用于3D共形处理的原子层处理腔室制造技术

本文所描述实施方式涉及用于在半导体基板上形成或处理材料层的方法。在一个实施方式中，用于执行原子层工艺方法包括输送物质至处于第一温度的基板的表面，随后将基板的表面尖峰退火至第二温度以引发物质与基板的表面上的分子之间的反应。第二温度高于第一温度。通过重复输送及尖峰退火工艺，在基板的表面上形成共形层或对基板的表面执行共形蚀刻工艺。成共形层或对基板的表面执行共形蚀刻工艺。成共形层或对基板的表面执行共形蚀刻工艺。

【技术实现步骤摘要】
用于3D共形处理的原子层处理腔室
[0001]本申请是申请日为2016年2月25日、申请号为201680016568.X、专利技术名称为“用于3D共形处理的原子层处理腔室”的专利技术专利申请的分案申请。


[0002]本文所描述的实施方式涉及半导体制造工艺。更特定而言，公开用于在半导体基板上形成或处理材料层的方法。

技术介绍

[0003]自从半导体元件面世数十年以来其几何形状已在尺寸上显著减小。现代半导体制造设备通常生产具有45nm、32nm及28nm特征尺寸的器件，而新设备正在研制并实施来生产具有小于12nm的尺寸的器件。另外，芯片架构正处于从二维(2D)到三维(3D)结构的转折点，以适于更佳的性能、功率消耗更低的器件。因此，形成这些器件的材料的共形沉积正变得日益重要。
[0004]可在高温下执行形成3D结构的材料的共形沉积。然而，减少的热收支(heat budget)及更严格的临界尺寸需求使得高温热工艺不适用于进阶的器件节点(nodes)。在减少的热收支下，可通过使用等离子体或光执行反应物键的预断裂。然而，由于存在等离子体鞘及本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种处理腔室，包括：底部；侧壁；顶部，其中所述底部、所述侧壁及所述顶部界定处理区域；注射口，所述注射口形成于所述侧壁中并通往所述处理区域；基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述处理区域中；温度控制元件，所述温度控制元件设置在所述基板支撑件中；闪热源，所述闪热源设置在所述基板支撑件上方，其中所述闪热源包括多个激光器；以及原子团气体源，所述原子团气体源耦接至所述注射口。2.根据权利要求1所述的处理腔室，其中所述温度控制元件包括加热元件。3.根据权利要求1所述的处理腔室，进一步包括净化气体源。4.根据权利要求1所述的处理腔室，进一步包括分隔件，所述分隔件设置在所述处理区域中。5.根据权利要求4所述的处理腔室，其中所述分隔件形成两个处理站。6.根据权利要求4所述的处理腔室，其中所述分隔件包括实体分隔件或空气幕。7.一种处...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘炜，阿布拉什，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：