【技术实现步骤摘要】
成膜装置以及板
[0001]本实施方式涉及成膜装置以及板。
技术介绍
[0002]在SiC膜等的外延生长法中使用的成膜装置，需要以1500℃～1700℃这样的高温来加热基板。因此，例如，设置在成膜腔室的上部的气体供给部，也由于来自用于加热基板的加热器等的辐射而暴露在高温下。但是，当在气体供给部附近原料气体、掺杂气体进行对流而被加热时，包含原料以及掺杂物的堆积物会附着在气体供给部的表面上。如此附着于气体供给部的堆积物成为颗粒而落下到基板上，成为器件不良的原因。此外，由于从附着于气体供给部的堆积物释放出掺杂物气体，因此还存在SiC膜的掺杂浓度随时间经过而变化这样的问题(记忆效应)。
技术实现思路
[0003]本实施方式提供成膜装置以及板，能够在径向上控制向基板面内供给的工艺气体的浓度、流量。
[0004]本实施方式的成膜装置为，具备：成膜室，能够收容基板；气体供给部，具有设置在成膜室的上部并向基板的成膜面上供给工艺气体的多个喷嘴、以及抑制工艺气体的温度上升的冷却部；加热器，将基板加热到1500℃以上；以及板，...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种成膜装置，具备：成膜室，能够收容基板；气体供给部，具有：多个喷嘴，设置在上述成膜室的上部，向上述基板的成膜面上供给工艺气体；以及冷却部，抑制上述工艺气体的温度上升；加热器，将上述基板加热到1500℃以上；以及板，在上述成膜室内与形成有上述多个喷嘴的第1开口部的上述气体供给部的下表面对置，且与该下表面分离地配置，上述板包括：多个第2开口部，具有比上述第1开口部小的直径，在该板面内均匀地配置；以及分隔部，在与上述气体供给部对置的对置面上突出，将上述板的面内分隔为多个区域。2.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，上述板具有由上述分隔部包围的第1板区域以及处于上述分隔部的外周侧的第2板区域，从上述气体供给部向上述第1板区域和上述第2板区域以互不相同的浓度或者互不相同的流量供给工艺气体。3.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，多个上述分隔部在上述对置面上设置成同心圆状。4.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，上述气体供给部具有用于测定上述成膜室的内部温度的第3开口部，上述板在与上述第3开口部对置的位置上具有与上述第3开口部相同或者比其大的第4开口部，上述分隔部还设置在上述第4开口部的周围。5.根据权利要求4所述的成膜装置，其中，上述分隔部设置在上述第4开口部的周围。6.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，在上述喷嘴所对置的上述板的对置位置上也设置有上述第2开口部。7.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，上述气体供给部与上述板之间的间隙为1.0m...
【专利技术属性】
技术研发人员：醍醐佳明，梅津拓人，石黑晓夫，
申请(专利权)人：纽富来科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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