本公开的实施方式大体涉及集成电路的制造。更具体地，本文中描述的实施方式提供用于沉积用于图案化应用的高密度膜的技术。在一个实施方式中，提供一种处理基板的方法。该方法包括使含烃气体混合物流动至处理腔室的处理容积中，该处理腔室具有定位于静电吸...

本文描述了具有改性表面材料的RF组件以改进耐化学性并减少处理腔室内的金属污染物。本文还公开了制造和使用所述RF组件的方法。本公开的一些实施例包含具有大于或等于75GPa的杨氏模量的基底材料。本公开的一些实施例具有改性表面材料，所述改性表...

公开了一种形成具有阻挡性质的低k介电层的方法。所述方法包括通过PECVD形成掺杂有硼、氮或磷中的一者或多者的介电层。一些实施例的掺杂剂气体可在沉积期间与其他反应物共同流动。动。动。

一种用于基板处理腔室的面板包含第一表面和第二表面。第二表面成形为使得第二表面包括峰，并且在第一表面和第二表面之间的距离在面板的整个宽度上变化。面板的第二表面暴露于处理腔室的处理容积。此外，面板可以是处理腔室的盖组件的一部分。盖组件可包括...

本案提供生成复合影像的成像系统及方法。所述成像系统包括耦合至传感器的一或更多个透镜组件。当来自物体的反射光进入所述成像系统时，在超透镜滤光系统上的入射光生成经过滤的光，经过滤的光被对应的传感器转成复合影像。各超透镜滤光系统将光聚焦于特定...

描述了形成和处理半导体装置的方法。某些实施方式涉及包括偶极区的电子装置，偶极区具有层间电介质、高K介电材料、和偶极层。偶极层包括以下的一者或多者：氮化钛镧(TiLaN)、氮化钛钇(TiYN)、氮化钛锶(TiSrN)、氮化钛镁(TiMgN...

在一个实例中，一种工艺腔室包括：盖组件、第一气体供应、第二气体供应、腔室主体、以及基板支撑件。所述盖组件包括气体箱、穿过所述气体箱的气体导管、挡板、以及喷头。所述气体箱包括气体分配气室和分配板，所述分配板包括多个孔洞，所述多个孔洞与所述...

本公开内容的多个实施方式一般涉及用于清洁处理腔室的设备和方法。在一个实施方式中，基板支承件盖包括用氟化物涂层涂布的块状构件。在清洁处理期间，基板支承件盖放置在布置在处理腔室中的基板支承件上。氟化物涂层不会与清洁物质反应。基板支承件盖保护...

本公开内容总体上涉及用于改进处理气体的压力分布的方位角均匀性的设备。在一个示例中，处理腔室包括盖、侧壁、和基板支撑件以界定处理体积。底部碗、腔室基底、和壁界定净化体积。所述净化体积设置于所述处理体积下方。所述底部碗包括第一表面，所述第一...

本公开内容的实施方式涉及制造光学装置的方法。此方法的一个实施方式包括在基板的表面上设置结构材料层和在结构材料层上方设置图案化光刻胶。图案化光刻胶具有至少一个装置部分与至少一个辅助部分。各装置部分与各辅助部分暴露结构材料层的未掩蔽部分。对...

在一个实施方式中，公开了一种用于产生用于多成像单元DLT的预测模型的方法。定位DLT的平台，以使基板上的一组对准记号位于一组DLT的眼下方。针对此组对准记号中的每个对准记号，在第一时间使用耦接至该对准记号上方的眼的照相机获得第一图像，以...

提供了气体分配设备，具有：喷头，具有间隔开以形成气体空间的前板及背板，前板具有邻近气体空间的内表面及有多个孔延伸穿过其中的外表面，气体空间具有中心区域及外部区域；第一入口，与气体空间的中心区域流体连通，入口具有内侧及外侧；以及混合器，在...

一种用于在化学机械研磨系统中对承载头或基板进行蒸气处理的设备，该设备包括装载罩、基座、锅炉、一个或多个喷嘴以及供应管线，该基座在由该装载罩所界定的腔中，该基座配置成从承载头接收基板或将该基板供应到该承载头，该锅炉用于产生蒸气，该一个或多...

一种用于化学机械抛光系统的温度控制方法，包括以下步骤：当抛光系统中的部件与抛光系统中的抛光垫分隔开时，将包含蒸汽的气体从孔口引导到部件上以清洁部件或使部件的温度上升到升高的温度。将部件移动到与抛光垫接触，这可以在部件返回到环境温度之前发...

本文描述的实施例总体上涉及处理基板的方法，包括将基板放置于处理腔室的处理容积中。所述基板包含具有多个特征的图案化表面。由穿过多层堆叠形成的一个或更多个开口来界定所述多个特征的各个特征，且所述多层堆叠包含含硫属元素材料。所述方法进一步包含...

本公开的实施例总体涉及基板上的表面和在基板上形成的层上的表面的平面化。更具体地，本公开的实施例涉及用于先进封装应用的基板上的表面(诸如聚合材料层的表面)的平面化。在一个实施方式中，方法包括在第一抛光工艺期间在存在研磨浆料的情况下抵靠抛光...

一种基板底座，包括：导热基板支撑件，导热基板支撑件包括网格；导热杆，导热杆中包括多个导通棒，各个导通棒具有第一端及第二端；以及传感器。各个导通棒的第一端电气耦合至网格，且传感器布置于各个导通棒的第一端及第二端之间，且配置成检测流过各个导...

本公开的实施例总体上涉及制造用于化学机械抛光(CMP)系统的抛光台板的方法以及由其形成的抛光台板。一种制造抛光台板的方法包括将抛光台板定位在制造系统的支撑件上。所述制造系统包括支撑件和面向支撑件的切割工具。此处，抛光台板包括圆柱形金属体...

本案公开了一种用于形成装置结构的方法。形成装置结构的方法包括使用循环蚀刻处理技术在装置材料层中形成变深度结构。在变深度结构中形成多个装置结构以在其中限定垂直或倾斜的装置结构。使用蚀刻处理形成所述变深度结构以及垂直或倾斜的装置结构。构以及...

本文公开了用于分析半导体晶片上的结构元件的截面特征以确定是否发生无法达到选定参数的孤立故障或系统故障的方法和系统。参数的孤立故障或系统故障的方法和系统。参数的孤立故障或系统故障的方法和系统。