一种蒸汽产生设备包括具有进水口和蒸汽出口的罐。蒸汽产生设备在罐中包括屏障，屏障将罐分成下部腔室和上部腔室。下部腔室被定位成从进水口接收水。蒸汽出口阀从上部腔室接收蒸汽。屏障具有孔，孔用于蒸汽从下部腔室传递到上部腔室，并且允许冷凝水从上部...

本文描述的实施例总体涉及用于处理基板的设备。在一个或多个实施例中，一种加热器支撑套件包括：加热器组件，所述加热器组件含有具有上表面和下表面的加热器板；卡环，所述卡环设置在所述加热器板的所述上表面的至少一部分上；加热器臂组件，所述加热器臂...

此处所披露的实施方式包括用于减排系统的颗粒收集捕捉器，用于减排在半导体处理中产生的化合物。颗粒收集捕捉器包括用于在颗粒收集捕捉器中产生螺旋气体流动的装置。螺旋气体流动造成比气体更重的颗粒行进至其中气体速度较慢的流动路径的外径，且掉落离开...

一种保持环，包括大致环形主体，所述大致环形主体具有内部表面和底部表面，所述内部表面用于束缚基板，所述底部表面具有多个通道和多个岛状部，多个通道从外部表面延伸至内部表面，并且多个岛状部由通道分开且提供接触面积以接触抛光垫，其中接触面积是底...

描述了精密丝网印刷，所述精密丝网印刷能够使得印刷在生坯片陶瓷上的金属化材料具有次微米均匀性。在一些示例中，通过在陶瓷生坯片上以电迹线的图案而丝网印刷含有金属的糊料而形成具有电迹线的圆盘，并且处理所印刷的生坯片以形成工件载体的圆盘。在一些...

本公开的实施例总体涉及用于形成半导体器件的基板处理腔室及其部件。处理腔室包括基板支撑件，并且边缘环围绕基板支撑件设置。边缘环包括选自由以下各项组成的群组的材料：石英、硅、交联的聚苯乙烯和二乙烯苯、聚醚醚酮、Al2O3和AlN。选择边缘环...

提供了一种制备药用组成物的方法，所述药用组成物具有由一种或多至金属氧化物材料包围的含药物核心。所述方法包括：依序原子层沉积金属氧化物层，然后进行分子层级沉积聚合物层。这产生了一种药用组成物，所述药用组成物包括由一种或多种金属氧化物材料和...

本文披露的实施方式大体涉及形成薄膜晶体管(TFT)的方法。所述方法包括形成一个或多个金属氧化物层和/或多晶硅层。使用具有电感耦合等离子体(ICP)的高密度等离子体化学气相沉积(HDP

本公开内容的实施例提供用于蚀刻氧化物材料的多种方法。本公开内容的一些实施例提供优先于其他材料而选择性蚀刻氧化物材料的方法。在一些实施例中，本公开内容的方法是通过原子层蚀刻(ALE)执行。在一些实施例中，本公开内容的方法是在包括镍腔室材料...

本公开内容的实施方式大体涉及在航空部件上的保护涂层和用于沉积所述保护涂层的方法。在一个或多个实施方式中，一种用于在航空部件上产生保护涂层的方法包括：在含有镍和铝(例如，镍

本文描述的多个实施方式涉及用于制造光学装置的方法。本文描述的方法使得能够在基板上制造一个或多个光学装置，该基板具有围绕每个光学装置的孔，光学装置具有多个结构。本文描述的方法的一个实施方式包括：在基板的表面上设置孔材料层，在孔和基板的表面...

描述一种在基板上沉积材料的方法。所述方法包括从具有第一磁体组件的第一旋转靶材和具有第二磁体组件的第二旋转靶材溅射材料的至少一成分。第一旋转靶材内的第一磁体组件在朝向第二旋转靶材的第一方向上提供第一等离子体约束。第二旋转靶材内的第二磁体组...

一般来说，本说明书所述的实例关于用于处理基板的系统，且更具体地关于用于从基板的边缘去除边缘珠粒或其他污染源。一个实例是处理系统，该处理系统包括腔室、腔室内的基板处置器以及腔室内的辐射产生器。基板处置器经配置固定基板。基板处置器可操作以将...

本公开内容涉及用于等离子体处理基板的方法和设备。在一个实施方式中，基板处理腔室包括接地带组件。接地带组件包括接地带和一个或多个连接器，所述一个或多个连接器耦接到基板支撑件和/或腔室主体。每个连接器具有第一夹持构件和第二夹持构件。接地带紧...

公开用于在多阴极处理腔室中使用的工艺配件、多阴极处理腔室和用于在多阴极处理腔室中使用的工艺配件部件。工艺配件包括以下中的一个或多个：锥形屏蔽物、可旋转的屏蔽物、护罩、内部沉积环、外部沉积环或盖环。在一些实施方式中，工艺配件包括：可旋转的...

本文所描述实施方式涉及用于在半导体基板上形成或处理材料层的方法。在一个实施方式中，用于执行原子层工艺方法包括输送物质至处于第一温度的基板的表面，随后将基板的表面尖峰退火至第二温度以引发物质与基板的表面上的分子之间的反应。第二温度高于第一...

本文描述的实施方式涉及用于曝光后处理的方法及设备。更特定而言，本文描述的实施方式涉及场引导的曝光后烘烤(iFGPEB)腔室及处理。在一个实施方式中，将基板传送至曝光后处理腔室中，且接着通过多个升降销将基板抬升至预处理位置。基板支撑件接着...

本公开的实施方式一般涉及制造薄膜晶体管(TFT)的方法。更具体地，本文描述的实施方式涉及使用电感耦合等离子体高密度等离子体工艺在金属氧化物层之上沉积绝缘层以提高电子迁移率的方法。高密度等离子体包括大于1.0E11/cm3的电子或离子等离...

提供了用于阳极膜的界面膜，所述界面膜既是电子传导的又是离子传导的。本文描述的一个或多个保护膜可以是混合传导材料，该混合传导材料既是电子传导的又是离子传导的。本文描述的一个或多个保护膜可包括选自锂过渡金属二硫属化物、Li9Ti5O

本文提供用于基板处理腔室的方法和设备。在一些实施例中，基板处理腔室包括腔室主体，所述腔室主体具有侧壁，所述侧壁限定具有多边形形状的内部体积；设置在腔室主体的上部中的可选择性密封的细长开口以用于将一个或多个基板转移进入或离开腔室主体；设置...