【技术实现步骤摘要】
一种ALD半导体设备的气体喷淋头
[0001]本技术涉及喷淋头设备
,具体为一种ALD半导体设备的气体喷淋头。
技术介绍
[0002]在ALD半导体设备的制造过程中,例如蚀刻、沉积、氧化、溅射等处理过程中,通常会利用等离子体对基片(半导体晶片、玻璃基片等)进行处理。
[0003]目前使用的气体喷淋头无法根据现场所需进行孔径更换,缺少一定的实用性;内部沉积过滤的设备无法进行及时更换以及清洗的工作,不够卫生。
技术实现思路
[0004]本技术的目的在于提供一种ALD半导体设备的气体喷淋头,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:
[0006]一种ALD半导体设备的气体喷淋头,包括喷淋头本体、拆装机构、通孔和固定机构,所述喷淋头本体的顶部连接设置有连接管,且喷淋头本体的内部设置有腔体,并且喷淋头本体的底部连接设置有喷淋盘,所述喷淋盘的两端皆连接设置有拆装机构,且喷淋盘的内部连接设置有过滤网,并且喷淋盘的顶部和底部内部皆连接设置有若干通孔。/>[0007]优选本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种ALD半导体设备的气体喷淋头,其特征在于,包括喷淋头本体(1)、拆装机构(5)、通孔(7)和固定机构(9),所述喷淋头本体(1)的顶部连接设置有连接管(2),且喷淋头本体(1)的内部设置有腔体(3),并且喷淋头本体(1)的底部连接设置有喷淋盘(4),所述喷淋盘(4)的两端皆连接设置有拆装机构(5),且喷淋盘(4)的内部连接设置有过滤网(6),并且喷淋盘(4)的顶部和底部内部皆连接设置有若干通孔(7)。2.根据权利要求1所述的一种ALD半导体设备的气体喷淋头,其特征在于:所述喷淋盘(4)的底部连接设置有连接盖(8)。3.根据权利要求1所述的一种ALD半导体设备的气体喷淋头,其特征在于:所述拆装机构(5)的内部以及喷淋盘(4)的两端皆连接设置有连接块(501),且连接块(501...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈兆荣,
申请(专利权)人:赛林斯弥无锡电子科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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