用于最小化凹陷和腐蚀并提高垫粗糙度的低温金属CMP制造技术

一种化学机械抛光系统，包括：工作台，所述工作台用于支撑具有抛光表面的抛光垫；冷却剂源；配给器，所述配给器具有悬吊在工作台之上的一个或多个孔，以将冷却剂从冷却剂源引导至抛光垫的抛光表面上；以及控制器，所述控制器耦合至冷却剂源，并且配置成在抛光操作的选定步骤期间，使冷却剂源通过喷嘴将冷却剂传输至抛光表面上。抛光表面上。抛光表面上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于最小化凹陷和腐蚀并提高垫粗糙度的低温金属CMP


[0001]本公开涉及化学机械抛光(CMP)，并且更具体地，涉及在CMP期间的温度控制。

技术介绍

[0002]集成电路通常通过在半导体晶片上依序沉积导电层、半导电层或绝缘层而形成。各种制造工艺需要在基板上平坦化层。例如，一个制造步骤涉及在非平面表面之上沉积填料层，并且平坦化填料层。对于某些应用，平坦化填料层直到暴露图案化层的顶表面。例如，可在图案化的绝缘层上沉积金属层以填充绝缘层中的沟道和孔洞。在平坦化之后，图案化层的沟道和孔洞中的金属的剩余部分形成通孔、插头和线，以提供基板上薄膜电路之间的导电路径。作为另一示例，可在图案化导电层之上沉积介电层，然后平坦化以能够进行后续光刻步骤。
[0003]化学机械抛光(CMP)是一个可接受的平坦化方法。此平坦化方法通常需要将基板安装在承载头上。基板暴露的表面通常抵靠旋转抛光垫放置。承载头在基板上提供可控负载，以将基板推靠在抛光垫上。具有研磨粒子的抛光浆料通常供应至抛光垫的表面。

技术实现思路

[0004]在一个方面，一种化学机械抛本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种化学机械抛光系统，包含：工作台，所述工作台用于支撑具有抛光表面的抛光垫；冷却剂源；配给器，所述配给器具有悬吊在所述工作台之上的一个或多个孔，以将冷却剂从所述冷却剂源引导至所述抛光垫的所述抛光表面上；以及控制器，所述控制器耦合至所述冷却剂源，并且配置成在抛光操作的选定步骤期间，使所述冷却剂源通过喷嘴将所述冷却剂传输至所述抛光表面上。2.如权利要求1所述的系统，其中所述冷却剂源包含液体冷却剂介质的源。3.如权利要求2所述的系统，其中所述液体冷却剂介质包含液态氮或水中的一者或多者。4.如权利要求1所述的系统，其中所述冷却剂源包含气体冷却剂介质的源。5.如权利要求4所述的系统，其中所述气体冷却剂介质包括氮或二氧化碳中的一者或多者。6.如权利要求4所述的系统，其中所述气体冷却剂介质的源包括压缩的气体。7.如权利要求4所述的系统，其中所述气体冷却剂介质的源连接至涡流管，所述涡流管配置成将气体的冷流...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴昊晟，H，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：