多区静电吸盘制造技术

示例性的半导体处理腔室可包含底座，底座包含平台，平台被配置为跨平台的表面支撑半导体基板。腔室可包括第一导电网，第一导电网结合在平台内并且构造成用作第一吸附网。第一导电网可以跨平台径向延伸。腔室可包括第二导电网，第二导电网结合在平台内并且构造成用作第二吸附网。第二导电网的特征可在于环形。第二导电网可设置在第一导电网和平台的表面之间。导电网可设置在第一导电网和平台的表面之间。导电网可设置在第一导电网和平台的表面之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多区静电吸盘
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2019年12月17日提交的美国专利申请No.16/717,245的优先权，该专利申请出于所有目的以其全部内容通过引用结合于此。


[0003]本技术关于半导体处理与腔室部件。更具体而言，本技术关于腔室部件和处理方法。

技术介绍

[0004]通过在基板表面上产生具有错综复杂图案的材料层，而使集成电路成为可能。在基板上产生图案化材料需要受控的形成和去除暴露材料的方法。随着组件尺寸的不断缩小，沉积的材料可能会在基板上施加应力，这可能会导致基板翘曲。在随后的沉积操作中，晶片翘曲可能会影响整个基板支撑件上的接触，从而影响加热。整个基板上的加热分布不均匀会影响后续的沉积操作，从而导致整个基板表面上的沉积不均匀。
[0005]因此需要可以用于产生高质量的组件与结构的改良的系统与方法。本技术解决了这些与其他的需求。

技术实现思路

[0006]示例性的半导体处理腔室可包含底座，底座包含平台，平台被配置为跨平台的表面支撑半导体基板。腔室可包括第一导电网，第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体处理腔室，包含：底座，所述底座包含平台，所述平台被配置为跨所述平台的表面支撑半导体基板；第一导电网，所述第一导电网结合在所述平台内，并且所述第一导电网经配置成用作第一吸附网，其中所述第一导电网跨所述平台径向延伸：以及第二导电网，所述第二导电网结合在所述平台内，并且所述第二导电网经配置成用作第二吸附网，其中所述第二导电网的特征在于为环形，并且其中所述第二导电网设置在所述第一导电网和所述平台的所述表面之间。2.如权利要求1所述的半导体处理腔室，所述半导体处理腔室进一步包含第三导电网，所述第三导电网结合在所述平台内并且经配置成用作第三吸附网，其中所述第三导电网被包含在所述第二导电网的内环形半径内，并且其中所述第三导电网被设置在所述第一导电网和所述平台的所述表面之间。3.如权利要求2所述的半导体处理腔室，其中所述第二导电网和所述第三导电网在所述平台内共面。4.如权利要求3所述的半导体处理腔室，其中所述第二导电网和所述第三导电网由环形间隙分开。5.如权利要求4所述的半导体处理腔室，所述半导体处理腔室进一步包含：第一热电偶，所述第一热电偶与所述第二导电网相关联，以及第二热电偶，所述第二热电偶与所述第三导电网相关联。6.如权利要求1所述的半导体处理腔室，其中所述第一导电网和所述第二导电网能够独立于电源操作。7.如权利要求1所述的半导体处理腔室，所述半导体处理腔室进一步包括设置在所述第一导电网和所述第二导电网之间的云母片。8.如权利要求7所述的半导体处理腔室，其中所述云母片延伸到形成在所述第一导电网内的孔中，并且其中电极连接器延伸穿过所述孔和所述云母片以与所述第二导电网电耦合。9.如权利要求1所述的半导体处理腔室，所述半导体处理腔室进一步包含至少两个附加导电网，所述至少两个附加导电网与所述第一导电网和所述第二导电网轴向对准。10.一种基板支撑底座，包括：平台，所述平台被配置为跨所述平台的表面支撑半导体基板；第一导电网，所述第一导电网结合在所述平台内，并且所述第一导电网经配置成用作第一吸附网，其中所述第一导电网沿所述平台径向延伸：以及第二导电网，所述第二导电网结合在所述平台内，并且所述第二导电网经配置成用作第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：