具有改进的均匀性的半导体处理设备制造技术

本文所述的一个或多个实施例总体上涉及利用高射频(RF)功率来改进均匀性的半导体处理设备。半导体处理设备包括设置在基板支撑元件中的RF供能的主网和RF供能的次网。次RF网放置在主RF网下方。连接组件经配置以将次网耦合至主网。流出主网的RF电流被分配进入多个连接结。这样，即使在总RF功率/电流较高的情况下，因为RF电流散布到多个连接结，防止了主网上出现热点。据此，对基板温度和膜非均匀性具有较小的影响，从而允许使用高得多的RF功率，而不会在正被处理的基板上引起局部热点。会在正被处理的基板上引起局部热点。会在正被处理的基板上引起局部热点。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有改进的均匀性的半导体处理设备


[0001]本文描述的一个或多个实施例总体上涉及半导体处理设备，且更特定地，涉及利用高射频(RF)功率来改进均匀性的半导体处理设备。

技术介绍

[0002]半导体处理设备通常包括适用于在支撑在工艺腔室的处理区域内的晶片或基板上执行各种沉积、蚀刻、或热处理步骤的工艺腔室。随着在晶片上形成的半导体装置尺寸减小，在沉积、蚀刻、和/或热处理步骤期间对热均匀性的需求大大增加。在处理期间，晶片中温度上的小变化可能影响在晶片上执行的这些通常与温度有关的工艺的晶片内(WIW)均匀性。
[0003]通常，半导体处理设备包括设置在晶片处理腔室的处理区域中的温度控制晶片支撑件。晶片支撑件包括温度控制支撑板和耦合至支撑板的轴。在处理腔室中的处理期间，将晶片放置在支撑板上。轴通常装设在支撑板的中心处。在支撑板内部，存在由诸如钼(Mo)之类的材料制成的传导网，以将RF能量分配至处理腔室的处理区域。传导网通常被焊接到含金属的连接元件，所述连接元件通常连接到RF匹配和RF发生器或接地。
[0004]随着提供到传导网的RF功率变本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体处理设备，包括：热传导基板支撑件，所述热传导基板支撑件包括主网和次网；热传导轴，所述热传导轴包括传导杆，其中所述传导杆耦合至所述次网；以及连接组件，所述连接组件经配置以将所述次网电耦合至所述主网。2.如权利要求1所述的半导体处理设备，进一步包括RF发生器，所述RF发生器耦合至所述传导杆。3.如权利要求2所述的半导体处理设备，其中由所述RF发生器所产生的电流从所述次网散布至所述主网。4.如权利要求1所述的半导体处理设备，其中所述主网经配置以作为静电吸附电极。5.一种半导体处理设备，包括：热传导基板支撑件，所述热传导基板支撑件包括主网和次网，其中所述次网在所述主网下方间隔开；热传导轴，所述热传导轴包括传导杆，其中所述传导杆通过焊接接头来耦合至所述次网；以及连接组件，所述连接组件包括多个金属柱，其中所述多个金属柱中的每一个经配置以经由连接结将所述次网电耦合至所述主网。6.如权利要求5所述的半导体处理设备，其中所述多个金属柱中的每一个的直径小于所述传导杆的直径。7.如权利要求6所述的半导体处理设备，其中所述金属柱中的每一个具有比所述传导杆的横截面面积要小的横截面面积。8.如权利要求7所述的半导体处理设备，其中所述连接结具有比所述焊接接头要小的接触面积。9.如权利要求5所述的半导体处理设备，进一步包括RF发生器，所述RF发生器耦合至所述传导杆。10.如权利要求9所述的半导体处理设备，其中由所述RF发生器所产生的电流均等地穿过所述多个金属柱中的每一个来散布。11.如权利要求10所述的半导体处理设备，其中穿过所述多个金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：李建，V，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：