本文的实施例包括模块化抛光系统。在一个实施例中，抛光模块以载具支撑模块、载具装载站、和抛光站为特征。载具支撑模块以载具平台和一个或多个载具组件为特征。一个或多个载具组件各自包含从载具平台悬挂的对应承载头。载具装载站用于将基板传送到承载头...

方法和装置提供了用于半导体工艺腔室的等离子体产生。在一些实施例中，由系统产生等离子体，所述系统可以包括：工艺腔室，所述工艺腔室具有至少两个上部微波空腔，所述至少两个上部微波空腔通过具有多个辐射狭槽的金属板与下部微波空腔分离；至少一个微波...

示例性支撑组件可包括限定基板支撑表面的静电吸盘主体。所述组件可包括与静电吸盘主体耦接的支撑杆。所述组件可包括嵌入在静电吸盘主体内的加热器。所述组件还可包括在加热器与基板支撑表面之间嵌入静电吸盘主体内的电极。基板支撑组件可由在大于500℃...

本文描述的实施例涉及基板支撑组件，所述基板支撑组件使静电吸盘(ESC)能够进行低温操作，使得设置在基板支撑组件上的基板维持在适合进行处理的低温处理温度下，同时使处理腔室的其他表面维持在不同的温度。基板支撑组件包括静电吸盘(ESC)、ES...

描述用于物理气相沉积(PVD)的包括钛(Ti)、钡(Ba)、或铈(Ce)中的一者或多者的遮盘，所述遮盘允许粘贴以在基板的蚀刻期间最小化释气和控制缺陷。所述遮盘合并集气剂材料，所述集气剂材料对于包括O2、CO、CO2、和水的反应气体分子具...

本公开内容的实施方式大体上关于基板上的保护涂层及沉积保护涂层的方法。在一或多个实施方式中，在基板上形成保护涂层的方法包括：在第一气相沉积处理期间在基板的表面上沉积含有非晶氧化铬的氧化铬层；及在第一退火处理期间加热含有包含非晶氧化铬的氧化...

此处提供在工艺腔室中使用的工艺套件的实施例。在一些实施例中，一种用于在工艺腔室中使用的工艺套件，包括管状主体，所述管状主体具有配置成围绕基板支撑件的中心开口，其中管状主体的侧壁不包括任何通孔；以及顶板，所述顶板耦合至管状主体的上端，且实...

数字图案生成系统包括存储器和控制器。控制器耦合到存储器，并且被配置为从数字图案文件中去除冗余单元、生成第一更新的数字图案文件、并将第一更新的数字图案文件与数字图案文件进行比较。再者，减少第一更新的数字图案文件的第一弧形的顶点数目，以生成...

本公开内容的多个实施方式一般涉及富氮氮化硅和多个用以沉积富氮氮化硅的方法，和包含富氮氮化硅的多个晶体管和其他装置。在一个或多个实施方式中，一种钝化膜堆叠物包含氧化硅层，氧化硅层设置于工件上；和富氮氮化硅层，富氮氮化硅层设置于氧化硅层上。...

本文提供在处理腔室中使用的处理套件的实施例。在某些实施例中，一种在处理腔室中使用的处理套件，包括环状环，配置成围绕基板支撑件；及环状唇部，从环状环的上部表面延伸，其中环状环包括多个环狭槽，延伸通过环状环且以规则间隔沿着环状环布置，且其中...

本文所述的一个或多个实施例总体上涉及利用高射频(RF)功率来改进均匀性的半导体处理设备。半导体处理设备包括设置在基板支撑元件中的RF供能的主网和RF供能的次网。次RF网放置在主RF网下方。连接组件经配置以将次网耦合至主网。流出主网的RF...

本文的实施例总体上涉及用于当与从基板径向地向内的区域相比时减小在基板的周边边缘处或附近的不均匀材料去除率的化学机械抛光(CMP)系统和方法。在一个实施例中，一种抛光系统包括：基板载体，所述基板载体包括用于在抛光工艺期间包围待处理基板的环...

描述了隔离阀，以及包含隔离阀的腔室系统和使用隔离阀的方法。在一些实施例中，隔离阀可包括阀体和挡板组件。阀体可限定第一流体容积、第二流体容积和安置表面。挡板组件可包括设置在阀体内部的挡板，所述挡板具有与安置表面互补的挡板表面。挡板可在阀体...

化学机械抛光修整工具包括：基座，配置成支撑基板；多个夹爪，配置成使基板在基座上居中；加载环，用以将压力施加到基座上的基板的背侧上的环形区域；抛光环，用以使抛光材料与基板的前侧上的环形区域接触，基板的前侧上的环形区域与基板的背侧上的环形区...

一种化学机械研磨系统包括：计量站，具有被配置为测量基板的厚度轮廓的传感器；机械臂，被配置为将基板从计量站传送到研磨站，研磨站具有：用于支撑具有研磨表面的研磨垫的平台；研磨表面上的承载头，承载头具有经配置以施加压力至承载头中基板的膜；以及...

机器人物体搬运系统包括机械手臂、非接触式传感器、第一站和计算装置。计算装置用于使机械手臂将物体拾取在末端执行器上、使机械手臂将物体定位在非接触式传感器的检测区域内、使非接触式传感器生成物体的传感器数据、基于传感器数据确定物体相对于目标取...

本公开案的实施方式一般关于有机气相沉积系统和与有机气相沉积系统相关的基板处理方法。在一个实施方式中，一种处理系统包括盖组件和多个材料输送系统。盖组件包括盖板及喷头组件，所述盖板具有第一表面和与第一表面相对设置的第二表面，所述喷头组件耦接...

一种用于在处理腔室内处理基板的方法，包含以下步骤：接收与设置在处理腔室内的目标元件上的膜相对应的第一辐射信号；分析第一辐射信号；和基于分析的第一辐射信号来控制基板的处理。处理腔室包括：基板支撑件，配置成将基板支撑在处理空间内；和控制器，...

用于形成于基板上的互连结构的方法及装置及在该基板上形成该互连结构的方法。在实施方式中，所述方法包括以下步骤：蚀刻穿过设置在低k介电层的顶部上的硬质掩模，以形成穿过该低k介电层的通孔及暴露导电表面；将该导电表面与稀释的氢氟酸接触以从该导电...

一种在半导体装置上一起实施人工神经元及突触的半导体装置包括：多个鳍片，形成于所述半导体装置上；及多个栅极，围绕所述多个鳍片形成，以形成多个鳍式场效应晶体管(FinFET)。所述多个FinFET可以形成一或更多个人工突触及一或更多个人工神...