描述了沉积设备和沉积系统。所述沉积设备包括：真空腔室，所述真空腔室定大小为适于容纳GEN 2代或更高世代的矩形大面积基板；和沉积源阵列，所述沉积源阵列具有至少第一沉积源、第二沉积源和第三沉积源，所述第一沉积源、第二沉积源和第三沉积源具有...

本文公开的实施方式涉及一种曝光图案变更软件应用程序，曝光图案变更软件应用程序操纵具有角度的线的曝光多边形，所述角度实质上接近于六边形密集体布置的对称角度，曝光多边形具有长错位部。长错位部其本身是呈现为高边缘放置误差区域。因此，曝光图案变...

本公开内容涉及用于薄膜封装(TFE)的方法和设备。在一个实施方式中，公开了一种用于原子层沉积(ALD)腔室的工艺配件，所述工艺配件包括介电窗口、密封框架和与所述密封框架连接的掩模框架，其中所述掩模框架具有在掩模框架的相对侧上形成在掩模框...

本公开内容涉及薄的外形因数的重构基板及其形成方法。本文所述的重构基板可用于制造同质或异质的高密度3D集成器件。在一个实施例中，通过直接激光图案化将硅基板结构化成包括一个或多个腔和一个或多个通孔。可将相同或不同类型的一个或多个半导体管芯放...

提供了用于处理基板的实施例，并且实施例包括修整光刻胶的方法，以提供具有平滑侧壁表面的光刻胶轮廓并且调整图案化特征和/或后续沉积的介电层的临界尺寸。所述方法能够包括：在基板上沉积牺牲结构层，在牺牲结构层上沉积光刻胶，以及图案化光刻胶以在牺...

揭示了用于在非金属表面上进行选择性沉积的方法。本揭示内容的一些实施方式利用不饱和烃在金属表面上形成阻止层。进行沉积以选择性地沉积于未受阻止的非金属表面上。本揭示内容的一些实施方式涉及形成具减小的电阻的金属过孔的方法。属过孔的方法。属过孔...

本文描述的实施方式提供了用于等离子体处理腔室的基座提升组件及其使用方法。基座提升组件具有压板，压板配置成耦合设置在等离子体处理腔室中的基座的轴。绝对线性编码器耦合到固定框架，其中绝对线性编码器配置成检测压板的增量移动。提升杆附接于压板上...

在实施方式中，一种形成用于半导体处理的特征的方法。第一心轴和第二心轴形成于基板上。沿着第一心轴的第一侧壁形成第一间隔物，且沿着第二心轴的第二侧壁形成第二间隔物。间隙界定于第一间隔物与第二间隔物之间。藉由间隙填充材料填充间隙。在一些实例中...

本文提供工艺配件屏蔽物和包含该工艺配件屏蔽物的工艺腔室的实施方式。在一些实施方式中，被配置成用于在工艺腔室中使用以处理基板的工艺配件包括：屏蔽物，该屏蔽物具有圆柱形主体，该圆柱形主体具有上部分和下部分；适配器部分，该适配器部分经配置以被...

一种用于形成金属电极结构、更具体地是含锂阳极、包括前述含锂电极的高性能电化学装置、诸如一次电化学装置和二次电化学装置的方法和设备。在一个实施方式中，所述方法包括在集电器上形成锂金属膜。所述集电器包括铜和/或不锈钢。所述方法进一步包括在所...

使用成像反射计测量来检测样本上的局部倾斜区域的方法包括：在不阻挡从样本反射的任何光的情况下获得第一图像，以及在孔径平面处阻挡从样本反射的一些光时获得第二图像。通过将第一图像中像素的第一反射强度值与第二图像中对应像素的第二反射强度值进行比...

在本文中描述的实施方式涉及基板支撑件和用于控制该基板支撑件的温度的技术。该基板支撑件包含：加热元件和设置在加热元件中的过温开关。该加热元件加热该基板支撑件和设置在该基板支撑件上的基板。该过温开关控制该加热元件和该基板支撑件的温度。该过温...

一种用于涂覆颗粒的反应器包括：固定的真空腔室，所述固定的真空腔室用于容纳待涂布的颗粒床；在腔室的上部中的真空端口；化学输送系统，所述化学输送系统经配置以将反应物气体或前驱物气体注入腔室的下部；桨叶组件；和马达，所述马达用于旋转所述桨叶组...

描述了用于运输载体的磁悬浮系统。磁悬浮系统包括沿着运输轨道延伸的多个主动磁性轴承和至少第一功率级和第二功率级，其中多个主动磁性轴承的第一组主动磁性轴承连接到第一功率级，并且多个主动磁性轴承的第二组主动磁性轴承连接到第二功率级。性轴承连接...

一种在基板上溅射沉积含金属层的方法包括：将气体混合物供应到处理腔室(100)中；在基板(101)上形成含金属层的第一部分；从处理腔室传输基板；旋转基板；将基板传输回到处理腔室，并在含金属层的第一部分上形成含金属层的第二部分。还公开一种在...

公开了采用具有摩擦增强图案的周边表面在湿式化学工艺期间接触基板的压模制品。例如环形主体的制品可借助压模技术形成。通过包含图案化表面作为环形主体的外周边的一部分，所述环形主体和基板之间的摩擦接触可被增强，因为与湿式化学工艺相关联的减少摩擦...

于此描述的一个或多个实施方式大体关于用于校准用于处理半导体基板的光发射光谱仪(OES)的系统和方法。在于此的实施方式中，将灯具安装到处理腔室内的板上。光源位于灯具内，使得光源提供直接投射在窗口处的光路，OES通过窗口观察处理腔室中以进行...

本文描述的一个或多个实施例总体上涉及用于将基板吸附到半导体处理系统中所使用的静电吸盘和从静电吸盘将基板解吸附的方法。通常，在本文所述的实施例中，所述方法包括：(1)将来自直流(DC)功率源的第一电压施加至设置在基座内的电极；(2)将工艺...

一种设备前端模块，可包含形成设备前端模块腔室的设备前端模块主体。设备前端模块主体可包含多个壁。一个或多个装载锁定腔室或处理腔室可耦合一个或多个第一壁。一个或多个装载端口可设置在一个或多个第二壁中，其中一个或多个装载端口中的每个装载端口配...

描述在基板上制造有机层堆叠的方法。方法包括在基板上方沉积一个或多个有机层的有机层堆叠；使具有一个或多个有机层的有机层堆叠的基板暴露于在有机层堆叠上方产生保护部件的材料；和在具有保护部件的有机层堆叠上方沉积透明的导电电极。积透明的导电电极...