本公开内容的实施方式提供形成可用于生物聚合物测序的固态双孔传感器的方法和通过所述方法形成的双孔传感器。在一个实施方式中，一种双孔传感器具备：基板，所述基板具有图案化表面，所述图案化表面包括由分隔壁间隔开的两个凹陷区域；和膜片层，所述膜片...

本文揭露了一种用于控制气体的流率的设备，包含经配置以限制气体的流率的流量限制元件；耦合到流量限制元件的入口的压力调节器，其中该压力调节器经配置以控制压力调节器和流量限制元件之间的气体压力；耦合至流量限制元件的出口的流量计，其中该流量计经...

处理系统包括腔室主体、基板支撑件和盖组件。所述基板支撑件位于所述腔室主体中并且包括第一电极。所述盖组件定位在腔室主体上方并限定处理容积。所述盖组件包括面板、定位于所述面板和所述腔室主体之间的第二电极、以及定位于所述第二电极和所述处理容积...

一种制作多色彩显示器的方法，包括在显示器上方分配光可固化流体，显示器具有LED的阵列，LED的阵列设置于覆盖层下方。覆盖物具有带有复数个凹槽的外部表面，且光可固化流体填充凹槽。光可固化流体包括色彩转换剂。启动阵列中的复数个LED，以照射...

公开的实施方式描述了一种光学检验装置，包括：光源，用来将光束引导到晶片的表面上的部位，所述晶片正在从处理腔室运输，其中所述光束用来产生反射光；光学传感器，用来收集表示第一反射光的方向的第一数据，收集表示多个值的第二数据，所述多个值表征在...

本文提供处理配件的实施例。在一些实施例中，一种用于在基板处理腔室中使用的处理配件包括：陶瓷环，所述陶瓷环具有上部表面和下部表面，其中陶瓷环包括布置于陶瓷环中的卡紧电极和布置于陶瓷环中的加热元件；以及边缘环，所述边缘环布置于陶瓷环上。所述...

用于在沉积可流动CVD膜之前在基板表面上进行表面处理来形成平滑的超薄可流动CVD膜的方法可改进均匀性和整体的膜平滑度。可透过任何合适的固化工艺来固化可流动CVD膜，以形成平滑的可流动CVD膜。平滑的可流动CVD膜。平滑的可流动CVD膜。

本文所述的一个或多个实施方式一般涉及在半导体处理中用于在基板上形成膜的方法和系统。在本文所述的多个实施方式中，提供一种处理腔室，包括盖板，具有形成于盖板中的多个冷却通道；基座，具有形成于基座中的多个冷却通道；和喷淋头，其中喷淋头包含多个...

本案提供一种对在基板的表面上形成的介电膜进行后处理的方法，方法包括将其上形成有介电膜的基板定位在处理腔室中，并且将介电膜暴露于处理腔室中在5GHz至7GHz之间的频率下的微波辐射。的微波辐射。的微波辐射。

描述了一种用于基板处理系统的真空取向模块。所述模块包括至少第一真空取向腔室，包括：真空腔室；第一运输轨道，所述第一运输轨道在所述真空腔室内，所述第一运输轨道具有第一支撑结构和第一驱动结构并且限定运输方向；取向致动器，所述取向致动器在非竖...

本说明书所述的实施例一般提供一种用于填充形成在基板上的特征的方法。在一个实施例中，提供了一种用于在基板上选择性地形成氧化硅层的方法。该方法包括将氧化硅层选择性地沉积于在基板表面上形成的图案化特征中，其中该图案化特征可包括沉积表面以及一或...

公开了一种静电卡盘。所述静电卡盘包括：主体，所述主体耦合到支撑杆，所述主体具有基板支撑表面；肩部，所述肩部从所述主体的基板支撑表面突出，其中绕所述主体的周边设置所述肩部；内部电极，所述内部电极嵌入在所述主体内，所述内部电极从所述主体的中...

腔室内的基板支撑组件中的多个加热区是独立控制的。将来自多个温度检测器的温度反馈设置成第一输入来提供给工艺控制算法，所述工艺控制算法可以是闭环算法。工艺控制算法的第二输入是使用模型所计算的一个或多个加热区的加热器温度的目标值。计算为一个或...

示例性基板处理系统可以包括限定传递区域的腔室主体。系统可以包括第一盖板，第一盖板沿着第一盖板的第一表面安置在腔室主体上，并且限定穿过该板的多个孔。第一盖板还可在每个孔周围限定凹进的突出部分。系统可以包括多个盖堆叠，多个盖堆叠的数量等于多...

在一个实施方式中，提供了一种用于形成非晶含硅层或微晶含硅层的工艺，包括：将基板引入基板处理腔室的处理区域，所述基板在基板支撑件上；使处理气体流入所述基板处理腔室内的一个或多个气体容积中，所述处理气体包括含硅气体；在等离子体条件下从所述处...

公开了一种用于测量位于半导体处理环境中的基板温度的方法及设备。基板具有顶表面及边缘表面，并且定位于半导体处理环境内的规定位置中。被定向为观察基板的边缘表面的一个侧面的红外照相机经触发以获得基板的边缘表面的一个侧面的红外图像。红外图像经处...

一种对在基板的表面上形成的氮化硅(SiN)基的介电膜进行后处理的方法，包括：将具有形成在其上的氮化硅(SiN)基的介电膜的基板定位在处理腔室中；以及使氮化硅(SiN)基的介电膜在处理腔室中暴露于含氦高能量低剂量等离子体。含氦高能量低剂量...

描述了一种用于处理多个基板的基板处理系统。所述系统包括：第一沉积模块，所述第一沉积模块是第一直列模块并且具有第一多个真空沉积源；第二沉积模块，所述第二沉积模块是第二直列模块并且具有第二多个真空沉积源；和玻璃搬运模块，所述玻璃搬运模块在所...

本文描述的多个实施方式提供了一种用于在腔室的内部空间内的等离子体密度和气体分配的独立控制的盖板。所述盖组件包括气体分配组件，所述气体分配组件包括多个扩散板，所述扩散板的一部分由介电板分隔，其中所述多个扩散板中的每个扩散板包括形成在第一表...

描述了一种用于基板处理系统的真空取向模块。所述模块包括至少第一真空取向腔室，包含：真空腔室；运输轨道，所述运输轨道在所述真空腔室内，所述运输轨道具有支撑结构和驱动结构并且限定运输方向；和取向致动器，所述取向致动器用于在非竖直取向与非水平...