处理配件的壳层和温度控制制造技术

本文提供处理配件的实施例。在一些实施例中，一种用于在基板处理腔室中使用的处理配件包括：陶瓷环，所述陶瓷环具有上部表面和下部表面，其中陶瓷环包括布置于陶瓷环中的卡紧电极和布置于陶瓷环中的加热元件；以及边缘环，所述边缘环布置于陶瓷环上。所述边缘环布置于陶瓷环上。所述边缘环布置于陶瓷环上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】处理配件的壳层和温度控制


[0001]本公开的实施例总体涉及基板处理系统，并且更具体地，涉及用于在基板处理系统中使用的处理配件。

技术介绍

[0002]射频(RF)功率通常在蚀刻工艺中使用，例如需要非常高深宽比的孔洞以制造触点或深的沟道以用于为电气路径铺设基础设施。RF功率可用于等离子体产生和/或用于在待处理的基板上创建偏压以吸引来自体等离子体的离子。静电卡盘用于在处理期间以静电方式保持基板以控制基板温度。静电卡盘通常包括嵌入介电板中的电极，以及布置于介电板下方的冷却板。处理配件可包括边缘环，所述边缘环通常布置于冷却板上方并且围绕介电板以引导基板。
[0003]然而，当基板在长闲置时间之后放置于处理腔室中时，边缘环的温度随着基板以两个不同的RF功率处理而上升。与介电板和处理气体相比，边缘环与介电板之间的温度差异可造成边缘环与处理气体之间非均匀的化学反应，从而造成工艺漂移。
[0004]用于创建偏压的RF功率源被施加至冷却板。专利技术人已观察到随着边缘环的高度由于基板处理期间的离子撞击而降低，由偏压RF功率源创建的壳层(sheat本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于在基板处理腔室中使用的处理配件，包含：陶瓷环，所述陶瓷环具有上部表面和下部表面，其中所述陶瓷环包括布置于所述陶瓷环中的一个或多个卡紧电极以及布置于所述陶瓷环中的加热元件；以及边缘环，所述边缘环布置于所述陶瓷环上。2.如权利要求1所述的处理配件，其中所述一个或多个卡紧电极布置于所述上部表面与所述加热元件之间。3.如权利要求1所述的处理配件，进一步包含气体通道，所述气体通道从所述陶瓷环的所述下部表面延伸至所述陶瓷环的所述上部表面。4.如权利要求1所述的处理配件，其中所述陶瓷环包含氮化铝(AlN)或氧化铝(Al2O3)。5.如权利要求1所述的处理配件，其中所述陶瓷环包括在上部内部边缘处的缺口。6.如权利要求1至5中任一项所述的处理配件，进一步包含冷却板，所述冷却板耦合至所述陶瓷环。7.如权利要求6所述的处理配件，进一步包含结合层，所述结合层布置于所述陶瓷环与所述冷却板之间。8.一种用于在基板处理腔室中使用的基板支撑件，包含：陶瓷板，所述陶瓷板具有配置成支撑基板的第一侧和与所述第一侧相对的第二侧，其中所述陶瓷板包括嵌入在所述陶瓷板中的电极；第一冷却板，所述第一冷却板耦合至所述陶瓷板的所述第二侧；如权利要求1至5中任一项所述的陶瓷环，所述陶瓷环布置成围绕所述陶瓷板，并且其中所述陶瓷环与所述第一冷却板间隔开；以及第二冷却板，所述第二冷却板耦合至所述陶瓷环的所述第二侧，其中所述第二冷却板与所述第一冷却板热隔绝。9.如权利要求8所述的基板支撑件，其中所述第一冷却板和所述第二冷却板包括配置成循环冷却剂的冷却剂通道。10.如权利要求8所述的基板支撑件，其中所述一个或多个卡紧电极耦合至负脉冲DC功率源。11.如权利要求8所述的基...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵在龙，K，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：