应用材料公司专利技术

应用材料公司共有6595项专利

  • 本文描述的实施方式总体涉及输送反应物气体的处理系统和方法。处理系统包括基板支撑系统、注入锥和进口。注入锥包括线性舵。线性舵设置成使得反应物气体通过注入锥的流动造成在基板的特定部分上的膜生长。方法包括以下步骤:使气体流动通过注入锥并且将气...
  • 描述了一种用于在运输方向(T)上运输载体(10)的磁悬浮系统(100)。所述磁悬浮系统包括:至少一个磁轴承(120),所述至少一个磁轴承具有带有U形电磁体的第一致动器(121),用于将所述载体(10)非接触地保持在载体运输空间(15)中...
  • 描述了一种用于在真空沉积腔室中将材料沉积在基板上的材料沉积布置。所述材料沉积布置包括:坩埚,所述坩埚被配置为通过开口蒸发材料;分配组件,所述分配组件被配置为通过多个喷嘴排出蒸发的材料;以及第一碳环和第二碳环,所述第一碳环和所述第二碳环在...
  • 描述了一种用于支撑基板载体的设备、一种基板载体以及一种基板装载模块。所述设备包括载体锁定机构(140),所述载体锁定机构被配置为在所述基板载体的一侧接合所述基板载体(210),所述基板载体在所述设备处以竖直取向布置并且所述载体锁定机构包...
  • 本揭露内容的实施方式涉及制品、涂覆的制品以及用耐腐蚀涂层涂覆这些制品的方法。耐腐蚀涂层可以包括铪铝氧化物。可以通过例如原子层沉积的非视线性沉积来沉积耐腐蚀涂层。可涂覆的制品可包括腔室部件,例如气体管线。例如气体管线。例如气体管线。
  • 本文提供了用于处理基板的方法。例如,方法包括以下步骤:在基板上的至少一个特征结构内选择性地沉积第一金属层;在第一金属层的顶上且至少在界定至少一个特征结构的侧壁上沉积第二金属层;在第二金属层的顶上并在特征结构内沉积第三金属层,以至少完全填...
  • 本公开案的实施方式关于用于形成源极/漏极延伸的方法。在一个实施方式中,一种用于形成nMOS装置的方法包括以下步骤:在半导体鳍片的第一部分上形成栅极电极与栅极隔件,移除半导体鳍片的第二部分以暴露侧壁及底部,在侧壁及底部上形成砷掺杂的硅(S...
  • 本文的实施例总体上涉及用于抛光基板的表面的基板载体组件。在一个实施例中,用于抛光基板的表面的基板载体包括被配置成在抛光工艺期间包围基板的扣环。扣环包括:第一表面,该第一表面被配置成在抛光工艺期间与抛光垫的表面接触;第二表面,该第二表面在...
  • 本申请涉及半导体基板支撑件。工件保持器包括定位盘,该定位盘具有圆柱轴、该圆柱轴周围的半径及厚度。该定位盘的至少顶面是实质平面的,且该定位盘限定一或更多个断热器。各断热器为径向凹口,该径向凹口与该圆柱形定位盘的该顶面及底面中的至少一者相交...
  • 一种系统包括工艺腔室、界定波导空腔的壳体、和在壳体内的第一导电板。第一导电板面向工艺腔室。所述系统还包括至少可调整第一导电板的位置的一个或多个调整装置、以及在波导空腔与工艺腔室之间的与壳体耦接的第二导电板。电磁辐射可经由第二导电板中的孔...
  • 本文中所述的实施方式涉及用以减少(例如在HDP
  • 本公开内容的实施方式一般涉及用于在增大的压力及降低的温度下在半导体装置上形成掺杂硅的外延层的方法。在一个实施方式中,该方法包括将设置在处理腔室内的基板加热至约550℃至约800℃的温度,将包含三氯硅烷(TCS)的硅源、磷源及包含卤素的气...
  • 描述用于沉积更高氮含量的氮化硅膜的方法。某些方法包括:将基板暴露于硅氮前驱物及氨等离子体,以形成可流动聚合物;和,然后固化该聚合物以形成氮化硅膜。某些方法在没有使用UV固化工艺的情况下固化可流动聚合物。也描述由上述方法生成的膜。由上述方...
  • 一种在形成在衬底上的半导体结构上形成高κ介电帽层的方法包括以下步骤:在半导体结构上沉积高κ介电帽层;在高κ介电帽层上形成牺牲硅帽层;执行后帽退火工艺以硬化和致密化所沉积的高κ介电帽层;和去除牺牲硅帽层。和去除牺牲硅帽层。和去除牺牲硅帽层。
  • 在用以从半导体制造方法中的玻璃载体移除有机黏合剂的方法中,玻璃载体放置于处理腔室中。玻璃载体被旋转,且加热的硫酸施加或喷洒于玻璃载体上。臭氧被引入处理腔室。臭氧通过硫酸扩散至玻璃载体的表面上的有机黏合剂。硫酸与臭氧和有机黏合剂化学反应且...
  • 本公开内容的实施例总体涉及化学机械抛光(CMP)系统,并且更具体地,涉及用于制造半导体器件的模块化抛光系统。在一个实施例中,一种抛光系统包括:第一部分,所述第一部分具有设置在其中的多个抛光站;和第二部分,所述第二部分耦接到所述第一部分,...
  • 描述了具有环绕式栅极非I/O装置和I/O装置的鳍状结构的电子装置和形成方法。蚀刻多个虚拟栅极,以暴露出包括第一材料和第二材料交替层的鳍片。第二材料层被移除以产生开口,而剩下的第一材料层经外延生长以形成鳍状结构。剩下的第一材料层经外延生长...
  • 提供用于在群集处理系统中的基板上形成互连结构以及热处理此互连结构的方法。在一个实施方式中,用于供半导体装置的装置结构的方法包括以下步骤:于设置在基板上的材料层中所形成的开口中形成阻挡层;于阻挡层上形成界面层;于界面层上形成间隙填充层;和...
  • 提供了一种制备防滥用药物组合物的方法,所述防滥用药物组合物具有由一种或多种金属氧化物材料包围的含药核。所述方法包括以下顺序步骤:(a)将包含药物的颗粒装载到反应器中,(b)将蒸气态或气态金属前驱物施加到所述反应器中的颗粒,(c)使用惰性...
  • 包括在计算机储存介质上编码的计算机程序的用于训练机器学习模型以分割组织样本的放大图像的方法、系统、及设备。在一个方面中,一种方法包含取得组织样本的放大图像;根据机器学习模型的模型参数的当前值来处理包含图像、从图像导出的特征或以上两者的输...