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示例性的半导体处理腔室可包含底座，底座包含平台，平台被配置为跨平台的表面支撑半导体基板。腔室可包括第一导电网，第一导电网结合在平台内并且构造成用作第一吸附网。第一导电网可以跨平台径向延伸。腔室可包括第二导电网，第二导电网结合在平台内并且构造...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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