使用臭氧的玻璃载体清洁制造技术

在用以从半导体制造方法中的玻璃载体移除有机黏合剂的方法中，玻璃载体放置于处理腔室中。玻璃载体被旋转，且加热的硫酸施加或喷洒于玻璃载体上。臭氧被引入处理腔室。臭氧通过硫酸扩散至玻璃载体的表面上的有机黏合剂。硫酸与臭氧和有机黏合剂化学反应且从玻璃载体移除有机黏合剂。体移除有机黏合剂。体移除有机黏合剂。

【技术实现步骤摘要】
使用臭氧的玻璃载体清洁


[0001]本专利技术的
有关于从用于半导体封装的玻璃载体移除多个有机黏合膜与多种残留金属。

技术介绍

[0002]在半导体装置的制造中，封装与扇出(fan
‑
out)级处理已随着制造技术发展而变得更加重要。封装技术不再被动。现在，封装技术在装置性能上发挥积极作用。在一些封装处理中，将薄化(thinned)半导体晶片(wafer)黏附至玻璃载体是必须的，有时称为玻璃晶片。玻璃载体为特殊玻璃部件，其极为平坦(ultra
‑
flat)且具有均匀的表面质量、厚度与高边缘强度(edge strength)。玻璃载体在附加处理过程中支撑半导体晶片，且然后在某些处理完成后和半导体晶片或裸片(die)分离。若半导体芯片已比其通常的厚度700微米(micron)更薄，则通常会使用玻璃载体。若半导体晶片已被切割(diced)，亦可使用玻璃载体。当半导体晶片已被切割，个别裸片或装置彼此分离，或仅由半导体晶片的非常薄的片段连接。随着已切割半导体晶片黏附至玻璃载体，其可被进一步处理，如同其为未切割的且仍本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体制造方法，包含：以有机黏合剂将半导体晶片黏附于玻璃载体；以一个或多个后续处理步骤处理黏附的半导体晶片；从所述玻璃载体移除所述黏附的半导体晶片；将所述玻璃载体放入处理腔室；将硫酸施加于所述玻璃载体的表面；以及提供臭氧气体至所述处理腔室内，所述臭氧气体通过所述硫酸扩散至所述表面，以从所述玻璃载体的所述表面移除多个污染物。2.如权利要求1所述的方法，进一步包含将所述硫酸加热至70℃至130℃。3.如权利要求2所述的方法，进一步包含以100rpm至2000rpm的转速旋转所述玻璃载体以及将所述硫酸喷洒于所述玻璃载体上，其中所述硫酸形成液体边界层，所述液体边界层具有1毫米至3毫米的厚度。4.如权利要求3所述的方法，其中所述半导体晶片为薄化晶片和/或已切割晶片。5.如权利要求3所述的方法，其中所述表面为朝下的。6.如权利要求3所述的方法，其中所述臭氧气体是以干气的形式供应至所述处理腔室内。7.如权利要求6所述的方法，其中在将所述硫酸提供至所述处理腔室内之前，所述臭氧气体注入或溶解于所述硫酸。8.如权利要求5所述的方法，进一步包含：将所述玻璃载体翻转至所述表面朝上的位置；将过氧化氢施加于所述表面；以去离子水冲洗所述表面；以及使所述玻璃载体干燥。9.如权利要求8所述的方法，进一步包含将氢氧化铵提供至所述表面，和所述过氧化氢一起使用。10.如权利要求3所述的方法，其中未使用过氧化氢。11.如权利要求3所述的方法，进一步包含使用多个指部使所述玻璃载体固持于所述处理腔室中的转子上，以使所述玻璃载体相对于所述转子移动。12.一种半导体制造方法，包含：以有机黏合剂将半导体晶片黏附于玻璃载体；以一个或多个后续处理步骤处理黏附的半导体晶片；从所述玻璃载体移除所述黏附的半导体晶片；将所述玻璃载体放入处理腔室；以100rpm至2000rpm的转速旋转所述玻璃载体；将硫酸喷洒于所述玻璃载体上，其中所述硫酸被加热至70℃至130℃；将干的臭氧气体喷洒于所述处理腔室内，所述臭氧气体通过所述硫酸扩散至所述玻璃载体的表面，所述硫酸与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：埃里克，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：