提供了用于处理基板的方法和设备。例如，设备可包括：处理腔室，包含腔室主体并具有观察端口，腔室主体界定处理容积，观察端口耦接到腔室主体；基板支撑件，设置在处理容积内并具有支撑基板的支撑表面；及红外温度传感器(IRTS)，设置在腔室主体外侧...

描述了一种用于横向地移动载体的路径切换组件(150)。所述路径切换组件(150)包括一个或多个可枢转载体传送元件(152)，所述一个或多个可枢转载体传送元件用于在路径切换方向(S)上将载体(10)从第一运输路径(T1)移动到侧向地偏移的...

描述了切割半导体晶片的方法，每个晶片具有多个集成电路。在一个示例中，对具有多个集成电路的半导体晶片进行切割的方法涉及在半导体晶片上方形成掩模，所述掩模由覆盖并保护集成电路的层组成。接着利用主动聚焦激光束激光划刻工艺对掩模进行图案化，以提...

本公开内容的多个实施方式一般涉及用作极紫外(EUV)平板印刷术中的掩模的多层堆叠物和用于形成多层堆叠物的方法。在一个实施方式中，方法包括以下步骤：在膜堆叠物之上形成碳层，通过物理气相沉积(PVD)工艺在碳层上形成富金属氧化物层，在富金属...

本公开内容的实施方式提供形成可用于生物聚合物测序的固态双孔传感器的方法和通过所述方法形成的双孔传感器。在一个实施方式中，一种形成双孔传感器的方法包括在基板的表面中提供图案。一般来讲，所述图案具备由分隔壁分开的两个流体贮存器。所述方法进一...

本文所描述和讨论的实施方式大体涉及柔性或可折叠的显示装置，且更具体地涉及柔性覆盖透镜组件。在一个或多个实施方式中，柔性覆盖透镜组件包含：基板、抗指纹涂层、以及设置在基板与抗指纹涂层之间的粘性促进层。基板与抗指纹涂层之间的粘性促进层。基板...

描述了切割半导体晶片的方法，每个晶片具有多个集成电路。在一示例中，一种对具有多个集成电路的半导体晶片进行切割的方法包括：在半导体晶片上方形成掩模，掩模由覆盖并保护集成电路的层构成。接着用均匀旋转激光束激光刻划工艺对掩模进行图案化，以提供...

一种化学机械研磨系统包括：托板，支撑具有研磨表面的研磨垫；导管，具有耦合到气体源的入口；以及，分配器，耦合至导管，并且具有悬挂在托板上方的收敛扩散形喷嘴，以将来自气体源的气体引导到研磨垫的研磨表面上。源的气体引导到研磨垫的研磨表面上。源...

一种化学机械抛光系统包括：平台，所述平台用于支撑具有抛光表面的抛光垫；加热流体的源；储藏室，所述储藏室用于保持抛光液体；以及配给器，所述配给器具有悬吊在平台之上的一个或多个孔，以将抛光液体引导至抛光表面上，其中加热流体的源耦合至配给器，...

一种处理腔室可以包括气体分布构件、金属环构件和隔离组件，所述金属环构件位于气体分布构件下方，所述隔离组件与金属环构件耦接并将金属环构件与气体分布构件隔离。隔离组件可以包括与金属环构件耦接的外隔离构件。外隔离构件可以至少部分地限定腔室壁。...

描述形成DRAM位线以改进线边缘粗糙度(LER)并降低电阻的方法。所述方法包含以下步骤：将惰性物质注入到基板上的具有第一晶粒尺寸的位线金属层中，以形成具有第二晶粒尺寸的非晶化位线金属层，所述第二晶粒尺寸小于第一晶粒尺寸。接着将膜堆叠物沉...

描述了切割半导体晶片的方法，每个晶片具有多个集成电路。在示例中，切割具有多个集成电路的半导体晶片的方法涉及在半导体晶片上方形成掩模，所述掩模由覆盖并且保护集成电路的层组成。然后由空间多聚焦激光束激光划线工艺将掩模图案化以提供具有间隙的图...

本文提供了用于处理基板的方法和设备。例如，一种处理基板的方法包含：将低频RF功率或DC功率中的至少一者施加到设置为邻接处理空间的上部电极，所述上部电极由高二次电子发射系数材料形成；在处理空间中产生等离子体，所述等离子体包含离子；用离子轰...

提供了一种成像系统和一种制造超透镜阵列的方法。所述成像系统包括超透镜阵列，并且从对象散射的光被所述超透镜阵列分割，使得在观察者面前形成图像。所述超透镜阵列对可见光是至少部分地透明的，使得所述观察者也可看到环境。制造所述超透镜阵列的所述方...

在本文中提供了用于处理基板的方法和设备。所述设备可包含，例如，微波能量源，所述微波能量源被配置成从设置在处理腔室的内部空间中的基板支撑件的下方提供微波能量；第一微波反射器，所述第一微波反射器定位在基板支撑件上、在基板支撑件的基板支撑位置...

一种制作多色彩显示器的方法包括以下步骤：在显示器上方分配包括色彩转换剂的光可固化流体，显示器具有背平面和与背平面的背平面电路系统电气整合的发光二极管的阵列；在发光二极管的阵列中启动复数个发光二极管，以照射并且固化第一光可固化流体，以在第...

描述了一种用具有三个或更多个阴极组件的阴极阵列涂覆基板的方法，所述阴极组件具有可旋转的对应的磁体组件。所述方法包括：在关断所述阴极阵列时，将所述基板移动到第一位置；在第一角扇区中以往复运动的方式移动所述磁体组件中的第一磁体组件时，在第一...

一种化学机械抛光系统，包括：工作台，所述工作台用于支撑具有抛光表面的抛光垫；冷却剂源；配给器，所述配给器具有悬吊在工作台之上的一个或多个孔，以将冷却剂从冷却剂源引导至抛光垫的抛光表面上；以及控制器，所述控制器耦合至冷却剂源，并且配置成在...

处理腔室可以包括气体分配构件、基板支撑件、以及泵送衬垫。气体分配构件与基板支撑件可以至少部分定义处理容积。泵送衬垫可以定义经由围绕处理容积周向设置的泵送衬垫的多个孔隙而与处理容积流体连通的内部容积。处理腔室可以进一步包括流量控制机构，流...

本文提供用于在处理腔室中使用的基板支撑件的实施例。在一些实施例中，基板支撑件包括基座，所述基座具有配置成容纳升降杆的上部表面，接近基座的边缘的第一环状区域，以及布置于第一环状区域与基座的中心之间的第二环状区域，其中基座包括从上部表面沿着...