用于平板光学器件制造的光刻胶负载方案制造技术

本公开内容的实施方式涉及制造光学装置的方法。此方法的一个实施方式包括在基板的表面上设置结构材料层和在结构材料层上方设置图案化光刻胶。图案化光刻胶具有至少一个装置部分与至少一个辅助部分。各装置部分与各辅助部分暴露结构材料层的未掩蔽部分。对应于各装置部分与各辅助部分的结构材料层的未掩蔽部分被蚀刻。蚀刻未掩蔽部分形成具有装置结构与至少一个辅助区的至少一个光学装置，该装置结构对应于至少一个装置部分的未掩蔽部分，该至少一个辅助区具有对应于至少一个辅助部分的未掩蔽部分的辅助结构。未掩蔽部分的辅助结构。未掩蔽部分的辅助结构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于平板光学器件制造的光刻胶负载方案
[0001]背景
[0002]领域
[0003]本公开内容的实施方式总体涉及光学装置。更具体地，本文所述的实施方式提供一个或多个光学装置的制造。
[0004]相关技术的说明
[0005]光学装置可用以操纵光的传播。光学装置的一个实例是平板(flat)光学装置。可见光与近红外线光谱中的平板光学装置会需要透明基板，该基板具在设置在基板上的诸如纳米结构之类的结构。然而，作为新兴技术，处理透明基板以形成光学装置既复杂又具挑战性。例如，在相邻光学装置之间和在光学装置与基板的周边之间的区域中大面积的结构材料可被蚀刻掉，使得光学装置只被基板的表面围绕。只由基板的表面围绕光学装置造成不能够确定蚀刻工艺的终点，这会造成结构的不期望临界尺寸。
[0006]因此，本领域需要的是制造光学装置的改良方法。
[0007]概述
[0008]在一个实施方式中，提供一种方法。此方法包括在基板的表面上设置结构材料层与在结构材料层上方设置图案化光刻胶。图案化光刻胶具有至少一个装置部分与至少一个辅助部分。各装置部分与各辅助部本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种装置，包含：至少一个光学装置，具有纳米结构的一个或多个阵列，所述纳米结构设置在基板的表面上或与所述基板的所述表面整合，所述纳米结构中的每一者具有：通过所述纳米结构的宽度限定的装置临界尺寸，所述装置临界尺寸小于1000纳米(nm)；和限定为在相邻纳米结构之间的距离的装置间隙；和辅助区，通过中间区来限定，所述辅助区环绕各光学装置的周边而设置，所述辅助区具有辅助结构的一个或多个阵列，所述辅助结构设置在所述基板的所述表面上或与所述基板的所述表面整合；所述辅助结构中的每一者具有：通过所述辅助结构的所述宽度限定的辅助临界尺寸；和限定为在相邻辅助结构之间的距离的辅助间隙。2.如权利要求1所述的装置，其中各光学装置与所述辅助区的部分具有所述装置间隙与所述辅助间隙，所述装置间隙与所述辅助间隙是彼此的辅助临界尺寸。3.如权利要求2所述的装置，其中各光学装置与所述辅助区的所述部分具有小于所述辅助临界尺寸的所述装置临界尺寸。4.如权利要求2所述的装置，其中各光学装置与所述辅助区的所述部分具有大体上等于所述辅助临界尺寸的所述装置临界尺寸。5.如权利要求1所述的装置，其中至少所述纳米结构或所述辅助结构包含以下项中的一者或多者：含二氧化钛(TiO2)材料、含氧化锌(ZnO)材料、含二氧化锡(SnO2)材料、含铝掺杂氧化锌(AZO)的材料、含氟掺杂氧化锡(FTO)的材料、含镉锡酸盐(氧化锡)(CTO)材料、含锌锡酸盐(氧化锡)(SnZnO3)材料、含氮化硅(Si3N4)材料、含氧化铌(Nb2O5)材料、或含硅材料。6.如权利要求1所述的装置，其中所述纳米结构与所述辅助结构由大体上相同的材料构成。7.一种装置，包含：至少一个光学装置，具有纳米结构一个或多个阵列，所述纳米结构设置在基板的表面上或与所述基板的所述表面整合，所述纳米结构中的每一者具有：通过所述纳米结构的宽度限定的装置临界尺寸，所述装置临界尺寸小于1000纳米(nm)；和限定为在相邻纳米结构之间的距离的装置间隙；和中间区，环绕各光学装置，所述中间区暴露对应于在所述基板的辅助区与各光学装置之间的暴露距离的所述基板的所述表面，所述辅助区具有暗场掩模，所述辅助区设置在所述基板的所述表面上或与所述基板的所述表面整合。8.如权利要求7所述的装置，其中所述暗场掩模是设置在辅助结构上方的光刻胶或硬模中的至少一者，所述辅助结构设置在所述基板的所述表面上。9.如权利要求8所述的装置，其中所述硬模包括以下项中的至少一者：含铬(Cr)材料、含银(Ag)材料、含氮化硅(Si3N4)材料、含二氧化硅(SiO2)材料、含...

【专利技术属性】
技术研发人员：赛捷，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：