示例性基板处理系统可包括传送区域壳体，所述传送区域壳体界定与多个处理区域流体耦接的传送区域。传送区域壳体的侧壁可界定用于提供和接收基板的可密封存取。系统可包括多个基板支撑件，所述多个基板支撑件设置在传送区域内。系统可还包括具有中央毂的传...

示例性基板处理系统可包括传送区域壳体，其界定与多个处理区域流体耦接的传送区域。传送区域壳体的侧壁可界定用于提供和接收基板的可密封出入口。系统可包括具有中心毂(central hub)的传送设备，中心毂包括轴，轴在远端延伸穿过传送区域壳体...

示例性基板处理系统可以包括限定传送区域的传送区域壳体，并包括基板支撑件与传送设备。传送设备可包括中心毂，所述中心毂具有壳体，并且包括第一轴与第二轴。壳体可与第二轴耦接，并且可以限定内部壳体容积。传送设备可以包括多个臂，所述多个臂等于多个...

本文所描述和讨论的实施方式大体涉及柔性或可折叠的显示装置，且更具体地涉及柔性覆盖透镜组件。在一个或多个实施方式中，柔性覆盖透镜组件包含：玻璃层、设置在玻璃层上的粘性促进层、具有约1GPa至约5Gpa范围内的纳米压痕硬度且设置在粘性促进层...

示例性基板处理系统可以包括工厂接口和与工厂接口耦接的装载锁。系统可以包括与装载锁耦接的转移腔室。转移腔室可包括配置成从装载锁取回基板的机器人。系统可以包括定位成与转移腔室相邻并与转移腔室耦接的腔室系统。腔室系统可包括可由机器人横向存取的...

形成集成电路结构的方法与设备，包括：输送工艺气体至工艺腔室的工艺空间；将低频RF功率施加到设置在工艺空间中由高二次电子发射系数材料形成的电极；在工艺空间中产生包含离子的等离子体；用离子轰击电极，以引起电极发射电子并且形成电子束；和使介电...

于此提供了基板支撑件的实施方式。在一些实施方式中，一种在基板处理腔室中使用的基板支撑件包括：下组件，具有底板组件，其中底板组件包括围绕中央突起设置的多个电馈通；陶瓷圆盘，设置在下组件上并且可移除地耦接至底板组件，其中陶瓷圆盘具有设置在其...

讨论了形成存储器结构的方法。具体地，讨论了形成3DNAND器件的方法。一些实施方式形成具有金属氮化物阻挡层、α

公开用于在PVD沉积工艺期间控制等离子体分布的设备和方法。一些实施方式在沉积期间利用放置在靶上方的EM线圈来控制等离子体分布。用放置在靶上方的EM线圈来控制等离子体分布。用放置在靶上方的EM线圈来控制等离子体分布。

本公开内容的实施例总体涉及在半导体器件的制造中使用的设备和方法。更具体地，本公开内容的实施例涉及用于形成半导体器件的基板处理腔室及其部件。板处理腔室及其部件。板处理腔室及其部件。

示例性基板处理系统可以包括限定内部容积的传输区域外壳。传输区域外壳的侧壁可以限定用于提供和接收基板的可密封进出口。所述系统可以包括设置在传输区域内的多个基板支撑件。所述系统还可以包括具有中心枢纽的传输装置，所述中心枢纽包括第一轴和与第一...

通常，本文中描述的实例涉及用于在硅锗(SiGe)表面上各向异性地外延地生长材料的方法和半导体处理系统。在一个实例中，在基板上形成硅锗表面。外延硅锗外延地生长在硅锗表面上。外延硅锗的第一生长率沿着垂直于硅锗表面的第一方向，并且外延硅锗的第...

可实行处理方法以生产可包括高k介电材料的半导体结构。方法可包括将含氮前驱物或含氧前驱物输送至在半导体处理腔室中含有的基板。方法可包括以含氮前驱物或含氧前驱物在基板的暴露的表面上形成反应配体。方法还可包括形成覆盖基板的高k介电材料。成覆盖...

本文描述的实施方式涉及扁平光学器件和形成扁平光学器件的方法。一个实施方式包括基板，该基板具有在其上形成的第一多个支柱的第一布置。第一多个支柱的第一布置包括具有高度h和横向距离d的支柱，以及与第一多个支柱中的相邻支柱之间的距离相对应的间隙...

本文中提供了用于使用可变微波频率来固化基板或聚合物的方法及装置。在一些实施例中，一种使用可变微波频率来固化基板或聚合物的方法包括：使基板或聚合物与多个预定的不连续的微波能量带宽或多个预定的不连续的微波能量频率接触以固化所述基板或所述聚合...

一种用于使热塑性塑料、尤其是聚酰亚胺致密化以用于与电子电路结合使用，同时产生改进的物理特性和高度的结晶度的方法，所述方法涉及在通常低于玻璃转变温度100℃或更低的温度持续约50至100分钟的时间的变频微波(VFM)处理。所述方法尤其适用...

本公开涉及用于处理基板的系统。本公开总体上关于用于在多个工艺腔室之间传送半导体基板的半导体工艺装备。更具体而言，本文中所述的实施例关于使用输送装置以在多个工艺腔室之间传送或交换半导体基板的系统与方法，所述输送装置采用至少两个叶片以用于在...

本文所描述和讨论的实施方式大体涉及柔性或可折叠的显示装置，且更具体地涉及柔性覆盖透镜组件。在一个或多个实施方式中，柔性覆盖透镜组件包含：玻璃层、设置在玻璃层上的冲击吸收层、设置在冲击吸收层上的防潮层、设置在防潮层上的基板、具有约0.4G...

在感应高密度等离子体腔室中，膜被改性以包括重氢。腔室硬件设计使得能够实现遍布基板的膜中的重氢浓度均匀性的可调性。固态电子设备的制造包括整合工艺流程以将实质上无氢和重氢的膜改性以包括重氢。重氢的膜改性以包括重氢。重氢的膜改性以包括重氢。

本文所描述和讨论的实施方式大体涉及柔性或可折叠的显示装置，且更具体地涉及柔性覆盖透镜组件。在一个或多个实施方式中，柔性覆盖透镜组件包含：玻璃层、位于玻璃层上的粘性促进层、设置在粘性促进层上的抗反射层、具有约1GPa至约5Gpa范围内的纳...