半导体处理系统以及其控制组合件和方法技术方案

本申请涉及一种半导体处理系统以及其控制组合件和方法。所述半导体处理系统包含质量流量控制器MFC、控制组合件和处理室。所述MFC耦接到气体源以接收输入气体。耦接到所述MFC的所述控制组合件包含充装室、进气阀和排气阀。所述充装室被布置成容纳所述输入气体。所述进气阀被布置成控制针对所述充装室的所述输入气体的充装。所述排气阀被布置成控制容纳在所述充装室中的所述输入气体的释放。所述处理室耦接到所述控制组合件的所述排气阀。理室耦接到所述控制组合件的所述排气阀。理室耦接到所述控制组合件的所述排气阀。

【技术实现步骤摘要】
半导体处理系统以及其控制组合件和方法


[0001]本申请涉及半导体处理系统和方法。

技术介绍

[0002]在半导体制造领域，原子层沉积(ALD)是用于形成薄膜的流行技术。然而，很难在非常短的脉冲时间内递送精确和足够的化学剂量。通常放宽脉冲时间以确保足够的剂量和一致性，这对处理速度、精确的剂量调整和化学物质消耗具有负面影响。期望改进处理方法，使得可以在非常短且固定的脉冲时间内控制和递送精确、可重复和可缩放的化学剂量。这种改进可以产生更快的处理速度、化学剂量的精确调整以及化学物质的更有效使用。

技术实现思路

[0003]本申请的目的之一是提供一种半导体处理系统、一种控制所述半导体处理系统的方法以及一种所述半导体处理系统的控制组合件以解决上述问题。尽管关于ALD系统或ALD操作描述了本申请的一些实施例，但是可以设想的是，由本申请提供的解决方案可以应用于任何其它合适的半导体处理系统。
[0004]在一些实施例中，公开了一种半导体处理系统。所述半导体处理系统包含质量流量控制器MFC、控制组合件和处理室。所述MFC耦接到气体源以接收本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体处理系统，其包括：质量流量控制器MFC，所述MFC耦接到气体源以接收输入气体；控制组合件，所述控制组合件耦接到所述MFC，并且包括：充装室，所述充装室被布置成容纳所述输入气体；以及进气阀和排气阀，其中所述进气阀被布置成控制针对所述充装室的所述输入气体的充装，并且所述排气阀被布置成控制容纳在所述充装室中的所述输入气体的释放；以及处理室，所述处理室耦接到所述控制组合件的所述排气阀。2.根据权利要求1所述的半导体处理系统，其中所述排气阀是耦接在所述充装室与所述处理室之间的第一排气阀，并且所述控制组合件进一步包括：第二排气阀，所述第二排气阀耦接在所述充装室与倾卸管线之间。3.根据权利要求1所述的半导体处理系统，其中所述气体源是运载气体源，所述输入气体是运载气体，并且所述半导体处理系统进一步包括：前体槽，所述前体槽耦接在所述MFC与所述进气阀之间。4.根据权利要求1所述的半导体处理系统，其中所述气体源是反应气体源，并且所述输入气体是反应气体。5.根据权利要求1所述的半导体处理系统，其中所述控制组合件是第一控制组合件，所述充装室是第一充装室，所述进气阀是第一进气阀，并且所述排气阀是第一排气阀，并且所述半导体处理系统进一步包括：第二控制组合件，所述第二控制组合件耦接在所述MFC与所述处理室之间，并且包括：第二充装室，所述第二充装室被布置成容纳所述输入气体；以及第二进气阀和第二排气阀，其中所述第二进气阀被布置成控制针对所述第二充装室的所述输入气体的充装，并且所述第二排气阀被布置成控制容纳在所述第二充装室中的所述输入气体的释放。6.根据权利要求1所述的半导体处理系统，其中所述控制组合件是第一控制组合件，所述充装室是第一充装室，所述进气阀是第一进气阀，所述排气阀是第一排气阀，所述处理室是第一处理室，并且所述半导体处理系统进一步包括：第二控制组合件，所述第二控制组合件耦接到所述MFC，并且包括：第二充装室，所述第二充装室被布置成容纳所述输入气体；以及第二进气阀和第二排气阀，其中所述第二进气阀被布置成控制针对所述第二充装室的所述输入气体的充装，并且所述第二排气阀被布置成控制容纳在所述第二充装室中的所述输入气体的释放；以及第二处理室，所述第二处理室耦接到所述第二控制组合件的所述第二排气阀。7.根据权利要求3所述的半导体处理系统，其中所述MFC是第一MFC，所述控制组合件是第一控制组合件，所述充装室是第一充装室，所述进气阀是第一进气阀，所述排气阀是第一排气阀，并且所述半导体处理系统进一步包括：第二MFC，所述第二MFC耦接到反应气体源以接收反应气体；以及第二控制组合件，所述第二控制组合件耦接在所述第二MFC与所述处理室之间，并且包括：第二充装室，所述第二充装室被布置成容纳所述反应气体；以及
第二进气阀和第二排气阀，其中所述第二进气阀被布置成控制针对所述第二充装室的所述反应气体的充装，并且所述第二排气阀被布置成控制容纳在所述第二充装室中的所述反应气体的释放。8.一种控制半导体处理系统的方法，所述半导体处理系统包含耦接在气体源与处理室之间的控制组合件，所述方法包括：在处理阶段进行操作，包括：启动所述控制组合件的进气阀以向所述控制组合件的充装室充装来自所述气体源的输入气体，其中所述进气阀耦接在所述气体源与所述充装室之间；以及启动所述控制组合件的第一排气阀以将所述充装室中的所述输入气体释放到所述处理室中，其中所述第一排气阀耦接在所述充装室与所述处理室之间。9.根据权利要求8所述的方法，其中在所述处理阶段使所述进气阀和所述第一排气阀的启...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢主纯，
申请(专利权)人：盈技企业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：