网，所述第二导电网结合在所述平台内，并且所述第二导电网经配置成用作第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：