本公开内容的方面涉及用于基板处理的支撑支架设备和方法，诸如等离子体处理腔室。在一个实施方式中，一种基板处理腔室包括腔室主体。所述腔室主体包括一个或多个侧壁，并且所述一个或多个侧壁中的每一者包括内表面。所述基板处理腔室还包括：基座，所述基...

一种抛光系统，包括托架臂，所述托架臂具有设置在所述托架臂的下表面上的致动器。致动器包括活塞和耦接到活塞的远端的滚柱。所述抛光系统包括抛光垫和基板载体，所述基板载体悬挂自托架臂，并且被配置为在基板与抛光垫之间施加压力。基板载体包括壳体、扣...

一种用于化学机械抛光装置的承载头，包括承载主体、外部膜组件、环状分段的卡盘及内部膜组件。外部膜组件从承载主体支撑且界定第一多个独立可加压外部腔室。环状分段的卡盘支撑在外部膜组件下方，且包括可由外部膜组件的各个可加压腔室独立垂直移动的多个...

示例性沉积方法可以包括以下步骤：以第一电压将半导体基板静电地卡紧在半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可以包括以下步骤：执行沉积工艺。所述沉积工艺可以包括以下步骤：在半导体处理腔室的处理区域内形成等离子体。所述方法可以包括以下步骤：停止...

在本文中描述的实施例涉及用于在处理腔室中进行射频(RF)接地的设备。在一个实施例中，加热器被设置在基板支撑件中。加热器被接地屏蔽组件包围。基板支撑件还包括设置在基板支撑件中的多区域电极。多区域电极包括设置在平面中的电极的一个或多个部分。...

一种形成半导体结构的方法包括以下步骤：预清洁衬底的表面；在所述衬底的预清洁后的表面上形成界面层；在所述界面层上沉积高κ介电层；执行等离子体氮化工艺以在所沉积的高κ介电层中插入氮原子；和执行氮化后退火工艺以钝化等离子体氮化后的高κ介电层中...

公开了用于化学机械抛光(CMP)处理系统的水平预清洁(HPC)模块。HPC模块包括具有共同限定处理区域的盆体和盖体的腔室。所述模块包括设置在所述处理区域中的可旋转真空台，所述可旋转真空台包括在其支撑表面中限定的沟道阵列。所述模块包括设置...

说明一种在半导体装置中用于蚀刻方法的非共形、高选择性衬垫。一种方法包括在基板上形成膜堆叠；蚀刻膜堆叠以形成开口；在开口中沉积非共形衬垫；从开口的底部蚀刻非共形衬垫；以及相对于非共形衬垫选择性蚀刻膜堆叠以形成逻辑或存储器孔洞。非共形衬垫包...

本公开内容总体涉及基板边缘清洁和基板承载头间隙清洁的设备和方法。本公开内容涉及装载杯，所述装载杯包括环形基板站，所述环形基板站被配置为接收基板。环形基板站包围位于装载杯内的喷雾器。喷雾器包括一组激励流体喷嘴，所述一组激励流体喷嘴邻近在环...

本文公开了一种用于形成金属氧化物半导体FET(MOSFET)器件的方法和设备。所述形成方法包括利用沉积在n沟道金属氧化物半导体(NMOS)器件和p沟道金属氧化物半导体(PMOS)器件上的硅

用于执行连续向量矩阵乘法的各种布置可以包括：对输入向量中的值的每个位序依次执行第一向量矩阵乘法运算。针对每个位序的第一向量矩阵乘法运算可以生成模拟输出。针对由向量矩阵乘法运算生成的每个模拟输出，可以将模拟输出转换为一个或多个数字位值，并...

描述了一种载体运输系统(100)和真空沉积系统。所述载体运输系统用于在运输方向(T)中运输载体(10)，并且包括在真空腔室(101)中在所述运输方向(T)中延伸的轨道组件(150)。所述轨道组件包括用于使载体(10)悬浮的至少一个磁悬浮...

形成半导体结构的示例性方法可包含由含硅前驱物和含氧前驱物形成氧化硅层。该方法可包含由含硅前驱物、含氮前驱物和含氧前驱物形成氮化硅层。氮化硅层的特征可在于氧浓度大于或约为5原子％。该方法还可包含重复形成氧化硅层和形成氮化硅层以产生氧化硅与...

本文公开的实施方式总体涉及一种输送机检查系统和一种分拣基板的方法。所述输送机检查系统包括可移动输送机和快速输送机。所述可移动输送机被配置为将不期望的基板传送到所述快速输送机。所述方法包括：确定不期望所述基板进入模块化检查单元；响应于确定...

公开了一种用于控制RF等离子体属性的方法和装置。本公开的一些实施例在可在高温下操作的处理室内提供RF传感器。一些实施例提供了使用处理室内的RF传感器来测量RF等离子体属性以提供对RF产生器的反馈控制的方法。性以提供对RF产生器的反馈控制...

提供了一种制备药物组合物的方法，所述药物组合物具有由一种或多种金属氧化物材料包围的含药核。所述方法包括以下顺序步骤：(a)将包含药物的颗粒装载到反应器中，(b)将蒸气态或气态金属前驱物施加到所述反应器中的所述颗粒，(c)使用惰性气体执行...

在一些实施方式中揭露了一种用超薄电气耗散材料涂覆以提供从涂层到接地的耗散路径的腔室部件(例如终端受动器主体)。所述涂层可以经由化学前驱物沉积来沉积以用高成本效益的方式提供均匀、保形、且不含孔隙的涂层。在所述腔室部件包括终端受动器主体的一...

提供了一种用于检测存储在替换部件存储容器处的替换部件、晶片或用于替换部件的空载体的位置的方法。在电子处理系统的工厂接口的装载端口处接收容器。容器配置为存储用于电子处理系统的处理腔室的替换部件。根据第一映射模式移动机械臂，以使用在机械臂的...

本文中所公开的实施方式包括单片式源阵列。在一个实施方式中，所述单片式源阵列包括：介电板，具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述单片式源阵列可以更包括：多个凸部，从所述介电板的所述第一表面延伸出去，其中所述多个凸部及所述介电板是...

本文提供一种用于流量比控制器的方法和设备。在一些实施方式中，流量比控制器包括入口；多个通道，所述多个通道从所述入口延伸到对应的多个出口；旁通管，所述旁通管从所述多个通道中的每个通道延伸，所述旁通管将来自所述通道的流量的一小部分转移并接着...