用于修改光刻胶轮廓和调整临界尺寸的方法技术

提供了用于处理基板的实施例，并且实施例包括修整光刻胶的方法，以提供具有平滑侧壁表面的光刻胶轮廓并且调整图案化特征和/或后续沉积的介电层的临界尺寸。所述方法能够包括：在基板上沉积牺牲结构层，在牺牲结构层上沉积光刻胶，以及图案化光刻胶以在牺牲结构层上产生粗略光刻胶轮廓。所述方法还包括：用等离子体修整光刻胶以产生覆盖牺牲结构层的第一部分的精修的光刻胶轮廓，同时暴露牺牲结构层的第二部分；蚀刻牺牲结构层的第二部分以形成设置在基板上的图案化特征；以及在图案化特征上沉积介电层。沉积介电层。沉积介电层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于修改光刻胶轮廓和调整临界尺寸的方法
背景领域
[0001]本公开内容的实施例总体上涉及用于半导体处理的方法。具体而言，本公开内容的实施例涉及用于修整光刻胶层和沉积正形(conformal)介电膜的方法。相关技术说明
[0002]介电层已用于诸如现代半导体器件的制造中的阻挡层或间隔件之类的应用。能够使用诸如原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD)之类的沉积工艺将介电层沉积在图案化的基板中的特征(例如，沟槽或通孔(via))之上。随后，各向异性地蚀刻介电层以在特征的任一侧上形成间隔件。虽然由于ALD工艺的自我限制的本质，使用ALD工艺沉积间隔件的方法能够在特征之上提供正形层，但是由于相关的反应机制，使用CVD工艺在零图案负载的情况下跨图案化基板和覆盖基板(blanket substrate)上形成高度正形的介电层是具有挑战性的。
[0003]随着特征的缩放，由于193浸没式光刻的限制，期望的临界尺寸(CD)目标可能具有挑战性。为了达成CD目标和期望的轮廓，类似自对准双重图案化(SADP)和自对准四重图案化(SAQP)的多图案化技术用于各种应用，以构建本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于处理基板的方法，包括：在所述基板上沉积牺牲结构层；在所述牺牲结构层上沉积光刻胶；图案化所述光刻胶以在所述牺牲结构层上产生粗略的光刻胶轮廓；用等离子体修整所述光刻胶，以产生覆盖所述牺牲结构层的第一部分的精修的光刻胶轮廓，同时暴露所述牺牲结构层的第二部分；蚀刻所述牺牲结构层的所述第二部分，以形成设置在所述基板上的图案化特征；以及在所述图案化特征上沉积介电层。2.如权利要求1所述的方法，其中所述精修的光刻胶轮廓含有侧壁表面，所述侧壁表面具有比所述粗略的光刻胶轮廓的侧壁表面更平滑或更不呈波浪状的表面。3.如权利要求1所述的方法，其中修整所述光刻胶进一步包括：调制所述图案化特征或后续沉积的所述介电层的临界尺寸。4.如权利要求1所述的方法，其中所述精修的光刻胶轮廓具有约至约的线宽粗糙度和约至约的线边缘粗糙度。5.如权利要求1所述的方法，其中修整所述光刻胶和沉积所述介电层发生在相同的处理腔室中。6.如权利要求5所述的方法，其中所述处理腔室是等离子体增强化学气相沉积腔室。7.如权利要求1所述的方法，其中以在约100kHz至约2.4GHz的范围内的频率和在约10瓦至约1,000瓦的范围内的功率来生成所述等离子体，其中在具有在约10毫托至约50托的范围内的压力的处理腔室中生成所述等离子体。8.如权利要求1所述的方法，其中修整所述光刻胶进一步包括：将所述光刻胶暴露于处理气体，所述处理气体包括：氢气(H2)、氨气、一氧化二氮、氧气(O2)、碳氢化合物、三氟化氮、氯气Cl2)、氮气(N2)、二氧化碳、一氧化碳、水、上述各项的离子、上述各项的等离子体、或上述各项的任何组合。9.如权利要求1所述的方法，进一步包括：在将所述介电层沉积在所述图案化特征上之前，从所述图案化特征移除所述光刻胶。10.一种用于处理基板的方法，包括：在所述基板上沉积牺牲结构层；在所述牺牲结构层上沉积光刻胶；图案化所述光刻胶以在所述牺牲结构层...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：