用于化学机械研磨的蒸汽产生制造技术

一种蒸汽产生设备包括具有进水口和蒸汽出口的罐。蒸汽产生设备在罐中包括屏障，屏障将罐分成下部腔室和上部腔室。下部腔室被定位成从进水口接收水。蒸汽出口阀从上部腔室接收蒸汽。屏障具有孔，孔用于蒸汽从下部腔室传递到上部腔室，并且允许冷凝水从上部腔室传递到下部腔室。蒸汽产生设备包括加热组件，加热组件配置成向下部腔室的一部分施加热量。蒸汽产生设备包含控制器，控制器被配置为修改通过进水口的水的流速，以将水位保持在加热组件上方和蒸汽出口下方。和蒸汽出口下方。和蒸汽出口下方。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于化学机械研磨的蒸汽产生


[0001]本公开涉及化学机械研磨(CMP)，并且更具体地涉及在CMP期间使用蒸汽清洁或预热。

技术介绍

[0002]通常通过将导电层、半导体层或绝缘层顺序沉积到半导体晶片上，以在基板上形成集成电路。各种制造工艺需要基板上的层平坦化。例如，一个制造步骤涉及将填料层沉积到非平面的表面上，并将填料层平坦化。对于某些应用，填料层被平坦化，直到暴露出图案化层的顶表面。例如，可在图案化绝缘层上沉积金属层，以填充绝缘层中的沟槽或孔。在平坦化之后，在图案化层的沟槽和孔中的金属的剩余部分形成通孔、插件和线，以在基板上的薄膜电路之间提供导电路径。作为另一个示例，可以在图案化的导电层上沉积介电层，然后将其平坦化以实现后续的光刻步骤。
[0003]化学机械研磨(CMP)为一种被接受的平坦化方法。此平坦化方法通常需要将基板安装在承载头上。基板的暴露表面通常被放置为抵靠旋转研磨垫。承载头在基板上提供可控制的负载，以将基板推抵研磨垫。通常将具有磨料颗粒的研磨浆料供应到研磨垫的表面。

技术实现思路

[0004]在一个方面中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种蒸汽产生设备，包括：罐，所述罐具有进水口和蒸汽出口；所述罐中的屏障，所述屏障将所述罐分为下部腔室和上部腔室，其中所述下部腔室定位成从所述进水口接收水，并且其中所述蒸汽出口阀从所述上部腔室接收蒸汽，并且其中所述屏障具有孔使蒸汽从所述下部腔室传到所述上部腔室，并允许冷凝水从所述上部腔室传到所述下部腔室；加热组件，所述加热组件被配置为向下部腔室的一部分施加热量；和控制器，所述控制器被配置为修改通过所述进水口的水的所述流速，以将水位保持在所述加热组件上方和所述蒸汽出口下方。2.如权利要求1所述的设备，其中所述罐和/或屏障是石英。3.如权利要求1所述的设备，其中所述罐和屏障涂覆有PTFE。4.如权利要求1所述的设备，进一步包括旁通管，所述旁通管与所述罐平行地连接所述进水口和所述蒸汽出口。5.如权利要求4所述的设备，所述设备包含水位传感器，所述水位传感器被定位为监测所述旁通管中的水位，以及控制器，所述控制器被配置为从所述水位传感器接收信号，并且其中所述控制器被配置为基于来自所述水位传感器的所述信号来修改通过所述进水口的水的所述流速，以将所述罐中的水位保持在所述加热组件上方和所述蒸汽出口下方。6.如权利要求1所述的设备，其中至少一些孔紧邻所述罐的所述内径表面定位。7.如权利要求6所述的设备，其中所述孔仅紧邻所述罐的所述内径表面定位。8.如权利要求1所述的设备，其中所述加热组件包括加热线圈。9.如权利要求8所述的设备，其中所述加热线圈缠绕在所述罐的所述下部腔室周围。10.如权利要求1所述的设备，其中所述进水口在所述加热组件的顶部下方。11.如权利要求10所述的设备，其中所述进水口在所述罐的所述下部腔室的底板中...

【专利技术属性】
技术研发人员：H，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：