在NMOS晶体管和PMOS晶体管的源极和漏极上同时地硅化的方法技术

本文公开了一种用于形成金属氧化物半导体FET(MOSFET)器件的方法和设备。所述形成方法包括利用沉积在n沟道金属氧化物半导体(NMOS)器件和p沟道金属氧化物半导体(PMOS)器件上的硅

【技术实现步骤摘要】
在NMOS晶体管和PMOS晶体管的源极和漏极上同时地硅化的方法


[0001]本公开内容的实施方式一般涉及用于制造场效应晶体管(FET)的设备和方法。

技术介绍

[0002]FET是依靠由在栅极上的电压产生的电场以便控制在漏极与源极之间的电流的一系列晶体管。许多类型的FET中的一种是金属氧化物半导体FET(MOSFET)。MOSFET器件的制造包括多个沉积和图案化操作，这些操作被执行以形成和电连接和/或隔离该器件的各种特征。至少一个硅化物层典型地在MOSFET制造工艺期间形成在n沟道金属氧化物半导体(NMOS)器件和p沟道金属氧化物半导体(PMOS)器件的源极区/漏极区顶部，以减少在金属与源极区/漏极区之间的接触电阻。鉴于MOSFET制造中涉及的许多处理操作，硅化物层的成核可能是有挑战性的，该硅化物层可以是包括多晶(“聚”)金属硅化物的金属硅化物。
[0003]典型地，金属硅化物层形成分为至少两个操作，以使得能够在NMOS器件上形成第一硅化物层和在PMOS器件上形成第二硅化物层。传统上，使用反应性金属源气体的等离子体在源极/漏极外延膜基板本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种处理基板的方法，包括：将具有设置在其上的n沟道金属氧化物半导体(NMOS)器件和p沟道金属氧化物半导体(PMOS)器件的基板定位到处理腔室中；将种晶层选择性地沉积在所述NMOS器件的NMOS源极区/漏极区和所述PMOS器件的PMOS源极区/漏极区上方，所述种晶层包括硅和锗两者；和在沉积所述种晶层之后，将金属硅化物同时地沉积在所述NMOS源极区/漏极区和所述PMOS源极区/漏极区上方。2.如权利要求1所述的方法，其中所述种晶层是锗分子浓度为所述种晶层的5％至75％的SiGe层。3.如权利要求2所述的方法，其中由含硅和锗的前驱物沉积所述种晶层。4.如权利要求1所述的方法，其中所述种晶层具有小于5nm的厚度。5.如权利要求1所述的方法，其中在热沉积工艺期间沉积所述种晶层。6.如权利要求1所述的方法，其中在所述金属硅化物的所述沉积期间消耗所述种晶层。7.如权利要求6所述的方法，其中所述金属硅化物包括硅、锗以及钛、镍、钴或铂中的至少一种。8.如权利要求1所述的方法，其中在所述金属硅化物的所述沉积之后并在所述金属硅化物上沉积接触金属层。9.一种处理基板的方法，包括：将具有设置在其上的n沟道金属氧化物半导体(NMOS)器件和p沟道金属氧化物半导体(PMOS)器件的基板定位到第一处理腔室中；在所述第一处理腔室内将第一种晶层选择性地沉积在所述NMOS器件的NMOS源极区/漏极区上方，所述第一种晶层包括硅和锗两者；将第二种晶层选择性地沉积在所述PMOS器件的PMOS源极区/漏极区上方，所述第二种晶层包括硅和锗两者；和在沉积所述第一种晶层和所述第二种晶层之后，将金属硅化物同时地沉积在所述NMOS源极/漏极和所述PMOS源极区上方，所述第一种晶层和所述第二种晶层在所述金属硅化物的所述沉积期间被消耗。10.如权利要求9所述的方法，其中在第二处理腔室内执行选择性地沉积所述第二种晶层。11.如权利要求10所述的方法，其中所述第一种晶层和所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：李学斌，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：