本公开的方面总体上涉及用于基板处理腔室的隔离器装置、隔离器装置的组件以及与隔离器装置相关联的方法。在一种实施方式中，基板处理腔室包括设置在底座和泵送衬里之间的隔离器环。隔离器环包含第一表面，第一表面面向底座，第一表面设置在与底座的外周表...

本公开涉及用于在处理腔室中的基板处理期间减少硬件残留物的形成并最小化二次等离子体形成的系统和方法。处理腔室可包含气体分配构件，所述气体分配构件被配置成使第一气体流入处理容积并从第一气体产生等离子体。第二气体被供应到处理容积的下部区域中。...

一种存储电路包括存储阵列，存储阵列具有提供参考信号的一个或多个参考行和在由读取操作选择时提供数据信号的数据行。存储电路还包括：第一电路，第一电路从参考信号中和从数据信号中去除共同信号分量；以及第二电路，第二电路将参考信号调整为在逻辑1信...

一种化学机械抛光设备，包括平台，具有顶部表面以保持抛光垫；载具头，以在抛光处理期间保持基板抵靠抛光垫的抛光表面；以及温度监控系统。温度监控系统包括定位在平台上方的非接触式热传感器，非接触式热传感器具有在平台上的抛光垫的部分的视场。传感器...

本文的多个实施方式包括薄膜晶体管(TFT)，所述薄膜晶体管包括具有不同迁移率的层的沟道层堆叠物。由于高迁移率沟道层和/或多个高迁移率沟道层中的载流子密度更高，本文公开的TFT通过低迁移率和高迁移率沟道层传输更高的总电流，这样增加了TFT...

本公开公开内容的实施例总的来说涉及统一电导管，所述统一电导管包括中心导体，耦合至中心导体的第一端的插座，耦合至中心导体的第二端的公插件，环绕中心导体的介电护套，及环绕介电护套的外部导体，其中沿着其长度形成实质上90度的弯折。实质上90度...

本公开的实施例总体涉及用于在半导体装置处理期间减少基板背侧损伤的设备和方法。在一个实施方案中，一种在基板处理腔室中吸附基板的方法包括以下步骤：在将吸附电压施加到基板支撑件之前将基板暴露于等离子体预热处置。在一个实施方案中，提供了一种基板...

本公开内容的实施方式大体提供用于收集及再利用抛光流体的设备及与该设备相关的方法。特别地，本文提供的设备和方法的特征为包括抛光流体收集系统，该抛光流体收集系统用于收集及再利用在电子装置制造工艺中的基板化学机械抛光(CMP)期间分配的抛光流...

本公开的实施例提供了一种用于在高温下维持在等离子体反应器中处理的基板的平坦度的静电卡盘。在一个实施例中，所述静电卡盘包括：耦接到支撑杆的卡盘主体，所述卡盘主体具有基板支撑表面，并且所述卡盘主体在约250℃至约700℃的温度下具有约1

本文公开的实施方式包括使用干法沉积工艺沉积金属氧光刻胶的方法。在一个实施方式中，所述方法包括：用包括第一金属前驱物蒸气和第一氧化剂蒸气的第一气相工艺在所述基板上形成第一金属氧膜；和用包括第二金属前驱物蒸气和第二氧化剂蒸气的第二气相工艺在...

本文公开的实施方式包括使用干法沉积工艺沉积金属氧光刻胶的方法。在一个实施方式中，所述方法包括：用包括第一金属前驱物蒸气和第一氧化剂蒸气的第一气相工艺在所述基板上形成第一金属氧膜；和用包括第二金属前驱物蒸气和第二氧化剂蒸气的第二气相工艺在...

公开了用于以低沉积速率沉积膜的PECVD方法，包括间歇性地活化等离子体。能够使用至少聚硅烷前驱物和等离子体气体以沉积可流动膜。公开的工艺的沉积速率可以小于公开的工艺的沉积速率可以小于公开的工艺的沉积速率可以小于公开的工艺的沉积速率可以小于

本公开内容的实施方式大体涉及在航空部件上的保护涂层和用于沉积所述保护涂层的方法。所述保护涂层可以是防焦涂层，以减少或抑制在燃料存在下加热所述航空部件时的焦炭形成。在一个或多个实施方式中，一种用于在航空部件上沉积保护涂层的方法包括：将所述...

提供了用于等离子体处理基板的方法和设备。基板处理腔室包括耦接至基板支撑件(118)和腔室底部(108)的第一接地带(130A、130B)和第二接地带(131A、131B)。所述第一接地带(130A、130B)的顶端(152)耦接至支撑连...

本文公开的是一种用于处理腔室的隔热组件。处理腔室包括主体，该主体具有侧壁、底部和盖件，该侧壁、该底部和该盖件限定内部空间。隔热组件设置在内部空间中，且包括隔热件和预热构件。预热构件包括内圆周，并定位于隔热件下方。基座设置在内部空间中并经...

一种诊断盘，包括盘主体，盘主体具有围绕盘主体的圆周的侧壁、以及至少一个从侧壁的顶部向外延伸的突起。非接触式传感器附接到至少一个突起中的每一个突起的底侧。印刷电路板(PCB)定位在由盘主体形成的内部内。电路系统设置在PCB上并耦合到每个非...

本文描述的一个或多个实施方式涉及用于制造器件及结构的选择性方法。在这些实施方式中，器件暴露在处理腔室的处理空间内。前驱物气体以一定的流量比并在一定的处理条件下在处理空间中流动。本文所述的处理条件导致在对应于每个鳍片顶部的器件晶面的{10...

用于神经形态应用的示例性半导体结构可包含覆盖基板材料的第一层。第一层可为或可包含第一氧化物材料。结构可包含设置于邻近第一层的第二层。第二层可为或可包含第二氧化物材料。结构亦可包含沉积覆盖第二层的电极材料。结构亦可包含沉积覆盖第二层的电极...

公开了用于在基板上的材料层的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)期间和之后减少斜面剥离的方法和设备。在一个实施例中，一种处理基板的方法包括以下步骤：将基板定位在处理腔室的处理容积中；用由处理气体形成的处理等离子体对基板的表面进行等离子...

相对于第二基板表面选择性地沉积膜到第一基板表面上的方法。方法包括使用甲硅烷基胺浸泡包含羟基终端的基板表面以形成甲硅烷基醚终端以及沉积膜到该甲硅烷基醚终端表面以外的表面上。外的表面上。外的表面上。