晶圆气相沉积设备制造技术

本实用新型专利技术提供了一种晶圆气相沉积设备。晶圆气相沉积设备包括：反应室；基座，基座设置在反应室内，以用于承载晶圆；喷气结构，包括排气部，排气部设置在反应室内且位于基座的上方，以用于向晶圆喷射气体；其中，排气部具有第一子排气部和多个第二子排气部，第一子排气部和多个第二子排气部沿排气部的径向间隔设置，第一子排气部的排气量小于各第二子排气部的排气量；第一子排气部与排气部的中心轴之间具有第一预设距离A，第一预设距离A大于等于130mm且小于等于150mm；排气部的中心轴与晶圆的中心轴同轴设置。本实用新型专利技术有效地解决了现有技术中晶圆上沉积的薄膜厚度不一致而影响晶圆的加工质量的问题。晶圆的加工质量的问题。晶圆的加工质量的问题。

【技术实现步骤摘要】
晶圆气相沉积设备


[0001]本技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种晶圆气相沉积设备。

技术介绍

[0002]目前，等离子化学气相沉积薄膜的方法通常为在阳极和阴极之间产生辉光放电形成等离子体，以使反应气体发生活化反应，反应产物在晶圆上沉积形成薄膜。
[0003]然而，在现有技术中，由于晶圆的不同位置处的沉积速率存在差异，导致沉积在晶圆上的薄膜厚度差异较大，如在晶圆上半径为140mm位置处的薄膜厚度明显大于晶圆其余位置处的薄膜厚度，影响晶圆的加工质量。

技术实现思路

[0004]本技术的主要目的在于提供一种晶圆气相沉积设备，以解决现有技术中晶圆上沉积的薄膜厚度不一致而影响晶圆的加工质量的问题。
[0005]为了实现上述目的，本技术提供了一种晶圆气相沉积设备，包括：反应室；基座，基座设置在反应室内，以用于承载晶圆；喷气结构，包括排气部，排气部设置在反应室内且位于基座的上方，以用于向晶圆喷射气体；其中，排气部具有第一子排气部和多个第二子排气部，第一子排气部和多个第二子排气部沿排气部的径向间隔设置，第一子排气部的排气量本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆气相沉积设备，其特征在于，包括：反应室；基座，所述基座设置在所述反应室内，以用于承载晶圆；喷气结构，包括排气部，所述排气部设置在所述反应室内且位于所述基座的上方，以用于向所述晶圆喷射气体；其中，所述排气部具有第一子排气部和多个第二子排气部，所述第一子排气部和多个所述第二子排气部沿所述排气部的径向间隔设置，所述第一子排气部的排气量小于各所述第二子排气部的排气量；所述第一子排气部与所述排气部的中心轴之间具有第一预设距离A，所述第一预设距离A大于等于130mm且小于等于150mm；所述排气部的中心轴与所述晶圆的中心轴同轴设置。2.根据权利要求1所述的晶圆气相沉积设备，其特征在于，所述第一子排气部的排气量V1与各所述第二子排气部的排气量V2之间满足：0.7V2≤V1≤0.8V2。3.根据权利要求1所述的晶圆气相沉积设备，其特征在于，所述第一子排气部呈环形，所述第一子排气部的中心轴与所述排气部的中心轴同轴设置；和/或，各所述第二子排气部呈环形，所述第二子排气部的中心轴与所述排气部的中心轴同轴设置。4.根据权利要求1所述的晶圆气相沉积设备，其特征在于，所述第一子排气部呈弧形且为多个，多个所述第一子排气部绕所述排气部的中心轴间隔设置；和/或，各所述第二子排气部呈弧形且为多个，多个所述第二子排气部绕所述排...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈冠桦，张莉，阙凤森，杨事成，贺晓平，陈广辉，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：